G3R™ 750V SiC MOSFET 提供無與倫比的性能和可靠性

杜勒斯, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 將提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統優勢包括工作溫度下的低通態下降, 更快的切換速度, 功率密度增加, 最小振鈴 (低電磁干擾) 緊湊的系統尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 經過優化,可在所有工作條件和超快開關速度下以最低功耗運行. 與當代 SiC MOSFET 相比,這些器件具有明顯更好的性能水平.

750V G3R 碳化矽MOSFET

“高效能源使用已成為下一代電源轉換器的關鍵交付物,而碳化矽功率器件繼續成為推動這場革命的關鍵組件. 經過多年的開發工作,以實現最低的導通電阻和穩健的短路和雪崩性能, 我們很高興發佈業界性能最佳的 750V 碳化矽 MOSFET. 我們的 G3R™ 使電力電子設計師能夠滿足具有挑戰性的效率, 太陽能逆變器等應用中的功率密度和質量目標, EV 車載充電器和服務器/電信電源. 有保證的質量, 由快速周轉和汽車合格的大批量製造支持,進一步增強了他們的價值主張. ” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特徵 –

  • 業界最低的柵極電荷 (問G) 和內部柵極電阻 (RG(情報局))
  • 最低 RDS(上) 隨溫度變化
  • 低輸出電容 (C我們) 和米勒電容 (C廣東)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
  • 行業領先的短路耐受能力
  • 具有低 V 的快速可靠的體二極管F 和低 QRR
  • 高且穩定的柵極閾值電壓 (VTH) 跨越所有溫度和漏極偏壓條件
  • 具有更低熱阻和更低振鈴的先進封裝技術
  • R的製造均勻性DS(上), VTH 和擊穿電壓 (BV)
  • 全面的產品組合和更安全的供應鏈,符合汽車標準的大批量製造

應用領域 –

  • 太陽的 (光伏) 逆變器
  • 電動汽車 / HEV車載充電器
  • 服務器 & 電信電源
  • 不間斷電源 (UPS)
  • DC-DC轉換器
  • 開關電源 (開關電源)
  • 儲能和電池充電
  • 感應加熱

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&貿易碳化矽MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&貿易碳化矽MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&貿易碳化矽MOSFET

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 或聯繫 sales@genesicsemi.com

所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support

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關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標為碳化矽行業樹立了標準.