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G3R™ 750V SiC MOSFET 提供无与伦比的性能和可靠性

750V G3R 碳化硅MOSFET

杜勒斯, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 将提供前所未有的性能水平, 超越同类产品的坚固性和质量. 系统优势包括工作温度下的低通态下降, 更快的切换速度, 功率密度增加, 最小振铃 (低电磁干扰) 紧凑的系统尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 经过优化，可在所有工作条件和超快开关速度下以最低功耗运行. 与当代 SiC MOSFET 相比，这些器件具有明显更好的性能水平.

750V G3R 碳化硅MOSFET

“高效能源使用已成为下一代功率转换器的关键交付物，而 SiC 功率器件继续成为推动这场革命的关键组件. 经过多年的开发工作，以实现最低的导通电阻和稳健的短路和雪崩性能, 我们很高兴发布业界性能最佳的 750V 碳化硅 MOSFET. 我们的 G3R™ 使电力电子设计师能够满足具有挑战性的效率, 太阳能逆变器等应用中的功率密度和质量目标, EV 车载充电器和服务器/电信电源. 有保证的质量, 由快速周转和汽车合格的大批量制造支持，进一步增强了他们的价值主张. ” 博士说. 类别, GeneSiC Semiconductor总裁.

特征 –

  • 业界最低的栅极电荷 (问G) 和内部栅极电阻 (RG(情报局))
  • 最低 RDS(上) 随温度变化
  • 低输出电容 (C我们) 和米勒电容 (C广东)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生产过程中经过测试
  • 行业领先的短路耐受能力
  • 具有低 V 的快速可靠的体二极管F 和低 QRR
  • 高且稳定的栅极阈值电压 (VTH) 跨越所有温度和漏极偏压条件
  • 具有更低热阻和更低振铃的先进封装技术
  • R的制造均匀性DS(上), VTH 和击穿电压 (BV)
  • 全面的产品组合和更安全的供应链，符合汽车标准的大批量制造

应用领域 –

  • 太阳的 (光伏) 逆变器
  • 电动汽车 / HEV车载充电器
  • 服务器 & 电信电源
  • 不间断电源 (UPS)
  • DC-DC转换器
  • 开关电源 (开关电源)
  • 储能和电池充电
  • 感应加热

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽车应用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&贸易碳化硅MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&贸易碳化硅MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&贸易碳化硅MOSFET

有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 或联系 sales@genesicsemi.com

所有设备均可通过授权分销商购买 – www.genesicsemi.com/sales-support

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关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC行业领先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先锋

6.5kV SiC MOSFET

杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC发布6.5kV碳化硅MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面处于领先地位, 牵引等中压功率转换应用的效率和可靠性, 脉冲电源和智能电网基础设施.

GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体, 今天宣布宣布立即供货6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用该技术的全碳化硅模块即将发布. 预计应用将包括牵引力, 脉冲功率, 智能电网基础设施和其他中压功率转换器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (与集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的创新特色是SiC双注入金属氧化物半导体 (场效应管) 结势垒肖特基器件结构 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET单元电池中. 这种领先的功率器件可用于下一代功率转换系统中的各种功率转换电路中. 其他重要优势包括更高效的双向性能, 温度独立开关, 低开关损耗和传导损耗, 降低冷却要求, 出色的长期可靠性, 易于并联设备并节省成本. GeneSiC的技术不仅具有出色的性能，而且还具有减少功率转换器中SiC净材料足迹的潜力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圆上设计和制造，以实现低导通电阻, 最好的质量, 和卓越的性价比指标. 下一代MOSFET技术可提供出色的性能, 在中压功率转换应用中具有出色的耐用性和长期可靠性。” 说过 博士. 悉达多·桑达瑞森, GeneSiC半导体技术副总裁.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技术特性 –

  • 高雪崩 (统计研究所) 和短路坚固性
  • 上级QG 设DS(上) 品质因数
  • 温度无关的开关损耗
  • 低电容和低栅极电荷
  • 在所有温度下损耗低
  • 常关稳定工作温度高达175°C
  • +20 V / -5 V门驱动

有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 或联系 sales@genesicsemi.com

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.