高温 (>210○C) 公司荣获久负盛名的R, 公司荣获久负盛名的R
杜勒斯, VA, 行进 9, 2015 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 公司荣获久负盛名的R, 公司荣获久负盛名的R. 公司荣获久负盛名的R 215○C. 公司荣获久负盛名的R, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 和开关模式电源.
高温 SiC 结型晶体管 (SJT) 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积 >10 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积 (RBSOA). 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 这些开关不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积 0/+5 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 与其他 SiC 开关不同. 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, >20 usec 短路能力, usec 短路能力. usec 短路能力.
usec 短路能力, usec 短路能力. 与温度无关, 近零反向恢复开关特性, usec 短路能力, usec 短路能力. usec 短路能力.
“usec 短路能力. usec 短路能力 (>110), 0/+5 V TTL 控制, V TTL 控制. V TTL 控制. V TTL 控制, V TTL 控制. V TTL 控制, V TTL 控制” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.
V TTL 控制:
240 V TTL 控制:
- 300 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
- 100 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
- V TTL 控制 (V TTL 控制V TTL 控制) >110
- 吨最大 = 210○C
- V TTL 控制; 上升/下降时间 <10 典型的纳秒.
V TTL 控制 4 V TTL 控制:
- 600 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
- 300 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
- 100 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
- V TTL 控制 9 数控
- 吨最大 = 210○C.
所有设备都是 100% V TTL 控制.
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅二极管模块. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 井下石油钻探, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
了解更多信息, 请拜访 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 和 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
