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GeneSiC行業領先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先鋒

6.5kV SiC MOSFET

杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC發布6.5kV碳化矽MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面處於領先地位, 牽引等中壓功率轉換應用的效率和可靠性, 脈衝電源和智能電網基礎設施.

GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體, 今日宣布立即供貨6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用該技術的全碳化矽模塊即將發布. 預計應用將包括牽引力, 脈衝功率, 智能電網基礎設施和其他中壓功率轉換器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (與集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的創新特色是SiC雙注入金屬氧化物半導體 (場效應管) 結勢壘肖特基器件結構 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET單元電池中. 這種領先的功率器件可用於下一代功率轉換系統中的各種功率轉換電路中. 其他重要優勢包括更高效的雙向性能, 溫度獨立開關, 低開關損耗和傳導損耗, 降低冷卻要求, 出色的長期可靠性, 易於並聯設備並節省成本. GeneSiC的技術不僅具有出色的性能，而且還具有減少功率轉換器中SiC淨材料足蹟的潛力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圓上設計和製造，以實現低導通電阻, 最好的質量, 和卓越的性價比指標. 下一代MOSFET技術可提供出色的性能, 在中壓功率轉換應用中具有出色的耐用性和長期可靠性。” 說過 博士. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC半導體技術副總裁.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技術特性 –

  • 高雪崩 (統計研究所) 和短路堅固性
  • 上級QG 設DS(上) 品質因數
  • 溫度無關的開關損耗
  • 低電容和低柵極電荷
  • 在所有溫度下損耗低
  • 常關穩定工作溫度高達175°C
  • +20 V / -5 V門驅動

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 或聯繫 sales@genesicsemi.com

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

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GeneSiC從ARPA-E贏得253萬美元，用於開發基於碳化矽晶閘管的器件

杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 –高級研究計劃局–能源 (ARPA-E) 與GeneSiC Semiconductor領導的團隊簽訂了合作協議，以開發新型超高壓碳化矽 (碳化矽) 基於晶閘管的器件. 這些設備有望成為將大型風能和太陽能發電廠集成到下一代智能電網中的關鍵推動力.

“ GeneSiC的這一極富競爭性的獎項將使我們能夠擴大在多kV碳化矽技術方面的技術領導地位, 以及我們對採用固態解決方案的電網規模替代能源解決方案的承諾,”博士評論. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “我們正在開發的多kV SiC晶閘管是實現柔性交流輸電系統的關鍵使能技術 (事實) 元件和高壓直流 (高壓直流輸電) 構想為集成的架構, 高效的, 未來的智能電網. GeneSiC的SiC基晶閘管可提供10倍的高電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，FACTS和HVDC功率處理解決方案的X更快的開關頻率和更高的溫度操作。”

在四月份 2010, GeneSiC響應了電力技術的敏捷交付 (ADEPT) 來自ARPA-E的招標，該公司尋求投資用於高壓開關的基礎改進的材料，該材料有可能超越現有功率轉換器的性能，同時降低成本. 選擇該公司的標題為“用於中壓功率轉換的碳化矽陽極開關晶閘管”以提供輕巧的方案。, 固體狀態, 用於大功率應用（例如固態變電站和風力渦輪發電機）的中壓能量轉換. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供盡可能多的服務。 25-30 通過提高電力輸送效率來減少用電量的百分比. 選定的創新旨在支持和促進美國. 通過技術領導力開展業務, 通過高度競爭的過程.

碳化矽是下一代半導體材料，具有比傳統矽大得多的性能, 例如在高達300ºC的溫度下能夠承受十倍電壓和一百倍電流的能力. 這些特性使其非常適合混合動力和電動汽車等大功率應用, 再生能源 (風能和太陽能) 裝置, 和電網控制系統.

現在已經公認超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的SiC器件可為以下器件提供最高的通態性能 >5 kV裝置, 並廣泛適用於中壓功率轉換電路，例如故障電流限制器, AC-DC轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 基於碳化矽的晶閘管與常規電網元件相似，因此也提供了儘早採用的最佳機會. 這些設備的其他有前途的應用和優勢包括:

  • 未來海軍能力下尋求中壓直流轉換的功率管理和功率調節系統 (FNC) 美國海軍, 電磁發射系統, 高能武器系統和醫學成像. 10-100X更高的工作頻率能力實現了前所未有的尺寸改進, 重量, 數量和最終, 這種系統的成本.
  • 多種儲能, 高溫高能物理應用. 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，儲能和電網應用受到越來越多的關注.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.

“通過利用我們在設備和工藝設計方面的核心競爭力以及廣泛的製造工藝，我們已成為超高壓SiC技術的領導者, 表徵, 和測試設施,”博士總結. 辛格. “ GeneSiC的地位現在已經獲得了美國能源部的認可，並獲得了這一重要的後續獎項。”

關於GeneSiC半導體

地理位置優越，靠近華盛頓, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超級結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的器件. GeneSiC已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪www.genesicsemi.com.