下載產品選擇指南
GeneSiC的G3R™SiC MOSFET在高壓開關方面具有行業領先的性能，可利用前所未有的效率水平, 高溫運行和系統可靠性.
特徵:
- G3R™技術 +15 V門驅動
- 上級QG 設DS(上) 功績圖
- 低柵極電荷和器件電容
- 高溫下的低傳導損耗
- 出色的雪崩和短路強度
- 常關穩定工作溫度高達175°C
- 快速可靠的人體二極管
- 通過開爾文源連接優化包裝
好處:
- 卓越的性價比指數
- 緊湊型系統提高了功率密度
- 低內部RG 用於高開關頻率操作
- 減少損耗，提高系統效率
- 最小的門鈴
- 改進的熱能力
- 易於駕駛
- 輕鬆並聯，無熱失控
應用:
- 電動汽車–動力總成和充電
- 太陽能逆變器和儲能
- 智能電網和高壓直流
- 馬達驅動
- 高壓DC-DC和AC-DC轉換器
- 感應加熱和焊接
- 開關電源
- 脈衝功率應用
750V SiC MOSFET
| 抵抗, [RDS(上) | 裸芯片 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 米Ω | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 米Ω | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 米Ω | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| 抵抗, [RDS(上) | 裸芯片 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 米Ω | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 米Ω | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 米Ω | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 米Ω | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 米Ω | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 米Ω | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 米Ω | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 米Ω | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| 抵抗, [RDS(上) | 裸芯片 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 米Ω | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 米Ω | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 米Ω | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 米Ω | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 米Ω | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| 抵抗, [RDS(上) | 裸芯片 | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 米Ω | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 米Ω | G2R120MT33J | ||
| 1000 米Ω | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| 抵抗, [RDS(上) | 裸芯片 |
|---|---|
|
|
| 300 米Ω | G2R300MT65-CAL |
| 325 米Ω | G2R325MS65-CAL |
