今日半導體
十月 28, 2014 – GeneSiC發布改進, 較低的導通電阻1700V和1200V SiC結晶體管
電力電子歐洲新聞
九月 5, 2013 – 提到GeneSiC的SJT可提供比其他SiC開關更低的總損耗
驅動SiC開關 – 來自《化合物半導體》雜誌 (PG 41)
七月 29, 2013 – SJT提供與IGBT驅動器兼容的操作
《化合物半導體》雜誌 (PG 33)
遊行, 2012 – 碳化矽電子: 利用高溫承諾
博多動力系統 (PG 44)
二月, 2012 – 碳化矽晶閘管迎來智能電網革命
