高压电路和组件受益于提供前所未有的额定电压和超高速开关的 SiC 芯片
杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十一月 7, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体宣布立即可用 8000 V SiC PiN 整流器; 8000 V SiC 肖特基整流器, 3300 V SiC 肖特基整流器和 6500 V 裸片形式的 SiC 晶闸管. 这些独特的产品代表了市场上最高电压的 SiC 器件, 专门针对石油和天然气仪表, 电压倍增器电路和高压组件.
当代超高压电路存在电路效率低和尺寸大的问题，因为硅整流器的反向恢复电流会对并联的电容器放电. 在较高的整流器结温, 这种情况会进一步恶化，因为硅整流器中的反向恢复电流会随着温度的升高而增加. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易上升. 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变高压组件. GeneSiC 8000 V 和 3300 V 肖特基整流器具有不随温度变化的零反向恢复电流. 单个器件中的这种相对较高的电压允许减少典型高压发生器电路所需的电压倍增级, 通过使用更高的交流输入电压. 接近理想的开关特性允许消除/大幅减少电压平衡网络和缓冲电路. 8000 V PiN 整流器提供更高的电流水平和更高的工作温度. 6500 V SiC 晶闸管芯片也可用于加速 R&D 新系统.
“这些产品展示了 GeneSiC 在多 kV 等级 SiC 芯片开发方面的强大领先优势. 我们相信 8000 V 额定值超出了硅器件在额定温度下所能提供的, 并将为我们的客户带来显着利益. GeneSiC 的低 VF, 低电容 SiC 整流器和晶闸管将实现以前无法实现的系统级优势” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.
8000 V/2 A SiC 裸片 PiN 整流器技术亮点
- 吨最大 = 210○C
- 反向漏电流 < 50 uA 在 175○C
- 反向恢复费用 558 数控 (典型的).
8000 V/50 mA SiC 裸片肖特基整流器技术亮点
- 总电容 25 pF (典型的, 在 -1 V, 25○C).
- VF 上的正温度系数
- 吨最大 = 175○C
6500 V SiC 晶闸管裸片技术亮点
- 三种供品—— 80 安培 (GA080TH65-CAU); 60 安培 (GA060TH65-关闭); 和 40 安培 (GA040TH65-CAU)
- 吨最大 = 200○C
3300 V/0.3 A SiC 裸片整流器技术亮点
- 通态下降 1.7 伏在 0.3 一个
- VF 上的正温度系数
- 吨最大 = 175○C
- 电容充电 52 数控 (典型的).
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流器产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC 已从美国政府机构获得多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, DTRA, 和国土安全部, 以及主要的政府总承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
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