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GeneSiC行业领先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先锋

6.5kV SiC MOSFET

杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC发布6.5kV碳化硅MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面处于领先地位, 牵引等中压功率转换应用的效率和可靠性, 脉冲电源和智能电网基础设施.

GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体, 今天宣布宣布立即供货6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用该技术的全碳化硅模块即将发布. 预计应用将包括牵引力, 脉冲功率, 智能电网基础设施和其他中压功率转换器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (与集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的创新特色是SiC双注入金属氧化物半导体 (场效应管) 结势垒肖特基器件结构 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET单元电池中. 这种领先的功率器件可用于下一代功率转换系统中的各种功率转换电路中. 其他重要优势包括更高效的双向性能, 温度独立开关, 低开关损耗和传导损耗, 降低冷却要求, 出色的长期可靠性, 易于并联设备并节省成本. GeneSiC的技术不仅具有出色的性能，而且还具有减少功率转换器中SiC净材料足迹的潜力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圆上设计和制造，以实现低导通电阻, 最好的质量, 和卓越的性价比指标. 下一代MOSFET技术可提供出色的性能, 在中压功率转换应用中具有出色的耐用性和长期可靠性。” 说过 博士. 悉达多·桑达瑞森, GeneSiC半导体技术副总裁.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技术特性 –

  • 高雪崩 (统计研究所) 和短路坚固性
  • 上级QG 设DS(上) 品质因数
  • 温度无关的开关损耗
  • 低电容和低栅极电荷
  • 在所有温度下损耗低
  • 常关稳定工作温度高达175°C
  • +20 V / -5 V门驱动

有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 或联系 sales@genesicsemi.com

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC从ARPA-E赢得253万美元，用于开发基于碳化硅晶闸管的器件

杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 – 高级研究计划署 – 能源 (阿帕) 已与 GeneSiC Semiconductor 领导的团队达成合作协议，以开发新型超高压碳化硅 (碳化硅) 基于晶闸管的设备. 这些设备有望成为将大型风能和太阳能发电厂集成到下一代智能电网的关键推动因素.

“GeneSiC 获得的这一极具竞争力的奖项将使我们能够扩大我们在多 kV 碳化硅技术方面的技术领先地位, 以及我们对具有固态解决方案的电网规模替代能源解决方案的承诺,”博士评论道. 类别, GeneSiC总裁. “我们正在开发的多 kV 碳化硅晶闸管是实现灵活交流输电系统的关键使能技术 (事实) 元件和高压直流 (高压直流) 构想的集成架构, 高效的, 未来的智能电网. GeneSiC 的基于 SiC 的晶闸管提供 10 倍的高电压, 100与传统的硅基晶闸管相比，FACTS 和 HVDC 电源处理解决方案中的开关频率更快，工作温度更高。”

在四月份 2010, GeneSiC 响应电力技术的敏捷交付 (熟练) 来自 ARPA-E 的招标寻求投资材料以实现高压开关的根本进步，这些材料有可能超越现有电源转换器的性能，同时降低成本. 该公司题为“用于中压功率转换的碳化硅阳极开关晶闸管”的提案被选中，以提供一种轻型, 固体状态, 用于大功率应用的中压能量转换，例如固态变电站和风力涡轮发电机. 部署这些先进的功率半导体技术可以提供 25-30 通过提高电力输送效率来减少用电量的百分比. 选定的创新是为了支持和促进美国. 通过技术领先的企业, 通过竞争激烈的过程.

碳化硅是下一代半导体材料，其性能远远优于传统硅, 例如能够在高达 300ºC 的温度下处理十倍的电压和一百倍的电流. 这些特性使其非常适合混合动力和电动汽车等大功率应用, 再生能源 (风能和太阳能) 装置, 和电网控制系统.

现在已经公认超高压 (>10千伏) 碳化硅 (碳化硅) 设备技术将在下一代公用电网中发挥革命性作用. 基于晶闸管的SiC器件可为以下器件提供最高的通态性能 >5 kV设备, 并广泛适用于中压功率转换电路，例如故障电流限制器, AC-DC转换器, 静态无功补偿器和串联补偿器. 基于碳化硅的晶闸管与常规电网元件相似，因此也提供了尽早采用的最佳机会. 这些设备的其他有前途的应用和优势包括:

  • 未来海军能力下寻求中压直流转换的电源管理和电源调节系统 (FNC) 美国海军, 电磁发射系统, 高能武器系统和医学成像. 工作频率提高 10-100 倍，可实现前所未有的尺寸改进, 重量, 量和最终, 此类系统的成本.
  • 多种储能, 高温高能物理应用. 随着全球关注更高效、更具成本效益的能源管理解决方案，储能和电网应用正受到越来越多的关注.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件.

“通过利用我们在器件和工艺设计方面的核心竞争力以及广泛的制造套件，我们已成为超高压 SiC 技术的领导者, 表征, 和测试设施,”博士总结道. 辛格. “GeneSiC 的地位现在已经得到了美国能源部的有效验证，并获得了这一重要的后续奖项。”

关于 GeneSiC 半导体

位于华盛顿附近的战略位置, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 超级结晶体管 (SJT) 以及各种基于晶闸管的器件. GeneSiC已经或已经与美国主要政府机构签订了主要/分包合同, 包括能源部, 海军, 军队, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访www.genesicsemi.com.