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G3R™ 750V SiC MOSFET 提供无与伦比的性能和可靠性

750V G3R 碳化硅MOSFET

杜勒斯, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 将提供前所未有的性能水平, 超越同类产品的坚固性和质量. 系统优势包括工作温度下的低通态下降, 更快的切换速度, 功率密度增加, 最小振铃 (低电磁干扰) 紧凑的系统尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 经过优化，可在所有工作条件和超快开关速度下以最低功耗运行. 与当代 SiC MOSFET 相比，这些器件具有明显更好的性能水平.

750V G3R 碳化硅MOSFET

“高效能源使用已成为下一代功率转换器的关键交付物，而 SiC 功率器件继续成为推动这场革命的关键组件. 经过多年的开发工作，以实现最低的导通电阻和稳健的短路和雪崩性能, 我们很高兴发布业界性能最佳的 750V 碳化硅 MOSFET. 我们的 G3R™ 使电力电子设计师能够满足具有挑战性的效率, 太阳能逆变器等应用中的功率密度和质量目标, EV 车载充电器和服务器/电信电源. 有保证的质量, 由快速周转和汽车合格的大批量制造支持，进一步增强了他们的价值主张. ” 博士说. 类别, GeneSiC Semiconductor总裁.

特征 –

  • 业界最低的栅极电荷 (问G) 和内部栅极电阻 (RG(情报局))
  • 最低 RDS(上) 随温度变化
  • 低输出电容 (C我们) 和米勒电容 (C广东)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生产过程中经过测试
  • 行业领先的短路耐受能力
  • 具有低 V 的快速可靠的体二极管F 和低 QRR
  • 高且稳定的栅极阈值电压 (VTH) 跨越所有温度和漏极偏压条件
  • 具有更低热阻和更低振铃的先进封装技术
  • R的制造均匀性DS(上), VTH 和击穿电压 (BV)
  • 全面的产品组合和更安全的供应链，符合汽车标准的大批量制造

应用领域 –

  • 太阳的 (光伏) 逆变器
  • 电动汽车 / HEV车载充电器
  • 服务器 & 电信电源
  • 不间断电源 (UPS)
  • DC-DC转换器
  • 开关电源 (开关电源)
  • 储能和电池充电
  • 感应加热

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽车应用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&贸易碳化硅MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&贸易碳化硅MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&贸易碳化硅MOSFET

有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 或联系 sales@genesicsemi.com

所有设备均可通过授权分销商购买 – www.genesicsemi.com/sales-support

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纽瓦克法内尔元素 14

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关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC的新型第三代SiC MOSFET具有业界最佳的品质因数

杜勒斯, VA, 二月 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor的具有RDS的下一代1200V G3R™SiC MOSFET(上) 级别从 20 mΩ至 350 mΩ可提供前所未有的性能水平, 超越同类产品的坚固性和质量. 系统优势包括更高的效率, 更快的开关频率, 功率密度增加, 减少振铃 (电磁干扰) 紧凑的系统尺寸.

GeneSiC宣布推出具有行业领先性能的行业领先的第三代碳化硅MOSFET, 在汽车和工业应用中实现前所未有的效率和系统可靠性水平的强大功能和质量.

这些G3R™SiC MOSFET, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 针对要求提高效率水平和超快开关速度的电源系统设计进行了高度优化. 与竞争产品相比，这些设备具有更好的性能水平. 有保证的质量, 快速周转的大批量制造的支持进一步增强了其价值主张.

“经过多年的开发，努力实现最低的导通电阻和增强的短路性能, 我们很高兴发布业界性能最佳的1200V SiC MOSFET，具有超过 15+ 分立和裸芯片产品. 如果下一代电力电子系统要满足挑战性的效率, 汽车等应用中的功率密度和质量目标, 工业的, 再生能源, 运输, IT和电信, 则与目前可用的SiC MOSFET相比，它们需要显着改善的器件性能和可靠性” 博士说. 类别, GeneSiC Semiconductor总裁.

特征 –

  • 上级QG 设DS(上) 品质因数 – G3R™SiC MOSFET具有业界最低的导通电阻和极低的栅极电荷, 导致 20% 比其他同类竞争产品更好的品质因数
  • 在所有温度下的传导损耗低 – GeneSiC的MOSFET具有最弱的温度导通电阻依赖性，在所有温度下的导通损耗都非常低; 明显优于市场上任何其他沟槽和平面SiC MOSFET
  • 100 % 雪崩测试 – 强大的UIL功能是大多数现场应用的关键要求. GeneSiC的1200V SiC MOSFET分立器件 100 % 雪崩 (UIL) 生产过程中经过测试
  • 低栅极电荷和低内部栅极电阻 – 这些参数对于实现超快速切换和实现最高效率至关重要 (低Eon -Eoff) 广泛的应用开关频率
  • 常关稳定工作温度高达175°C – GeneSiC的所有SiC MOSFET均采用最先进的工艺进行设计和制造，可在所有工作条件下提供稳定可靠的产品，而不会出现任何故障风险. 这些器件的优异栅极氧化质量可防止任何阈值 (VTH) 漂移
  • 低设备电容 – G3R™旨在通过其低设备电容来驱动更快，更高效– Ciss, Coss和Crss
  • 快速可靠的体二极管，固有电荷低 – GeneSiC的MOSFET具有基准低反向恢复电荷 (问RR) 在所有温度下; 30% 比任何同类额定竞争对手的设备都要好. 这样可以进一步减少功率损耗并提高工作频率
  • 使用方便 – G3R™SiC MOSFET设计为以+ 15V驱动 / -5V门驱动. 这与现有的商用IGBT和SiC MOSFET栅极驱动器具有最广泛的兼容性

应用领域 –

  • 电动车 – 动力总成和充电
  • 太阳能逆变器和储能
  • 工业电机驱动
  • 不间断电源供应 (UPS)
  • 开关电源 (开关电源)
  • 双向DC-DC转换器
  • 智能电网和高压直流
  • 感应加热和焊接
  • 脉冲功率应用

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GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽车应用 (AEC-q101) 和PPAP功能. 所有设备均以行业标准D2PAK提供, TO-247和SOT-227封装.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC的3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET彻底改变了辅助电源的小型化

杜勒斯, VA, 十二月 4, 2020 — GeneSiC宣布推出业界领先的3300V和1700V分立SiC MOSFET，这些MOSFET经过优化可实现无与伦比的小型化, 工业家政电源的可靠性和节能.

