GeneSiC赢得久负盛名的R&SiC基单片晶体管-整流器开关D100奖

杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — 电阻&D Magazine选择了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作为享有盛誉的接受者 2019 电阻&d 100 SiC基单片晶体管整流开关开发奖.

GeneSiC半导体公司, 基于碳化硅的功率设备的关键创新者因其已获得久负盛名的奖项而感到荣幸 2019 电阻&d 100 奖. 该奖项表彰GeneSiC引入了最重要的技术之一, 在此期间,多个学科之间最新引入的研发进展 2018. 电阻&D Magazine认可GeneSiC的中压SiC功率器件技术,因为它能够将MOSFET和肖特基整流器单片集成到单个芯片上. GeneSiC的设备所具有的这些功能至关重要,使电力电子研究人员能够开发下一代电力电子系统,例如逆变器和DC-DC转换器. 这将允许电动汽车内的产品开发, 充电基础设施, 可再生能源和储能行业. GeneSiC已预订了多个客户的订单,以演示使用这些设备的先进功率电子硬件,并继续开发其碳化硅MOSFET产品系列. R&通过美国部开发了用于电源转换应用的早期版本D. 能源与桑迪亚国家实验室的合作.

R举办的年度技术竞赛&《 D杂志》评估了多家公司和行业参与者的作品, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究领域的重要性.

根据R&D杂志, 赢得R&d 100 奖项提供了业界知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是本年度最具创新性的想法之一. 该奖项肯定了GeneSiC在创造基于技术的产品方面的全球领导者,这些产品对我们的工作和生活产生了影响.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者,并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力,为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息,请致电 GeneSiC,网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.