高壓組件受益於這些低電容整流器，在隔離封裝中提供與溫度無關的零反向恢復電流
小偷河瀑布/杜勒斯, 弗吉尼亞。, 可能 28, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體宣布立即可用 3300 V/0.3 安培 SiC 肖特基整流器 – GAP3SLT33-220FP. 這種獨特的產品代表了市場上電壓最高的 SiC 整流器, 並且專門針對用於各種 X 射線的電壓倍增器電路和高壓組件, 激光和粒子發生器電源.
現代電壓倍增器電路存在電路效率低和尺寸大的問題，因為矽整流器的反向恢復電流會使並聯電容器放電. 在較高的整流器結溫, 這種情況變得更糟，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱約束的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 高壓碳化矽整流器提供獨特的特性，有望徹底改變高壓組件. GeneSiC的 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 單個器件中的這種相對較高的電壓允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 接近理想的開關特性允許消除/大幅減少電壓平衡網絡和緩衝電路. TO-220 Full Pack 包覆成型隔離封裝具有行業標準的外形尺寸，並在通孔組件中增加了引腳間距.
“該產品來自 GeneSiC 多年的持續努力. 我們相信 3300 V 額定值是高壓發電機市場的關鍵差異化因素, 並將為我們的客戶帶來顯著利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基整流器使這款突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
3300 V/0.3 A SiC 整流器技術亮點
- 狀態下降 1.7 電壓 0.3 一種
- VF 上的正溫度係數
- 噸最大 = 175的C
- 電容充電 52 數控 (典型的).
所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 的行業標準 TO-220FP (全包) 包. 這些設備可立即從 GeneSiC 的授權經銷商處獲得, 數碼鑰匙.
關於GeneSiC半導體公司.
GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.
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