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5第六代650V SiC肖特基MPS™二极管，具有同类最佳的效率

Gen5 650V 碳化硅肖特基 MPS™

杜勒斯, VA, 可能 28, 2021 — GeneSiC 半导体, 碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体器件, 宣布第 5 代的可用性 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 整流器以其卓越的性价比指标树立了新的标杆, 行业领先的浪涌电流和雪崩稳定性, 和高品质的制造.

“GeneSiC 是最早在美国商业化供应 SiC 肖特基整流器的 SiC 制造商之一。 2011. 经过十多年为业界提供高性能、高品质的碳化硅整流器, 我们很高兴发布我们的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合并-PiN-肖特基) 在各个方面提供行业领先性能的二极管，以满足服务器/电信电源和电池充电器等应用中的高效率和功率密度目标. 使我们的第 5 代产品的革命性功能 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 二极管在同类产品中脱颖而出的是低内置电压 (也称为拐点电压);它可以在所有负载条件下实现最低的二极管传导损耗 - 对于需要高效能源使用的应用至关重要. 与其他竞争对手的 SiC 二极管相比，同样设计用于提供低拐点特性, 我们的 Gen5 二极管设计的另一个特点是它们仍然保持高水平的雪崩 (UIL) 我们的客户对 GeneSiC 的 Gen3 所期望的坚固性 (GC***系列) 和 Gen4 (GD***系列) SiC肖特基MPS™” 博士说. 悉达多·桑达瑞森, GeneSiC半导体技术副总裁.

特征 –

  • 低内置电压 – 所有负载条件下的最低传导损耗
  • 优异的功绩 – 质量控制 x VF
  • 最佳性价比
  • 增强的浪涌电流能力
  • 100% 雪崩 (UIL) 已测试
  • 低热阻适用于较冷的操作
  • 零正向和反向恢复
  • 温度无关的快速开关
  • VF 的正温度系数

应用领域 –

  • 功率因数校正中的升压二极管 (全氟化合物)
  • 服务器和电信电源
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源 (UPS)
  • 电池充电器
  • 随心所欲 / 逆变器中的反并联二极管

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 碳化硅肖特基 MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 碳化硅肖特基 MPS™

所有设备均可通过授权分销商购买 – www.genesicsemi.com/sales-support

有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ 或联系 sales@genesicsemi.com

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC赢得久负盛名的R&SiC基单片晶体管-整流器开关D100奖

杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — 电阻&D Magazine选择了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作为享有盛誉的接受者 2019 电阻&d 100 SiC基单片晶体管整流开关开发奖.

GeneSiC半导体公司, 基于碳化硅的功率设备的关键创新者因其已获得久负盛名的奖项而感到荣幸 2019 电阻&d 100 奖. 该奖项表彰GeneSiC引入了最重要的技术之一, 在此期间，多个学科之间最新引入的研发进展 2018. 电阻&D Magazine认可GeneSiC的中压SiC功率器件技术，因为它能够将MOSFET和肖特基整流器单片集成到单个芯片上. GeneSiC的设备所具有的这些功能至关重要，使电力电子研究人员能够开发下一代电力电子系统，例如逆变器和DC-DC转换器. 这将允许电动汽车内的产品开发, 充电基础设施, 可再生能源和储能行业. GeneSiC已预订了多个客户的订单，以演示使用这些设备的先进功率电子硬件，并继续开发其碳化硅MOSFET产品系列. R&通过美国部开发了用于电源转换应用的早期版本D. 能源与桑迪亚国家实验室的合作.

R举办的年度技术竞赛&《 D杂志》评估了多家公司和行业参与者的作品, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究领域的重要性.

根据R&D杂志, 赢得R&d 100 奖项提供了业界知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是本年度最具创新性的想法之一. 该奖项肯定了GeneSiC在创造基于技术的产品方面的全球领导者，这些产品对我们的工作和生活产生了影响.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.

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高电流能力650V, 1200小型模块SOT-227封装的V和1700V SiC肖特基MPS™二极管

杜勒斯, VA, 可能 11, 2019 — GeneSiC 成为大电流能力的市场领导者 (100 一个和 200 一个) SOT-227 微型模块中的 SiC 肖特基二极管

GeneSiC推出GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 和 GC2X100MPS06-227; 业界最高额定电流的 650V 和 1700V SiC 肖特基二极管, 添加到现有的 1200V SiC 肖特基二极管微型模块产品组合 – GB2X50MPS12-227 和 GB2X100MPS12-227. 这些 SiC 二极管取代了硅基超快恢复二极管, 使工程师能够构建具有更高效率和更高功率密度的开关电路. 预计应用将包括电动汽车快速充电器, 马达驱动, 交通电源, 大功率整流和工业电源.

除了 SOT-227 微型模块封装的隔离基板, 这些新发布的二极管具有低正向压降, 零前向恢复, 零反向恢复, 低结电容，额定最高工作温度为 175°C. GeneSiC 的第三代 SiC 肖特基二极管技术提供行业领先的雪崩耐用性和浪涌电流 (伊斯马) 稳健性, 结合高质量的汽车合格 6 英寸制造和先进的高可靠性分立装配技术.

这些 SiC 二极管是与 SOT-227 中可用的其他二极管的引脚兼容的直接替代品 (迷你模块) 包裹. 受益于较低的功率损耗 (冷却器操作) 和高频开关能力, 设计人员现在可以在设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.

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GeneSiC发布业界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二极管

杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出采用TO-247-2封装的第三代1700V SiC肖特基MPS™二极管的全面产品组合

GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封装中提供了业界性能最佳的1700V SiC二极管. 这些1700V SiC二极管替代了硅基超快恢复二极管和其他旧式1700V SiC JBS, 使工程师能够构建具有更高效率和更高功率密度的开关电路. 预计应用将包括电动汽车快速充电器, 马达驱动, 运输电源和可再生能源.

GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合并式PiN肖特基二极管, 业界额定电流最高的分立SiC功率二极管. 这些新发布的二极管具有低正向压降, 零前向恢复, 零反向恢复, 低结电容，额定最高工作温度为 175°C. GeneSiC 的第三代 SiC 肖特基二极管技术提供行业领先的雪崩耐用性和浪涌电流 (伊斯马) 稳健性, 结合高质量的汽车合格6英寸铸造厂和先进的高可靠性分立装配技术.

这些SiC二极管是引脚兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封装中的其他二极管. 受益于较低的功率损耗 (冷却器操作) 和高频开关能力, 设计人员现在可以在设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.