杜勒斯, VA, 十一月 12, 2008 – 美国能源部已授予GeneSiC半导体两项单独的赠款，总额为150万美元，用于开发高压碳化硅 (碳化硅) 将成为风能关键推动力的设备- 和太阳能与国家电网的整合.
“这些奖项证明了能源部对GeneSiC能力的信心, 以及对替代能源解决方案的承诺,”博士说. 类别, GeneSiC总裁. “综合, 高效的电网对国家的能源未来至关重要。我们正在开发的SiC器件对于克服传统硅技术的低效率至关重要。”
第一个奖项是75万美元的第二阶段SBIR赠款，用于快速开发, 超高压SiC双极器件. 第二个是75万美元的II期STTR赠款，用于开发光控大功率SiC开关.
碳化硅是下一代半导体材料，能够处理10倍于硅的电压和100倍于硅的电流, 使其非常适合大功率应用，例如可再生能源 (风能和太阳能) 设施和电网控制系统.
特别, 这两个奖项是为了:
- 高频的发展, 千伏SiC栅极截止 (GTO) 电力设备. 政府和商业应用包括船舶动力管理和调节系统, 公用事业, 和医学成像.
- 光控高压的设计与制造, 大功率SiC开关器件. 对于受到电磁干扰困扰的环境，使用光纤开关电源是理想的解决方案 (电磁干扰), 和需要超高压的应用.
GeneSiC正在开发的SiC器件可用于各种储能, 电网, 和军事应用, 随着世界关注更高效，更具成本效益的能源管理解决方案，这些解决方案正受到越来越多的关注.
驻华盛顿以外, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 场效应晶体管 (场效应管) 和双极设备, 以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC拥有来自美国主要政府机构的主要/分包合同, 包括能源部, 海军, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访 www.genesicsemi.com.
