类别: 消息

坚固耐用的共同封装的 SiC 晶体管-二极管组合, 孤立, 4-含铅, 微型模块封装可降低开启能量损失，并为高频电源转换器实现灵活的电路设计

杜勒斯, VA, 可能 13, 2015 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即可用 20 mOhm-1200 V SiC 结型晶体管二极管, 4-含铅迷你模块封装，可实现极低的开启能量损失，同时提供灵活的, 高频功率转换器的模块化设计. 使用高频, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高工作频率下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 这些器件适用于包括感应加热器在内的各种应用, 等离子发生器, 快速充电器, DC-DC转换器, 和开关模式电源.

共同封装的 SiC 结型晶体管 (SJT)-GeneSiC 提供的 SiC 整流器独特地适用于感应开关应用，因为 SJT 是唯一的宽带隙开关产品 >10 微秒重复短路能力, 即使在 80% 额定电压 (例如. 960 V 为 1200 V装置). 除了低于 10 纳秒的上升/下降时间和方形反向偏置安全操作区 (RBSOA), 新配置中的 Gate Return 端子显着提高了降低开关能量的能力. 这些新型产品提供与结温无关的瞬态能量损耗和开关时间. GeneSiC 的 SiC 结型晶体管不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够在低栅极电压下被驱动, 与其他 SiC 开关不同.
这些微型模块中使用的 SiC 肖特基整流器显示出低通态压降, 在高温下具有良好的浪涌电流额定值和业界最低的泄漏电流. 与温度无关, 近零反向恢复开关特性, SiC 肖特基整流器是用于高效电路的理想选择.
“GeneSiC 的 SiC 晶体管和整流器产品旨在实现低通态和开关损耗. 将这些技术结合在一个创新的封装中，有望在需要基于宽带隙的器件的电源电路中实现出色的性能. 迷你模块封装提供了极大的设计灵活性，可用于各种电源电路，如 H 桥, 反激式和多电平逆变器” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.
今天发布的产品包括
20 mOhm/1200 V SiC 结型晶体管/整流器组合 (GA50SICP12-227):
• 隔离 SOT-227/mini-block/Isotop 封装
• 晶体管电流增益 (氢氟酸) >100
• Tjmax = 175oC (受包装限制)
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <10 典型的纳秒.

所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值. 这些设备可立即从 GeneSiC 的 授权经销商.

了解更多信息, 请拜访: https://192.168.88.14/商业-sic/sic-modules-copack/

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅二极管模块. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 井下石油钻探, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

高温 (>210^○C) 公司荣获久负盛名的R, 公司荣获久负盛名的R

杜勒斯, VA, 行进 9, 2015 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 公司荣获久负盛名的R, 公司荣获久负盛名的R. 公司荣获久负盛名的R 215^○C. 公司荣获久负盛名的R, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 和开关模式电源.

高温 SiC 结型晶体管 (SJT) 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积 >10 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积 (RBSOA). 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 这些开关不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积 0/+5 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, 与其他 SiC 开关不同. 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, >20 usec 短路能力, usec 短路能力. usec 短路能力.

usec 短路能力, usec 短路能力. 与温度无关, 近零反向恢复开关特性, usec 短路能力, usec 短路能力. usec 短路能力.

“usec 短路能力. usec 短路能力 (>110), 0/+5 V TTL 控制, V TTL 控制. V TTL 控制. V TTL 控制, V TTL 控制. V TTL 控制, V TTL 控制” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.

V TTL 控制:

240 V TTL 控制:

• 300 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
• 100 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
• V TTL 控制 (V TTL 控制_{V TTL 控制}) >110
• 吨_最大 = 210^○C
• V TTL 控制; 上升/下降时间 <10 典型的纳秒.

V TTL 控制 4 V TTL 控制:

• 600 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
• 300 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
• 100 V TTL 控制. 零件号 V TTL 控制
• V TTL 控制 9 数控
• 吨_最大 = 210^○C.

所有设备都是 100% V TTL 控制.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅二极管模块. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 井下石油钻探, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

了解更多信息, 请拜访 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 和 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

栅极驱动板针对高开关速度和基于行为的模型进行了优化，使电力电子设计工程师能够验证和量化 SJT 在板级评估和电路仿真中的优势

杜勒斯, 弗吉尼亚州, 十一月 19, 2014 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出栅极驱动器评估板，并扩大了对业界最低损耗开关——SiC 结型晶体管的设计支持 (SJT) – 具有完全合格的 LTSPICE IV 模型. 使用新的栅极驱动板, 电源转换电路设计人员可以验证低于 15 纳秒的优势, SiC 结型晶体管的温度无关开关特性, 驱动器功率损耗低. 结合新的 SPICE 模型, 电路设计人员可以轻松评估 GeneSiC 的 SJT 在实现比传统硅功率开关器件更高水平的效率方面的优势.

