高压组件受益于这些低电容整流器，在隔离封装中提供与温度无关的零反向恢复电流
小偷河瀑布/杜勒斯, 弗吉尼亚。, 可能 28, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体宣布立即可用 3300 V/0.3 安培 SiC 肖特基整流器 – GAP3SLT33-220FP. 这种独特的产品代表了市场上电压最高的 SiC 整流器, 并且专门针对用于各种 X 射线的电压倍增器电路和高压组件, 免反向恢复.
现代电压倍增器电路存在电路效率低和尺寸大的问题，因为硅整流器的反向恢复电流会使并联电容器放电. 在较高的整流器结温, 免反向恢复. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易上升. 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变高压组件. GeneSiC 3300 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件. 单个器件中的这种相对较高的电压允许减少典型高压发生器电路所需的电压倍增级, 通过使用更高的交流输入电压. 接近理想的开关特性允许消除/大幅减少电压平衡网络和缓冲电路. TO-220 Full Pack 包覆成型隔离封装具有行业标准的外形尺寸，并在通孔组件中增加了引脚间距.
“该产品来自 GeneSiC 多年的持续努力. 我们相信 3300 V 额定值是高压发电机市场的关键差异化因素, 并将为我们的客户带来显着利益. GeneSiC 的低 VF, 低电容 SiC 肖特基整流器使这款突破性产品成为可能” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.
3300 V/0.3 A SiC 整流器技术亮点
- 通态下降 1.7 伏在 0.3 一个
- VF 上的正温度系数
- 吨最大 = 175○C
- 电容充电 52 数控 (典型的).
所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, 符合 RoHS 的行业标准 TO-220FP (全包) “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得, 数码钥匙.
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流器产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC 已从美国政府机构获得多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, DTRA, 和国土安全部, 以及主要的政府总承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
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