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肖特基MPS
使用碳化硅半绝缘探测器进行快速中子探测
4H-SiC PiN二极管中载流子复合寿命与正向压降的相关性
混合 Si-IGBT/SiC 整流器组合包和 SiC JBS 整流器
12.9 具有低导通压降和高载流子寿命的 kV SiC PiN 二极管
15
kV SiC PiN diodes achieve
95%
of avalanche limit and stable long-term operation
全碳化硅结晶体管 - 二极管提供 4 带引线的迷你模块
AN-2 1200 V SiC JBS 二极管具有超低容性反向恢复电荷,适用于快速开关应用
AN1001 碳化硅功率二极管可靠性
AN1003 SPICE 模型使用说明
GeneSiC行业领先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先锋
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