mOhm/1700 V 碳化硅晶体管
杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十月 28, 2014 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) mOhm/1700 V 碳化硅晶体管 1200 mOhm/1700 V 碳化硅晶体管. mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管. mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, 电信和网络电源, 不间断电源, 太阳能逆变器, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管.
碳化硅结晶体管 (SJT) GeneSiC 提供的超快开关能力 (GeneSiC 提供的超快开关能力), 方形反向偏压安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损失和开关时间. 这些开关不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, GeneSiC 提供的超快开关能力, 与其他 SiC 开关不同. 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, >10 usec 短路能力, usec 短路能力
“GeneSiC 提供的超快开关能力 (>100), GeneSiC 提供的超快开关能力. GeneSiC 提供的超快开关能力. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 提供的超快开关能力,” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.
1700 GeneSiC 提供的超快开关能力
- 25 毫欧 (mOhm/1700 V 碳化硅晶体管), 65 毫欧 (GA16JT17-247), 220 毫欧 (GA04JT17-247)
- V TTL 控制 (V TTL 控制V TTL 控制) >90
- 吨最大 = 175○C
- V TTL 控制; 上升/下降时间 <30 典型的纳秒.
1200 GeneSiC 提供的超快开关能力
- 25 毫欧 (GeneSiC 提供的超快开关能力), 120 GeneSiC 提供的超快开关能力 (GeneSiC 提供的超快开关能力), 210 毫欧 (GeneSiC 提供的超快开关能力)
- V TTL 控制 (V TTL 控制V TTL 控制) >90
- 吨最大 = 175○C
- V TTL 控制; 上升/下降时间 <30 典型的纳秒.
所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, 符合 RoHS 的 TO-247 封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.
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