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GeneSiC的G3R™SiC MOSFET在高压开关方面具有行业领先的性能，可利用前所未有的效率水平, 高温运行和系统可靠性.
特征:
- G3R™技术 +15 V门驱动
- 上级QG 设DS(上) 功绩图
- 低栅极电荷和器件电容
- 高温下的低传导损耗
- 出色的雪崩和短路强度
- 常关稳定工作温度高达175°C
- 快速可靠的人体二极管
- 通过开尔文源连接优化包装
好处:
- 卓越的性价比指数
- 紧凑型系统提高了功率密度
- 低内部RG 用于高开关频率操作
- 减少损耗，提高系统效率
- 最小的门铃
- 改进的热能力
- 易于驾驶
- 轻松并联而不会发生热失控
应用领域:
- 电动汽车–动力总成和充电
- 太阳能逆变器和储能
- 智能电网和高压直流
- 马达驱动
- 高压DC-DC和AC-DC转换器
- 感应加热和焊接
- 开关电源
- 脉冲功率应用
750V SiC MOSFET
| 抵抗, 电阻DS(上) | 裸芯片 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 米Ω | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 米Ω | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 米Ω | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| 抵抗, 电阻DS(上) | 裸芯片 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 米Ω | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 米Ω | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 米Ω | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 米Ω | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 米Ω | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 米Ω | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 米Ω | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 米Ω | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| 抵抗, 电阻DS(上) | 裸芯片 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 米Ω | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 米Ω | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 米Ω | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 米Ω | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 米Ω | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| 抵抗, 电阻DS(上) | 裸芯片 | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 米Ω | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 米Ω | G2R120MT33J | ||
| 1000 米Ω | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| 抵抗, 电阻DS(上) | 裸芯片 |
|---|---|
|
|
| 300 米Ω | G2R300MT65-CAL |
| 325 米Ω | G2R325MS65-CAL |
