发表于

GeneSiC 的混合 SiC 肖特基整流器/Si IGBT 模块可实现 175°C 的操作

杜勒斯, VA, 行进 5, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体公司今天宣布其第二代混合微型模块采用 1200 带坚固硅IGBT的V / 100安培SiC肖特基整流器– GB100XCP12-227. 该产品发布时的性能价格点使许多功率转换应用都可以从降低成本/尺寸/重量/体积的优势中受益，而降低的成本/尺寸/重量/体积是Silicon IGBT / Silicon Rectifier解决方案都不, 纯SiC模块也无法提供. 这些设备旨在用于包括工业电动机在内的各种应用, 太阳能逆变器, 专用设备和电网应用.

SiC肖特基/ Si IGBT微型模块 (联合包装) GeneSiC提供的Si IGBT具有导通压降的正温度系数, 坚固的穿通设计, 高温运行和快速开关特性，可通过商用驱动, 普遍可用 15 V IGBT 栅极驱动器. 这些共装模块中使用的SiC整流器允许极低的电感封装, 低通态压降且无反向恢复. SOT-227封装提供隔离式底板, 12mm薄型设计，可以非常灵活地用作独立电路元件, 大电流并联配置, 相脚 (两个模块), 或作为斩波电路元件.

“自该产品首次提供以来，我们一直在倾听主要客户的声音 2 几年前. 第二代 1200 V / 100 A Co-pack产品具有低电感设计，适用于高频, 高温应用. 硅二极管的不良高温和反向恢复特性严重限制了IGBT在更高温度下的使用. GeneSiC 的低 VF, 低电容SiC肖特基二极管实现了这一突破性产品” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.

1200 V / 100 A Si IGBT / SiC整流器技术亮点

  • 通态下降 1.9 伏在 100 一个
  • VF 上的正温度系数
  • Tjmax = 175°C
  • 开启能量损失 23 微焦耳 (典型的).

所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, 符合RoHS的行业标准SOT-227封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流器产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC 已从美国政府机构获得多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, DTRA, 和国土安全部, 以及主要的政府总承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

发表于

GeneSiC 推出碳化硅结型晶体管

杜勒斯, VA, 二月 25, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出一系列 1700V 和 1200 V 碳化硅结晶体管. 结合高压, 具有高频和高温能力的 SiC 结型晶体管将提高转换效率并减小电力电子设备的尺寸/重量/体积. 这些设备适用于各种应用，包括服务器, 电信和网络电源, 不间断电源, 太阳能逆变器, 工业电机控制系统, 和井下应用.

GeneSiC 提供的结型晶体管具有超快的开关能力, 方形反向偏压安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损失和开关时间. 这些开关不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够由商业驱动, 普遍可用 15 V IGBT 栅极驱动器, 与其他 SiC 开关不同. 同时提供与 SiC JFET 驱动器的兼容性, 结型晶体管可以很容易地并联，因为它们具有匹配的瞬态特性.

“随着电源系统设计人员不断突破工作频率的极限, 同时仍然要求高电路效率, 需要能够提供性能和生产一致性标准的 SiC 开关. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 的晶体管产品可帮助设计人员在更强大的解决方案中实现所有这些,” 博士说. 类别 , GeneSiC半导体总裁.

1700 V 结晶体管技术亮点

  • 三种供品—— 110 毫欧 (GA16JT17-247); 250 毫欧 (GA08JT17-247); 和 500 毫欧 (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • 打开/关闭上升/下降时间 <50 典型的纳秒.

1200 V 结晶体管技术亮点

  • 两种供品—— 220 毫欧 (GA06JT12-247); 和 460 毫欧 (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • 打开/关闭上升/下降时间 <50 典型的纳秒

所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, 符合 RoHS 的 TO-247 封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.

发表于

新物理让晶闸管达到更高的水平

杜勒斯, VA, 八月 30, 2011 –新物理让晶闸管达到更高的水平

电网借助确保平稳运行的电子设备提供可靠的电力, 可靠的潮流. 到现在, 基于硅的组件已被依赖, 但他们一直无法处理智能电网的要求. 碳化硅等宽带隙材料 (碳化硅) 提供更好的选择，因为它们能够实现更高的开关速度, 更高的击穿电压, 更低的开关损耗, 和比传统硅基开关更高的结温. 第一个上市的基于 SiC 的器件是超高压碳化硅晶闸管 (碳化硅晶闸管), 由 GeneSiC Semiconductor Inc. 开发。, 杜勒斯, 弗吉尼亚州。, 在桑迪亚国家实验室的支持下, 阿尔伯克基, N.M., 美国. 能源/电力输送部, 和美国. 陆军/军备研究, 开发与工程中心, 皮卡汀尼阿森纳, 新泽西州.