SiC 结型晶体管与其他 SiC 晶体管技术具有显着不同的特性, 以及硅晶体管. 需要能够提供低功率损耗同时仍提供高开关速度的栅极驱动器板，以提供驱动解决方案以利用 SiC 结型晶体管的优势. GeneSiC 完全隔离 GA03IDDJT30-FR4 栅极驱动板采用 0/12V 和 TTL 信号，以优化调节所需的电压/电流波形，以提供较小的上升/下降时间, 同时仍然最小化在导通状态期间保持常关 SJT 导通的连续电流要求. 引脚配置和外形尺寸与其他 SiC 晶体管保持相似. GeneSiC 还向最终用户发布了 Gerber 文件和 BOM，使他们能够整合已实现的驱动器设计创新的好处.

SJT 提供良好的通态和开关特性, 使创建基于行为的 SPICE 模型变得容易，这些模型也与基于物理的基础模型非常吻合. 使用成熟且易于理解的基于物理的模型, SPICE 参数是在对设备行为进行广泛测试后发布的. GeneSiC 的 SPICE 模型与所有器件数据表上的实验测量数据进行了比较，适用于所有 1200 V 和 1700 V SiC 结型晶体管发布.
GeneSiC 的 SJT 能够提供超过 15 比基于 IGBT 的解决方案高出数倍. 它们更高的开关频率可以实现更小的磁性和电容元件, 从而缩小整体尺寸, 电力电子系统的重量和成本.

这种 SiC 结型晶体管 SPICE 模型增加了 GeneSiC 的全套设计支持工具, 技术文档, 和可靠性信息，为电力电子工程师提供在下一代电力系统中实施 GeneSiC 全面的 SiC 结型晶体管和整流器系列所需的设计资源.

GeneSiC 的栅极驱动板数据表和 SJT SPICE 模型可从以下网址下载 https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

mOhm/1700 V 碳化硅晶体管

杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十月 28, 2014 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) mOhm/1700 V 碳化硅晶体管 1200 mOhm/1700 V 碳化硅晶体管. mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管. mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, 电信和网络电源, 不间断电源, 太阳能逆变器, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管, mOhm/1700 V 碳化硅晶体管.

碳化硅结晶体管 (SJT) GeneSiC 提供的超快开关能力 (GeneSiC 提供的超快开关能力), 方形反向偏压安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损失和开关时间. 这些开关不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, GeneSiC 提供的超快开关能力, 与其他 SiC 开关不同. 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积, >10 usec 短路能力, usec 短路能力

“GeneSiC 提供的超快开关能力 (>100), GeneSiC 提供的超快开关能力. GeneSiC 提供的超快开关能力. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 提供的超快开关能力,” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.

1700 GeneSiC 提供的超快开关能力

• 25 毫欧 (mOhm/1700 V 碳化硅晶体管), 65 毫欧 (GA16JT17-247), 220 毫欧 (GA04JT17-247)
• V TTL 控制 (V TTL 控制_{V TTL 控制}) >90
• 吨_最大 = 175^○C
• V TTL 控制; 上升/下降时间 <30 典型的纳秒.

1200 GeneSiC 提供的超快开关能力

• 25 毫欧 (GeneSiC 提供的超快开关能力), 120 GeneSiC 提供的超快开关能力 (GeneSiC 提供的超快开关能力), 210 毫欧 (GeneSiC 提供的超快开关能力)
• V TTL 控制 (V TTL 控制_{V TTL 控制}) >90
• 吨_最大 = 175^○C
• V TTL 控制; 上升/下降时间 <30 典型的纳秒.

所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, 符合 RoHS 的 TO-247 封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.

了解更多信息, 请访问 https://192.168.88.14/GeneSiC 提供的超快开关能力

GeneSiC的SiC晶体管和整流器为实现该目标提供了显着的优势。 小盒子挑战

最先进的. 碳化硅功率晶体管 & 整流器. 可用的. 现在!

GeneSiC目前在全球范围内可从顶级分销商处获得广泛的产品组合

裸芯片 形式的SiC器件可直接从工厂购买 (请填写下面的表格)

离散的 SJT 和 整流器 商业温度等级 (175°C)

离散的 赛特和 HiT整流器 在高温下 (最高250°C)

GeneSiC提供最广泛的SiC产品–包装产品和裸片形式，以提供更大的设计灵活性和创新性. GeneSiC通过引入新的产品不断努力保持领先地位, 创新产品. 如果找不到您今天要寻找的确切产品, 您可能会在不久的将来看到它.

