多kHz, 向美国研究人员取样的超高压碳化硅晶闸管
杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –在同类产品中的第一个, GeneSiC Semiconductor 宣布推出用于电力的 6.5kV SCR 模式碳化硅晶闸管系列…
GeneSiC从ARPA-E赢得253万美元，用于开发基于碳化硅晶闸管的器件
杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 – 高级研究计划署 – 能源 (阿帕) 已与 GeneSiC Semiconductor 领导的团队达成合作协议，以开发新型…
可再生能源推动力使GeneSiC Semiconductor获美国能源部150万美元资助
杜勒斯, VA, 十一月 12, 2008 – 美国能源部已授予GeneSiC半导体两项单独的赠款，总额为150万美元，用于开发高压碳化硅 (碳化硅) 设备…
GeneSiC半导体获得美国能源部SBIR和STTR多项资助
杜勒斯, VA, 十月 23, 2007 — GeneSiC半导体公司, 迅速崛起的高温创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 宣布已获得三项殊荣…
