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G3R™ 750V SiC MOSFET 提供无与伦比的性能和可靠性

750V G3R 碳化硅MOSFET

杜勒斯, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 将提供前所未有的性能水平, 超越同类产品的坚固性和质量. 系统优势包括工作温度下的低通态下降, 更快的切换速度, 功率密度增加, 最小振铃 (低电磁干扰) 紧凑的系统尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 经过优化，可在所有工作条件和超快开关速度下以最低功耗运行. 与当代 SiC MOSFET 相比，这些器件具有明显更好的性能水平.

750V G3R 碳化硅MOSFET

“高效能源使用已成为下一代功率转换器的关键交付物，而 SiC 功率器件继续成为推动这场革命的关键组件. 经过多年的开发工作，以实现最低的导通电阻和稳健的短路和雪崩性能, 我们很高兴发布业界性能最佳的 750V 碳化硅 MOSFET. 我们的 G3R™ 使电力电子设计师能够满足具有挑战性的效率, 太阳能逆变器等应用中的功率密度和质量目标, EV 车载充电器和服务器/电信电源. 有保证的质量, 由快速周转和汽车合格的大批量制造支持，进一步增强了他们的价值主张. ” 博士说. 类别, GeneSiC Semiconductor总裁.

特征 –

  • 业界最低的栅极电荷 (问G) 和内部栅极电阻 (RG(情报局))
  • 最低 RDS(上) 随温度变化
  • 低输出电容 (C我们) 和米勒电容 (C广东)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生产过程中经过测试
  • 行业领先的短路耐受能力
  • 具有低 V 的快速可靠的体二极管F 和低 QRR
  • 高且稳定的栅极阈值电压 (VTH) 跨越所有温度和漏极偏压条件
  • 具有更低热阻和更低振铃的先进封装技术
  • R的制造均匀性DS(上), VTH 和击穿电压 (BV)
  • 全面的产品组合和更安全的供应链，符合汽车标准的大批量制造

应用领域 –

  • 太阳的 (光伏) 逆变器
  • 电动汽车 / HEV车载充电器
  • 服务器 & 电信电源
  • 不间断电源 (UPS)
  • DC-DC转换器
  • 开关电源 (开关电源)
  • 储能和电池充电
  • 感应加热

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽车应用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&贸易碳化硅MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&贸易碳化硅MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&贸易碳化硅MOSFET

有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 或联系 sales@genesicsemi.com

所有设备均可通过授权分销商购买 – www.genesicsemi.com/sales-support

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关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.

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GeneSiC赢得久负盛名的R&SiC基单片晶体管-整流器开关D100奖

杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — 电阻&D Magazine选择了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作为享有盛誉的接受者 2019 电阻&d 100 SiC基单片晶体管整流开关开发奖.

GeneSiC半导体公司, 基于碳化硅的功率设备的关键创新者因其已获得久负盛名的奖项而感到荣幸 2019 电阻&d 100 奖. 该奖项表彰GeneSiC引入了最重要的技术之一, 在此期间，多个学科之间最新引入的研发进展 2018. 电阻&D Magazine认可GeneSiC的中压SiC功率器件技术，因为它能够将MOSFET和肖特基整流器单片集成到单个芯片上. GeneSiC的设备所具有的这些功能至关重要，使电力电子研究人员能够开发下一代电力电子系统，例如逆变器和DC-DC转换器. 这将允许电动汽车内的产品开发, 充电基础设施, 可再生能源和储能行业. GeneSiC已预订了多个客户的订单，以演示使用这些设备的先进功率电子硬件，并继续开发其碳化硅MOSFET产品系列. R&通过美国部开发了用于电源转换应用的早期版本D. 能源与桑迪亚国家实验室的合作.

R举办的年度技术竞赛&《 D杂志》评估了多家公司和行业参与者的作品, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究领域的重要性.