通过兼容的行业标准封装实现的 SiC 晶体管的高温承诺将极大地增强井下和航空航天执行器和电源

杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十二月 10, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布通过其分销商和直接提供高温封装的家庭 600 V 碳化硅结晶体管 (SJT) 在里面 3-50 JEDEC 行业标准通孔和表面贴装封装中的安培电流额定值. 结合这些高温, 低导通电阻, 密封封装中的高频 SiC 晶体管, 高温焊料和封装将提高转换效率并减少高温功率转换应用的尺寸/重量/体积.

当代高温电源, 用于石油/天然气/井下和航空航天应用的电机控制和执行器电路缺乏可行的高温碳化硅解决方案. 硅晶体管具有电路效率低和尺寸大的问题，因为它们具有高泄漏电流和低开关特性差的问题. 在更高的结温下，这两个参数都变得更糟. 具有热约束环境, 即使通过适度的电流，结温也很容易上升. 密封封装的 SiC 晶体管提供独特的特性，有望彻底改变井下和航空航天应用的能力. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC 结晶体管具有接近零的开关时间，不随温度变化. 即使通过适度的电流，结温也很容易升高 210^○C 结温额定器件为在极端环境下运行的应用提供相对较大的温度裕度.

GeneSiC 提供的结型晶体管具有超快的开关能力, 方形反向偏压安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损失和开关时间. 这些开关不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够由商业驱动, 普遍可用 15 V IGBT 栅极驱动器, 与其他 SiC 开关不同. 同时提供与 SiC JFET 驱动器的兼容性, 由于瞬态特性匹配，SiC 结晶体管可以轻松并联.

“随着井下和航空航天应用设计人员不断挑战工作频率的极限, 同时仍然要求高电路效率, 他们需要能够提供性能标准的 SiC 开关, 可靠性和生产一致性. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 的 SJT 产品帮助设计人员在更强大的解决方案中实现所有这些. 这些产品是对 GeneSiC 去年发布的密封封装 SiC 整流器的补充, 以及今年早些时候发布的裸片产品, 同时为我们提供高温铺平道路, 低电感, 不久的将来电源模块 ” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.

隔离 TO-257 与 600 在 SJT 中:

• 65 毫欧/20 安培 (2N763​​9-GA); 170 毫欧/8 安培 (2N763​​7-GA); 和 425 毫欧/4 安培 (2N763​​5-GA)
• 吨_最大 = 210^○C
• V TTL 控制; 上升/下降时间 <50 典型的纳秒.
• 对应Bare Die GA20JT06-CAL (在 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (在 2N7637-GA); 和 GA05JT06-CAL (在 2N7635-GA)

非隔离 TO-258 原型封装 600 SJT

• 25 毫欧/50 安培 (GA50JT06-258样机封装)
• 吨_最大 = 210^○C
• V TTL 控制; 上升/下降时间 <50 典型的纳秒.
• 对应Bare Die GA50JT06-CAL (在 GA50JT06-258)

表面贴装 TO-276 (贴片0.5) 和 600 SJT

• 65 毫欧/20 安培 (2N7640-GA); 170 毫欧/8 安培 (2N763​​8-GA); 和 425 毫欧/4 安培 (2N763​​6-GA)
• 吨_最大 = 210^○C
• V TTL 控制; 上升/下降时间 <50 典型的纳秒.

所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并封装在密封包装中. 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. 这些设备可立即从 GeneSiC 直接和/或通过其授权经销商获得.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流器产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC 已从美国政府机构获得多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, DTRA, 和国土安全部, 以及主要的政府总承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

了解更多信息, 请拜访 https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

即使通过适度的电流，结温也很容易升高, 即使通过适度的电流，结温也很容易升高

杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十一月 19, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 即使通过适度的电流，结温也很容易升高 (即使通过适度的电流，结温也很容易升高) 即使通过适度的电流，结温也很容易升高 650 即使通过适度的电流，结温也很容易升高 3300 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. 即使通过适度的电流，结温也很容易升高, 免反向恢复, 免反向恢复. 免反向恢复, 免反向恢复.

免反向恢复. 在较高的整流器结温, 免反向恢复. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易上升. 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件. GeneSiC 650 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件; 1200 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件 3300 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件. 即使通过适度的电流，结温也很容易升高 3300 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件, 通过使用更高的交流输入电压. 接近理想的开关特性允许消除/大幅减少电压平衡网络和缓冲电路. 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件 (高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件) 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件.

“这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力. “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力, 并将为我们的客户带来显着利益. GeneSiC 的低 VF, “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.

1200 “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 (GB02SLT12-214) “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力

• “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 1.5 V
• 吨_最大 = 175^○C
• “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 14 数控.

3300 “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 (GAP3SLT33-214) “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力

• “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 1.7 V
• 吨_最大 = 175^○C
• “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 52 数控.

650 “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 (GB01SLT06-214) “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力

• “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 1.5 V
• 吨_最大 = 175^○C
• “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 7 数控.

