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G3R™ 750V SiC MOSFET 提供無與倫比的性能和可靠性

750V G3R 碳化矽MOSFET

杜勒斯, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 將提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統優勢包括工作溫度下的低通態下降, 更快的切換速度, 功率密度增加, 最小振鈴 (低電磁干擾) 緊湊的系統尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 經過優化，可在所有工作條件和超快開關速度下以最低功耗運行. 與當代 SiC MOSFET 相比，這些器件具有明顯更好的性能水平.

750V G3R 碳化矽MOSFET

“高效能源使用已成為下一代電源轉換器的關鍵交付物，而碳化矽功率器件繼續成為推動這場革命的關鍵組件. 經過多年的開發工作，以實現最低的導通電阻和穩健的短路和雪崩性能, 我們很高興發佈業界性能最佳的 750V 碳化矽 MOSFET. 我們的 G3R™ 使電力電子設計師能夠滿足具有挑戰性的效率, 太陽能逆變器等應用中的功率密度和質量目標, EV 車載充電器和服務器/電信電源. 有保證的質量, 由快速周轉和汽車合格的大批量製造支持，進一步增強了他們的價值主張. ” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特徵 –

  • 業界最低的柵極電荷 (問G) 和內部柵極電阻 (RG(情報局))
  • 最低 RDS(上) 隨溫度變化
  • 低輸出電容 (C我們) 和米勒電容 (C廣東)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
  • 行業領先的短路耐受能力
  • 具有低 V 的快速可靠的體二極管F 和低 QRR
  • 高且穩定的柵極閾值電壓 (VTH) 跨越所有溫度和漏極偏壓條件
  • 具有更低熱阻和更低振鈴的先進封裝技術
  • R的製造均勻性DS(上), VTH 和擊穿電壓 (BV)
  • 全面的產品組合和更安全的供應鏈，符合汽車標準的大批量製造

應用 –

  • 太陽的 (光伏) 逆變器
  • 電動汽車 / HEV車載充電器
  • 服務器 & 電信電源
  • 不間斷電源 (UPS)
  • DC-DC轉換器
  • 開關電源 (開關電源)
  • 儲能和電池充電
  • 感應加熱

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&貿易碳化矽MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&貿易碳化矽MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&貿易碳化矽MOSFET

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 或聯繫 sales@genesicsemi.com

所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key電子

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關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

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GeneSiC贏得久負盛名的R&SiC基單片晶體管-整流器開關D100獎

杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2019 [R&d 100 SiC基單片晶體管-整流器開關開發獎.

GeneSiC半導體公司, 基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者因其已獲得久負盛名的獎項而感到榮幸 2019 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2018. [R&D Magazine認可GeneSiC的中壓SiC功率器件技術，因為它能夠將MOSFET和肖特基整流器單片集成在單個芯片上. GeneSiC的設備所具有的這些功能至關重要，使電力電子研究人員能夠開發下一代電力電子系統，例如逆變器和DC-DC轉換器. 這將允許電動汽車內的產品開發, 充電基礎設施, 可再生能源和儲能行業. GeneSiC已預訂了多個客戶的訂單，以演示使用這些設備的先進功率電子硬件，並繼續開發其碳化矽MOSFET產品系列. R&早期版本的D用於電源轉換應用程序是通過美國部開發的. 能源和與桑迪亞國家實驗室的合作.

R舉辦的年度技術競賽&《 D雜誌》評估了多家公司和行業參與者的作品, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.

根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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GeneSiC從ARPA-E贏得253萬美元，用於開發基於碳化矽晶閘管的器件

杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 –高級研究計劃局–能源 (ARPA-E) 與GeneSiC Semiconductor領導的團隊簽訂了合作協議，以開發新型超高壓碳化矽 (碳化矽) 基於晶閘管的器件. 這些設備有望成為將大型風能和太陽能發電廠集成到下一代智能電網中的關鍵推動力.

“ GeneSiC的這一極富競爭性的獎項將使我們能夠擴大在多kV碳化矽技術方面的技術領導地位, 以及我們對採用固態解決方案的電網規模替代能源解決方案的承諾,”博士評論. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “我們正在開發的多kV SiC晶閘管是實現柔性交流輸電系統的關鍵使能技術 (事實) 元件和高壓直流 (高壓直流輸電) 構想為集成的架構, 高效的, 未來的智能電網. GeneSiC的SiC基晶閘管可提供10倍的高電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，FACTS和HVDC功率處理解決方案的X更快的開關頻率和更高的溫度操作。”

在四月份 2010, GeneSiC響應了電力技術的敏捷交付 (ADEPT) 來自ARPA-E的招標，該公司尋求投資用於高壓開關的基礎改進的材料，該材料有可能超越現有功率轉換器的性能，同時降低成本. 選擇該公司的標題為“用於中壓功率轉換的碳化矽陽極開關晶閘管”以提供輕巧的方案。, 固體狀態, 用於大功率應用（例如固態變電站和風力渦輪發電機）的中壓能量轉換. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供盡可能多的服務。 25-30 通過提高電力輸送效率來減少用電量的百分比. 選定的創新旨在支持和促進美國. 通過技術領導力開展業務, 通過高度競爭的過程.

碳化矽是下一代半導體材料，具有比傳統矽大得多的性能, 例如在高達300ºC的溫度下能夠承受十倍電壓和一百倍電流的能力. 這些特性使其非常適合混合動力和電動汽車等大功率應用, 再生能源 (風能和太陽能) 裝置, 和電網控制系統.

現在已經公認超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的SiC器件可為以下器件提供最高的通態性能 >5 kV裝置, 並廣泛適用於中壓功率轉換電路，例如故障電流限制器, AC-DC轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 基於碳化矽的晶閘管與常規電網元件相似，因此也提供了儘早採用的最佳機會. 這些設備的其他有前途的應用和優勢包括:

  • 未來海軍能力下尋求中壓直流轉換的功率管理和功率調節系統 (FNC) 美國海軍, 電磁發射系統, 高能武器系統和醫學成像. 10-100X更高的工作頻率能力實現了前所未有的尺寸改進, 重量, 數量和最終, 這種系統的成本.
  • 多種儲能, 高溫高能物理應用. 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，儲能和電網應用受到越來越多的關注.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.

“通過利用我們在設備和工藝設計方面的核心競爭力以及廣泛的製造工藝，我們已成為超高壓SiC技術的領導者, 表徵, 和測試設施,”博士總結. 辛格. “ GeneSiC的地位現在已經獲得了美國能源部的認可，並獲得了這一重要的後續獎項。”

關於GeneSiC半導體

地理位置優越，靠近華盛頓, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超級結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的器件. GeneSiC已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪www.genesicsemi.com.