开发人员为此设备采用了不同的操作物理, 它在少数载流子传输和集成的第三终端整流器上运行, 这比其他商用 SiC 器件多一个. 开发人员采用了支持上述评级的新制造技术 6,500 V, 以及用于大电流器件的新栅极阳极设计. 能够在高达的温度下工作 300 C和电流在 80 一个, SiC晶闸管提供高达 10 电压高几倍, 四倍高的阻断电压, 和 100 开关频率比硅晶闸管快几倍.

发表于

GeneSiC赢得久负盛名的R&皮卡汀尼阿森纳

杜勒斯, VA, 七月 14, 2011 — 电阻&D Magazine选择了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作为享有盛誉的接受者 2011 电阻&d 100 皮卡汀尼阿森纳.

GeneSiC半导体公司, 上周，基于碳化硅的功率器件的关键创新者宣布荣获著名的 2011 电阻&d 100 奖. 该奖项表彰GeneSiC引入了最重要的技术之一, 在此期间，多个学科之间最新引入的研发进展 2010. 电阻&D Magazine 认可 GeneSiC 的超高压 SiC 晶闸管能够实现以前从未用于电力电子演示的阻断电压和频率. 的电压额定值 >6.5千伏, 通态电流额定值 80 A 和工作频率 >5 kHz 远高于市场上之前推出的那些. GeneSiC 的晶闸管实现的这些功能使电力电子研究人员能够开发并网逆变器, 灵活的

交流输电系统 (事实) 和高压直流系统 (高压直流). 这将允许可再生能源领域的新发明和产品开发, 太阳能逆变器, 风电逆变器, 和储能行业. 博士. 类别, GeneSiC Semiconductor 总裁评论说：“预计在电力转换领域的研究人员充分认识到 SiC 晶闸管的好处后，固态变电站和风力发电机的大规模市场将打开。. 这些第一代 SiC 晶闸管利用了 SiC 晶闸管所实现的最低通态压降和差分导通电阻. 我们打算发布针对门控关断能力和脉冲功率能力优化的下一代 SiC 晶闸管，以及 >10千伏额定值. 随着我们不断开发高温超高压封装解决方案, 目前的 6.5kV 晶闸管采用完全焊接触点的模块封装, 限制在 150oC 的结温。”由于该产品于 10 月推出 2010, GeneSiC 已预订多个客户的订单，用于演示使用这些碳化硅晶闸管的先进电力电子硬件. GeneSiC 继续开发其碳化硅晶闸管产品系列. R&D 早期版本的电源转换应用是通过美国部门的 SBIR 资金支持开发的. 能量的. 更先进, 根据与 ARDEC 签订的另一份 SBIR 合同，正在开发脉冲功率优化的 SiC 晶闸管, 美国军队. 利用这些技术发展, 来自 GeneSiC 的内部投资和来自多个客户的商业订单, GeneSiC 能够将这些 UHV 晶闸管作为商业产品提供.

由R主办的第49届年度科技竞赛&《 D杂志》评估了多家公司和行业参与者的作品, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究领域的重要性.

根据R&D杂志, 赢得R&d 100 奖项提供了业界知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是本年度最具创新性的想法之一. 该奖项肯定了GeneSiC在创造基于技术的产品方面的全球领导者，这些产品对我们的工作和生活产生了影响.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.

发表于

GeneSiC半导体获选在展示技术 2011 ARPA-E能源创新峰会

杜勒斯, VA, 二月 28, 2011 – GeneSiC半导体很高兴在ARPA-E能源创新峰会上宣布其入选著名技术展的选择, 由能源部高级研究计划局–能源部共同主办 (阿帕) 和清洁技术与可持续产业组织 (ctsi). 数以百计的顶级技术专家和尖端清洁技术组织竞争参加了Showcase, 美国赢得能源未来最有前途的前景的走廊.