所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力 (高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件) “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力. 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流器产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC 已从美国政府机构获得多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, DTRA, 和国土安全部, 以及主要的政府总承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

了解更多信息, 请访问 https://192.168.88.14/“这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力

高压组件受益于这些低电容整流器，在隔离封装中提供与温度无关的零反向恢复电流

小偷河瀑布/杜勒斯, 弗吉尼亚。, 可能 28, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体宣布立即可用 3300 V/0.3 安培 SiC 肖特基整流器 – GAP3SLT33-220FP. 这种独特的产品代表了市场上电压最高的 SiC 整流器, 并且专门针对用于各种 X 射线的电压倍增器电路和高压组件, 免反向恢复.

现代电压倍增器电路存在电路效率低和尺寸大的问题，因为硅整流器的反向恢复电流会使并联电容器放电. 在较高的整流器结温, 免反向恢复. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易上升. 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变高压组件. GeneSiC 3300 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件. 单个器件中的这种相对较高的电压允许减少典型高压发生器电路所需的电压倍增级, 通过使用更高的交流输入电压. 接近理想的开关特性允许消除/大幅减少电压平衡网络和缓冲电路. TO-220 Full Pack 包覆成型隔离封装具有行业标准的外形尺寸，并在通孔组件中增加了引脚间距.

“该产品来自 GeneSiC 多年的持续努力. 我们相信 3300 V 额定值是高压发电机市场的关键差异化因素, 并将为我们的客户带来显着利益. GeneSiC 的低 VF, 低电容 SiC 肖特基整流器使这款突破性产品成为可能” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.

3300 V/0.3 A SiC 整流器技术亮点

• 通态下降 1.7 伏在 0.3 一个
• VF 上的正温度系数
• 吨_最大 = 175^○C
• 电容充电 52 数控 (典型的).

所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, 符合 RoHS 的行业标准 TO-220FP (全包) “这些产品来自 GeneSiC 多年来为提供引人注目的器件和封装而进行的持续开发努力. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得, 数码钥匙.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流器产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC 已从美国政府机构获得多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, DTRA, 和国土安全部, 以及主要的政府总承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

了解更多信息, 请访问 www.genesicsemi.com

高压电路和组件受益于提供前所未有的额定电压和超高速开关的 SiC 芯片

杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十一月 7, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体宣布立即可用 8000 V SiC PiN 整流器; 8000 V SiC 肖特基整流器, 3300 V SiC 肖特基整流器和 6500 V 裸片形式的 SiC 晶闸管. 这些独特的产品代表了市场上最高电压的 SiC 器件, 专门针对石油和天然气仪表, 电压倍增器电路和高压组件.

当代超高压电路存在电路效率低和尺寸大的问题，因为硅整流器的反向恢复电流会对并联的电容器放电. 在较高的整流器结温, 这种情况会进一步恶化，因为硅整流器中的反向恢复电流会随着温度的升高而增加. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易上升. 高压 SiC 整流器具有独特的特性，有望彻底改变高压组件. GeneSiC 8000 V 和 3300 V 肖特基整流器具有不随温度变化的零反向恢复电流. 单个器件中的这种相对较高的电压允许减少典型高压发生器电路所需的电压倍增级, 通过使用更高的交流输入电压. 接近理想的开关特性允许消除/大幅减少电压平衡网络和缓冲电路. 8000 V PiN 整流器提供更高的电流水平和更高的工作温度. 6500 V SiC 晶闸管芯片也可用于加速 R&D 新系统.

“这些产品展示了 GeneSiC 在多 kV 等级 SiC 芯片开发方面的强大领先优势. 我们相信 8000 V 额定值超出了硅器件在额定温度下所能提供的, 并将为我们的客户带来显着利益. GeneSiC 的低 VF, 低电容 SiC 整流器和晶闸管将实现以前无法实现的系统级优势” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.

8000 V/2 A SiC 裸片 PiN 整流器技术亮点

• 吨_最大 = 210^○C
• 反向漏电流 < 50 uA 在 175^○C
• 反向恢复费用 558 数控 (典型的).

8000 V/50 mA SiC 裸片肖特基整流器技术亮点

• 总电容 25 pF (典型的, 在 -1 V, 25^○C).
• VF 上的正温度系数
• 吨_最大 = 175^○C

6500 V SiC 晶闸管裸片技术亮点

• 三种供品—— 80 安培 (GA080TH65-CAU); 60 安培 (GA060TH65-关闭); 和 40 安培 (GA040TH65-CAU)
• 吨_最大 = 200^○C

3300 V/0.3 A SiC 裸片整流器技术亮点

• 通态下降 1.7 伏在 0.3 一个
• VF 上的正温度系数
• 吨_最大 = 175^○C
• 电容充电 52 数控 (典型的).

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流器产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC 已从美国政府机构获得多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, DTRA, 和国土安全部, 以及主要的政府总承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

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