GeneSiC 半导体, 碳化硅综合产品的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体, 今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J. 这些SiC MOSFET可实现卓越的性能水平, 基于旗舰功绩指标 (FoM) 增强和简化跨储能系统的电力系统, 再生能源, 工业马达, 通用逆变器和工业照明. 发布的产品有:

G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC的新型3300V和1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和450mΩ选项的SMD和通孔分立封装, 针对要求提高效率水平和超快开关速度的电源系统设计进行了高度优化. 与竞争产品相比，这些设备具有更好的性能水平. 有保证的质量, 快速周转的大批量制造的支持进一步增强了其价值主张.

“在1500V太阳能逆变器等应用中, 辅助电源中的MOSFET可能必须承受2500V的电压, 取决于输入电压, 变压器匝数比与输出电压. 高击穿电压MOSFET消除了反激式中串联开关的需求, 升压和正激转换器，从而减少了零件数量并降低了电路复杂度. GeneSiC的3300V和1700V分立SiC MOSFET允许设计人员使用更简单的基于单开关的拓扑，同时为客户提供可靠的, 紧凑而经济的系统” 苏米特·贾达夫（Sumit Jadav）说, GeneSiC Semiconductor高级应用经理.

特征 –

  • 优越的性价比指数
  • 旗舰QG 设DS(上) 品质因数
  • 低固有电容和低栅极电荷
  • 在所有温度下损耗低
  • 高雪崩和短路强度
  • 基准阈值电压，可在高达175°C的常态下稳定运行

应用领域 –

  • 可再生能源 (太阳能逆变器) 和储能
  • 工业马达 (和债券)
  • 通用变频器
  • 工业照明
  • 压电驱动器
  • 离子束发生器

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关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC行业领先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先锋

6.5kV SiC MOSFET

杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC发布6.5kV碳化硅MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面处于领先地位, 牵引等中压功率转换应用的效率和可靠性, 脉冲电源和智能电网基础设施.

GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体, 今天宣布宣布立即供货6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用该技术的全碳化硅模块即将发布. 预计应用将包括牵引力, 脉冲功率, 智能电网基础设施和其他中压功率转换器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (与集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的创新特色是SiC双注入金属氧化物半导体 (场效应管) 结势垒肖特基器件结构 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET单元电池中. 这种领先的功率器件可用于下一代功率转换系统中的各种功率转换电路中. 其他重要优势包括更高效的双向性能, 温度独立开关, 低开关损耗和传导损耗, 降低冷却要求, 出色的长期可靠性, 易于并联设备并节省成本. GeneSiC的技术不仅具有出色的性能，而且还具有减少功率转换器中SiC净材料足迹的潜力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圆上设计和制造，以实现低导通电阻, 最好的质量, 和卓越的性价比指标. 下一代MOSFET技术可提供出色的性能, 在中压功率转换应用中具有出色的耐用性和长期可靠性。” 说过 博士. 悉达多·桑达瑞森, GeneSiC半导体技术副总裁.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技术特性 –

  • 高雪崩 (统计研究所) 和短路坚固性
  • 上级QG 设DS(上) 品质因数
  • 温度无关的开关损耗
  • 低电容和低栅极电荷
  • 在所有温度下损耗低
  • 常关稳定工作温度高达175°C
  • +20 V / -5 V门驱动

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关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC赢得久负盛名的R&SiC基单片晶体管-整流器开关D100奖

杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — 电阻&D Magazine选择了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作为享有盛誉的接受者 2019 电阻&d 100 SiC基单片晶体管整流开关开发奖.

GeneSiC半导体公司, 基于碳化硅的功率设备的关键创新者因其已获得久负盛名的奖项而感到荣幸 2019 电阻&d 100 奖. 该奖项表彰GeneSiC引入了最重要的技术之一, 在此期间，多个学科之间最新引入的研发进展 2018. 电阻&D Magazine认可GeneSiC的中压SiC功率器件技术，因为它能够将MOSFET和肖特基整流器单片集成到单个芯片上. GeneSiC的设备所具有的这些功能至关重要，使电力电子研究人员能够开发下一代电力电子系统，例如逆变器和DC-DC转换器. 这将允许电动汽车内的产品开发, 充电基础设施, 可再生能源和储能行业. GeneSiC已预订了多个客户的订单，以演示使用这些设备的先进功率电子硬件，并继续开发其碳化硅MOSFET产品系列. R&通过美国部开发了用于电源转换应用的早期版本D. 能源与桑迪亚国家实验室的合作.

R举办的年度技术竞赛&《 D杂志》评估了多家公司和行业参与者的作品, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究领域的重要性.

根据R&D杂志, 赢得R&d 100 奖项提供了业界知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是本年度最具创新性的想法之一. 该奖项肯定了GeneSiC在创造基于技术的产品方面的全球领导者，这些产品对我们的工作和生活产生了影响.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.