作为ARPA-E的选定组织之一, GeneSiC半导体将展示其碳化硅近 2,000 各国领导人齐聚一堂，推动美国在能源领域的长期竞争力, 包括顶尖研究人员, 投资人, 企业家, 企业高管和政府官员. 多于 200 ARPA-E获得者的突破性技术, 公司, 国家实验室和能源部R&活动中将展示D节目.

“此次峰会汇集了了解需要合作和合作以将下一代能源技术推向市场的组织。,” GeneSiC Semiconductor说, 总统, 博士. 类别. “将这么多能源领域的重要参与者聚集在一个屋顶下，这是一个难得的激动人心的机会，我们期待在技术展示会上与其他创新者和投资者分享我们的碳化硅功率器件。”

来自的研究和业务开发团队 14 致力于技术商业化的企业加速合作伙伴也将出席，包括陶氏化学, 博世, 应用材料和洛克希德·马丁公司.

峰会还邀请了包括美国在内的知名演讲者. 能源部长朱Steven文, ARPA-E总监Arun Majumdar, 我们. 海军部长雷蒙德·马布斯（Raymond Mabus）, 前加利福尼亚州州长阿诺德·施瓦辛格和美国银行董事长查尔斯·霍利迪.

第二届ARPA-E能源创新峰会将于2月举行 28 – 行进 2, 2011 在华盛顿郊外的盖洛德会议中心, 直流. 要了解更多信息或注册，请访问: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

关于 GeneSiC 半导体

GeneSiC半导体公司. 开发用于高温的宽带隙半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 电源开关和双极设备. GeneSiC使用独特且广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过为各种大批量市场提供高质量的产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, 军队, 美国宇航局, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防.

关于ARPA-E

先进研究计划局–能源 (阿帕) 是美国境内的新机构. 能源部–也是第一个专注于突破性能源技术的公司，该技术可以从根本上改变我们的能源使用方式. 而不是直接进行研究, ARPA-E投资高风险, 大学正在开发的高回报能源技术, 初创公司, 小企业, 和公司. 我们的员工汇集了行业领先的科学家, 工程师, 和投资主管人员，以找出有希望的解决方案来解决美国最严重的能源问题，并迅速将顶级技术推向市场，这对于确保美国在全球的技术领先地位以及创造新的美国产业和就业机会至关重要. 访问 www.arpa-e.energy.gov想要查询更多的信息.

关于CTSI

清洁技术 & 可持续产业组织 (ctsi), 501c6非营利行业协会, 代表发展中的组织, 商业化, 和实施能源, 水, 和环境技术. 清洁技术为日益增长的资源安全性和可持续性问题提供了急需的解决方案，对于保持经济竞争力至关重要. CTSI召集全球领导者进行宣传, 社区发展, 联网, 和信息共享，以帮助将这些必需的技术更快地推向市场. 访问 www.ct-si.org 想要查询更多的信息.

发表于

GeneSiC 赢得 NASA 的电源管理项目，以支持未来的金星探索任务

杜勒斯, VA, 十二月 14, 2010 – GeneSiC 半导体公司, 新型碳化硅的关键创新者 (碳化硅) 高温设备, 大功率, 和超高压应用, 宣布选择其项目“集成SiC超结晶体管晶体管器件的项目，该器件适用于在以下温度运行的大功率电机控制模块 500 oC”（美国国家航空航天局） (美国宇航局) 获得第一阶段SBIR奖. 该SBIR项目专注于单片集成SiC JBS二极管-超结晶体管的开发 (防弹少年团) 在类似金星的环境下运行的设备 (500 °C表面温度). 该程序中开发的SiC MIDSJT器件将用于构建电机控制电源模块，以直接与金星探测车集成.

“我们对NASA对我们的高温SiC器件解决方案表示的信心感到满意. 该项目将使GeneSiC通过其创新的设备和封装解决方案来开发行业领先的基于SiC的电源管理技术” 博士说. 悉达多·桑达瑞森, GeneSiC技术总监. “此程序中目标的SiC MIDSJT器件将允许在高达90°C的温度下以数字精度处理千瓦级功率 500 °C. 除了外太空应用, 这项新技术有可能彻底改变关键的航空航天和地热石油钻探硬件，这些硬件要求环境温度超过 200 °C. 当前，这些应用领域受到现代硅甚至是基于SiC的器件技术（例如JFET和MOSFET）的不良高温性能的限制” 他加了.

GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问 www.genesicsemi.com.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防.

发表于

多kHz, 向美国研究人员取样的超高压碳化硅晶闸管

杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –在同类产品中的第一个, GeneSiC Semiconductor宣布推出一系列6.5kV SCR模式碳化硅晶闸管，用于智能电网应用的电力电子. 这些功率设备的革命性性能优势有望刺激公用事业规模的功率电子硬件的关键创新，以增加分布式能源的可及性和开发 (的). “到现在, 多kV碳化硅 (碳化硅) 美国研究人员尚未公开使用这些功率器件来充分利用SiC功率器件的众所周知的优势，即在5-15kV额定值下具有2-10kHz的工作频率。”评论了博士. 类别, GeneSiC总裁. “ GeneSiC最近完成了许多6.5kV / 40A的交付, 6.5kV / 60A和6.5kV / 80A晶闸管，面向进行可再生能源研究的多个客户, 陆军和海军系统的应用. 具有这些额定值的SiC器件现在正在被更广泛地提供。”

基于碳化硅的晶闸管可提供10倍的更高电压, 100与传统的硅基晶闸管相比，X的开关频率更快，工作温度更高. 这些设备的目标应用研究机会包括通用中压功率转换 (直流输电), 并网太阳能逆变器, 风电逆变器, 脉冲功率, 武器系统, 点火控制, 和触发控制. 现在已经公认超高压 (>10千伏) 碳化硅 (碳化硅) 设备技术将在下一代公用电网中发挥革命性作用. 基于晶闸管的SiC器件可为以下器件提供最高的通态性能 >5 kV设备, 并广泛适用于中压功率转换电路，例如故障电流限制器, AC-DC转换器, 静态无功补偿器和串联补偿器. 基于碳化硅的晶闸管与常规电网元件相似，因此也提供了尽早采用的最佳机会. 部署这些先进的功率半导体技术可以提供 25-30 通过提高电力输送效率来减少用电量的百分比.

博士. Singh继续说道：“在电力转换领域的研究人员将充分意识到SiC晶闸管的优势之后，预计固态变电站和风力涡轮发电机的大规模市场将打开。. 这些第一代 SiC 晶闸管利用了 SiC 晶闸管所实现的最低通态压降和差分导通电阻. 我们打算发布针对栅极控制的关断能力和 >10千伏额定值. 随着我们不断开发高温超高压封装解决方案, 目前的 6.5kV 晶闸管采用完全焊接触点的模块封装, 限制在150oC的结温。” GeneSiC是SiC功率器件领域中快速崛起的创新者，对碳化硅的发展有着坚定的承诺 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件.

位于华盛顿附近, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 超级结晶体管 (SJT) 以及各种基于晶闸管的器件. GeneSiC已经或已经与美国主要政府机构签订了主要/分包合同, 包括能源部, 海军, 军队, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访 www.genesicsemi.com.

发表于

GeneSiC从ARPA-E赢得253万美元，用于开发基于碳化硅晶闸管的器件

杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 – 高级研究计划署 – 能源 (阿帕) 已与 GeneSiC Semiconductor 领导的团队达成合作协议，以开发新型超高压碳化硅 (碳化硅) 基于晶闸管的设备. 这些设备有望成为将大型风能和太阳能发电厂集成到下一代智能电网的关键推动因素.

“GeneSiC 获得的这一极具竞争力的奖项将使我们能够扩大我们在多 kV 碳化硅技术方面的技术领先地位, 以及我们对具有固态解决方案的电网规模替代能源解决方案的承诺,”博士评论道. 类别, GeneSiC总裁. “我们正在开发的多 kV 碳化硅晶闸管是实现灵活交流输电系统的关键使能技术 (事实) 元件和高压直流 (高压直流) 构想的集成架构, 高效的, 未来的智能电网. GeneSiC 的基于 SiC 的晶闸管提供 10 倍的高电压, 100与传统的硅基晶闸管相比，FACTS 和 HVDC 电源处理解决方案中的开关频率更快，工作温度更高。”

在四月份 2010, GeneSiC 响应电力技术的敏捷交付 (熟练) 来自 ARPA-E 的招标寻求投资材料以实现高压开关的根本进步，这些材料有可能超越现有电源转换器的性能，同时降低成本. 该公司题为“用于中压功率转换的碳化硅阳极开关晶闸管”的提案被选中，以提供一种轻型, 固体状态, 用于大功率应用的中压能量转换，例如固态变电站和风力涡轮发电机. 部署这些先进的功率半导体技术可以提供 25-30 通过提高电力输送效率来减少用电量的百分比. 选定的创新是为了支持和促进美国. 通过技术领先的企业, 通过竞争激烈的过程.

