杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –在同类产品中的第一个, GeneSiC Semiconductor宣布推出一系列6.5kV SCR模式碳化硅晶闸管，用于智能电网应用的电力电子. 这些功率设备的革命性性能优势有望刺激公用事业规模的功率电子硬件的关键创新，以增加分布式能源的可及性和开发 (的). “到现在, 多kV碳化硅 (碳化硅) 美国研究人员尚未公开使用这些功率器件来充分利用SiC功率器件的众所周知的优势，即在5-15kV额定值下具有2-10kHz的工作频率。”评论了博士. 类别, GeneSiC总裁. “ GeneSiC最近完成了许多6.5kV / 40A的交付, 6.5kV / 60A和6.5kV / 80A晶闸管，面向进行可再生能源研究的多个客户, 陆军和海军系统的应用. 具有这些额定值的SiC器件现在正在被更广泛地提供。”
基于碳化硅的晶闸管可提供10倍的更高电压, 100与传统的硅基晶闸管相比，X的开关频率更快，工作温度更高. 这些设备的目标应用研究机会包括通用中压功率转换 (直流输电), 并网太阳能逆变器, 风电逆变器, 脉冲功率, 武器系统, 点火控制, 和触发控制. 现在已经公认超高压 (>10千伏) 碳化硅 (碳化硅) 设备技术将在下一代公用电网中发挥革命性作用. 基于晶闸管的SiC器件可为以下器件提供最高的通态性能 >5 kV设备, 并广泛适用于中压功率转换电路，例如故障电流限制器, AC-DC转换器, 静态无功补偿器和串联补偿器. 基于碳化硅的晶闸管与常规电网元件相似，因此也提供了尽早采用的最佳机会. 部署这些先进的功率半导体技术可以提供 25-30 通过提高电力输送效率来减少用电量的百分比.
博士. Singh继续说道：“在电力转换领域的研究人员将充分意识到SiC晶闸管的优势之后，预计固态变电站和风力涡轮发电机的大规模市场将打开。. 这些第一代 SiC 晶闸管利用了 SiC 晶闸管所实现的最低通态压降和差分导通电阻. 我们打算发布针对栅极控制的关断能力和 >10千伏额定值. 随着我们不断开发高温超高压封装解决方案, 目前的 6.5kV 晶闸管采用完全焊接触点的模块封装, 限制在150oC的结温。” GeneSiC是SiC功率器件领域中快速崛起的创新者，对碳化硅的发展有着坚定的承诺 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件.
位于华盛顿附近, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 超级结晶体管 (SJT) 以及各种基于晶闸管的器件. GeneSiC已经或已经与美国主要政府机构签订了主要/分包合同, 包括能源部, 海军, 军队, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访 www.genesicsemi.com.