根据R&D杂志, 赢得R&d 100 奖项提供了业界知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是本年度最具创新性的想法之一. 该奖项肯定了GeneSiC在创造基于技术的产品方面的全球领导者，这些产品对我们的工作和生活产生了影响.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.

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GeneSiC从ARPA-E赢得253万美元，用于开发基于碳化硅晶闸管的器件

杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 – 高级研究计划署 – 能源 (阿帕) 已与 GeneSiC Semiconductor 领导的团队达成合作协议，以开发新型超高压碳化硅 (碳化硅) 基于晶闸管的设备. 这些设备有望成为将大型风能和太阳能发电厂集成到下一代智能电网的关键推动因素.

“GeneSiC 获得的这一极具竞争力的奖项将使我们能够扩大我们在多 kV 碳化硅技术方面的技术领先地位, 以及我们对具有固态解决方案的电网规模替代能源解决方案的承诺,”博士评论道. 类别, GeneSiC总裁. “我们正在开发的多 kV 碳化硅晶闸管是实现灵活交流输电系统的关键使能技术 (事实) 元件和高压直流 (高压直流) 构想的集成架构, 高效的, 未来的智能电网. GeneSiC 的基于 SiC 的晶闸管提供 10 倍的高电压, 100与传统的硅基晶闸管相比，FACTS 和 HVDC 电源处理解决方案中的开关频率更快，工作温度更高。”

在四月份 2010, GeneSiC 响应电力技术的敏捷交付 (熟练) 来自 ARPA-E 的招标寻求投资材料以实现高压开关的根本进步，这些材料有可能超越现有电源转换器的性能，同时降低成本. 该公司题为“用于中压功率转换的碳化硅阳极开关晶闸管”的提案被选中，以提供一种轻型, 固体状态, 用于大功率应用的中压能量转换，例如固态变电站和风力涡轮发电机. 部署这些先进的功率半导体技术可以提供 25-30 通过提高电力输送效率来减少用电量的百分比. 选定的创新是为了支持和促进美国. 通过技术领先的企业, 通过竞争激烈的过程.

碳化硅是下一代半导体材料，其性能远远优于传统硅, 例如能够在高达 300ºC 的温度下处理十倍的电压和一百倍的电流. 这些特性使其非常适合混合动力和电动汽车等大功率应用, 再生能源 (风能和太阳能) 装置, 和电网控制系统.

现在已经公认超高压 (>10千伏) 碳化硅 (碳化硅) 设备技术将在下一代公用电网中发挥革命性作用. 基于晶闸管的SiC器件可为以下器件提供最高的通态性能 >5 kV设备, 并广泛适用于中压功率转换电路，例如故障电流限制器, AC-DC转换器, 静态无功补偿器和串联补偿器. 基于碳化硅的晶闸管与常规电网元件相似，因此也提供了尽早采用的最佳机会. 这些设备的其他有前途的应用和优势包括:

  • 未来海军能力下寻求中压直流转换的电源管理和电源调节系统 (FNC) 美国海军, 电磁发射系统, 高能武器系统和医学成像. 工作频率提高 10-100 倍，可实现前所未有的尺寸改进, 重量, 量和最终, 此类系统的成本.
  • 多种储能, 高温高能物理应用. 随着全球关注更高效、更具成本效益的能源管理解决方案，储能和电网应用正受到越来越多的关注.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件.

“通过利用我们在器件和工艺设计方面的核心竞争力以及广泛的制造套件，我们已成为超高压 SiC 技术的领导者, 表征, 和测试设施,”博士总结道. 辛格. “GeneSiC 的地位现在已经得到了美国能源部的有效验证，并获得了这一重要的后续奖项。”

关于 GeneSiC 半导体

位于华盛顿附近的战略位置, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 超级结晶体管 (SJT) 以及各种基于晶闸管的器件. GeneSiC已经或已经与美国主要政府机构签订了主要/分包合同, 包括能源部, 海军, 军队, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访www.genesicsemi.com.