碳化硅是下一代半导体材料，其性能远远优于传统硅, 例如能够在高达 300ºC 的温度下处理十倍的电压和一百倍的电流. 这些特性使其非常适合混合动力和电动汽车等大功率应用, 再生能源 (风能和太阳能) 装置, 和电网控制系统.

现在已经公认超高压 (>10千伏) 碳化硅 (碳化硅) 设备技术将在下一代公用电网中发挥革命性作用. 基于晶闸管的SiC器件可为以下器件提供最高的通态性能 >5 kV设备, 并广泛适用于中压功率转换电路，例如故障电流限制器, AC-DC转换器, 静态无功补偿器和串联补偿器. 基于碳化硅的晶闸管与常规电网元件相似，因此也提供了尽早采用的最佳机会. 这些设备的其他有前途的应用和优势包括:

  • 未来海军能力下寻求中压直流转换的电源管理和电源调节系统 (FNC) 美国海军, 电磁发射系统, 高能武器系统和医学成像. 工作频率提高 10-100 倍，可实现前所未有的尺寸改进, 重量, 量和最终, 此类系统的成本.
  • 多种储能, 高温高能物理应用. 随着全球关注更高效、更具成本效益的能源管理解决方案，储能和电网应用正受到越来越多的关注.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件.

“通过利用我们在器件和工艺设计方面的核心竞争力以及广泛的制造套件，我们已成为超高压 SiC 技术的领导者, 表征, 和测试设施,”博士总结道. 辛格. “GeneSiC 的地位现在已经得到了美国能源部的有效验证，并获得了这一重要的后续奖项。”

关于 GeneSiC 半导体

位于华盛顿附近的战略位置, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 超级结晶体管 (SJT) 以及各种基于晶闸管的器件. GeneSiC已经或已经与美国主要政府机构签订了主要/分包合同, 包括能源部, 海军, 军队, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访www.genesicsemi.com.

发表于

可再生能源推动力使GeneSiC Semiconductor获美国能源部150万美元资助

杜勒斯, VA, 十一月 12, 2008 – 美国能源部已授予GeneSiC半导体两项单独的赠款，总额为150万美元，用于开发高压碳化硅 (碳化硅) 将成为风能关键推动力的设备- 和太阳能与国家电网的整合.

“这些奖项证明了能源部对GeneSiC能力的信心, 以及对替代能源解决方案的承诺,”博士说. 类别, GeneSiC总裁. “综合, 高效的电网对国家的能源未来至关重要。我们正在开发的SiC器件对于克服传统硅技术的低效率至关重要。”

第一个奖项是75万美元的第二阶段SBIR赠款，用于快速开发, 超高压SiC双极器件. 第二个是75万美元的II期STTR赠款，用于开发光控大功率SiC开关.

碳化硅是下一代半导体材料，能够处理10倍于硅的电压和100倍于硅的电流, 使其非常适合大功率应用，例如可再生能源 (风能和太阳能) 设施和电网控制系统.

特别, 这两个奖项是为了:

  • 高频的发展, 千伏SiC栅极截止 (GTO) 电力设备. 政府和商业应用包括船舶动力管理和调节系统, 公用事业, 和医学成像.
  • 光控高压的设计与制造, 大功率SiC开关器件. 对于受到电磁干扰困扰的环境，使用光纤开关电源是理想的解决方案 (电磁干扰), 和需要超高压的应用.

GeneSiC正在开发的SiC器件可用于各种储能, 电网, 和军事应用, 随着世界关注更高效，更具成本效益的能源管理解决方案，这些解决方案正受到越来越多的关注.

驻华盛顿以外, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 场效应晶体管 (场效应管) 和双极设备, 以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC拥有来自美国主要政府机构的主要/分包合同, 包括能源部, 海军, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访 www.genesicsemi.com.