杜勒斯, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 将提供前所未有的性能水平, 超越同类产品的坚固性和质量. 系统优势包括工作温度下的低通态下降, 更快的切换速度, 功率密度增加, 最小振铃 (低电磁干扰) 紧凑的系统尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 经过优化，可在所有工作条件和超快开关速度下以最低功耗运行. 与当代 SiC MOSFET 相比，这些器件具有明显更好的性能水平.
“高效能源使用已成为下一代功率转换器的关键交付物，而 SiC 功率器件继续成为推动这场革命的关键组件. 经过多年的开发工作，以实现最低的导通电阻和稳健的短路和雪崩性能, 我们很高兴发布业界性能最佳的 750V 碳化硅 MOSFET. 我们的 G3R™ 使电力电子设计师能够满足具有挑战性的效率, 太阳能逆变器等应用中的功率密度和质量目标, EV 车载充电器和服务器/电信电源. 有保证的质量, 由快速周转和汽车合格的大批量制造支持，进一步增强了他们的价值主张. ” 博士说. 类别, GeneSiC Semiconductor总裁.
特征 –
- 业界最低的栅极电荷 (问G) 和内部栅极电阻 (RG(情报局))
- 最低 RDS(上) 随温度变化
- 低输出电容 (C我们) 和米勒电容 (C广东)
- 100% 雪崩 (UIL) 生产过程中经过测试
- 行业领先的短路耐受能力
- 具有低 V 的快速可靠的体二极管F 和低 QRR
- 高且稳定的栅极阈值电压 (VTH) 跨越所有温度和漏极偏压条件
- 具有更低热阻和更低振铃的先进封装技术
- R的制造均匀性DS(上), VTH 和击穿电压 (BV)
- 全面的产品组合和更安全的供应链，符合汽车标准的大批量制造
应用领域 –
- 太阳的 (光伏) 逆变器
- 电动汽车 / HEV车载充电器
- 服务器 & 电信电源
- 不间断电源 (UPS)
- DC-DC转换器
- 开关电源 (开关电源)
- 储能和电池充电
- 感应加热
GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽车应用 (AEC-q101) 和PPAP功能.
G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&贸易碳化硅MOSFET
G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&贸易碳化硅MOSFET
G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&贸易碳化硅MOSFET
有关数据表和其他资源, 访问 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 或联系 sales@genesicsemi.com
所有设备均可通过授权分销商购买 – www.genesicsemi.com/sales-support
关于 GeneSiC 半导体, 公司.
GeneSiC Semiconductor是碳化硅技术的先驱和全球领导者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率. GeneSiC的电子组件运行温度更低, 快点, 并且更经济, 并在各种高功率系统的节能中发挥关键作用. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场超过 $1 亿 2022. 我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.
