新物理让晶闸管达到更高的水平
杜勒斯, VA, 八月 30, 2011 – 新物理学让晶闸管更上一层楼电网借助电子设备提供可靠电力,确保平稳, 可靠的…
GeneSiC赢得久负盛名的R&皮卡汀尼阿森纳
杜勒斯, VA, 七月 14, 2011 — 电阻&D Magazine选择了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作为享有盛誉的接受者 2011 电阻&d 100 商业化奖…
GeneSiC半导体获选在展示技术 2011 ARPA-E能源创新峰会
杜勒斯, VA, 二月 28, 2011 – GeneSiC半导体很高兴在ARPA-E能源创新峰会上宣布其入选著名技术展的选择, 由教务处联合主办…
GeneSiC 赢得 NASA 的电源管理项目,以支持未来的金星探索任务
杜勒斯, VA, 十二月 14, 2010 – GeneSiC 半导体公司, 新型碳化硅的关键创新者 (碳化硅) 高温设备, 大功率, 和超高压应用, 宣布选择…
多kHz, 向美国研究人员取样的超高压碳化硅晶闸管
杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –在同类产品中的第一个, GeneSiC Semiconductor 宣布推出用于电力的 6.5kV SCR 模式碳化硅晶闸管系列…