高壓電路和組件受益於提供前所未有的額定電壓和超高速開關的 SiC 芯片
杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十一月 7, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體宣布立即可用 8000 V SiC PiN 整流器; 8000 V 碳化矽肖特基整流器, 3300 V SiC 肖特基整流器和 6500 V 碳化矽晶閘管裸片形式. 這些獨特的產品代表了市場上電壓最高的 SiC 器件, 並且專門針對石油和天然氣儀器, 電壓倍增器電路和高壓組件.
由於矽整流器的反向恢復電流使並聯電容器放電，現代超高壓電路的電路效率低且尺寸大. 在較高的整流器結溫, 這種情況進一步惡化，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱約束的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 高壓碳化矽整流器提供獨特的特性，有望徹底改變高壓組件. GeneSiC的 8000 V 和 3300 V 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 單個器件中的這種相對較高的電壓允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 接近理想的開關特性允許消除/大幅減少電壓平衡網絡和緩衝電路. 8000 V PiN 整流器提供更高的電流水平和更高的工作溫度. 6500 V SiC 晶閘管芯片也可用於加速 R&D 新系統.
“這些產品展示了 GeneSiC 在多 kV 額定值的 SiC 芯片開發方面的強大領先地位. 我們相信 8000 V 額定值超出了矽器件在額定溫度下所能提供的, 並將為我們的客戶帶來顯著利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 整流器和晶閘管將實現以前無法實現的系統級優勢” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
8000 V/2 A SiC 裸片 Pin 整流器技術亮點
- 噸最大 = 210的C
- 反向漏電流 < 50 uA 175的C
- 反向恢復電荷 558 數控 (典型的).
8000 V / 50 mA SiC 裸片肖特基整流器技術亮點
- 總電容 25 PF (典型的, 在 -1 V, 25的C).
- VF 上的正溫度係數
- 噸最大 = 175的C
6500 V SiC 晶閘管裸片技術亮點
- 三種供品—— 80 安培 (GA080TH65-CAU); 60 安培 (GA060TH65-CAU); 和 40 安培 (GA040TH65-CAU)
- 噸最大 = 200的C
3300 V/0.3 A SiC 裸片整流器技術亮點
- 狀態下降 1.7 電壓 0.3 一種
- VF 上的正溫度係數
- 噸最大 = 175的C
- 電容充電 52 數控 (典型的).
關於GeneSiC半導體公司.
GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.
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