杜勒斯, VA, 十二月 4, 2020 — GeneSiC宣布推出業界領先的3300V和1700V分立SiC MOSFET，這些MOSFET經過優化可實現無與倫比的小型化, 工業家政電源的可靠性和節能.
GeneSiC 半導體, 碳化矽綜合產品的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體, 今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J. 這些SiC MOSFET可實現卓越的性能水平, 基於旗艦功績指標 (FoM) 增強和簡化跨儲能係統的電力系統, 再生能源, 工業馬達, 通用逆變器和工業照明. 發布的產品有:
G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET
G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET
G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET
G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET
G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET
GeneSiC的新型3300V和1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和450mΩ選項的SMD和通孔分立封裝, 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統設計進行了高度優化. 與競爭產品相比，這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質量, 快速周轉的大批量製造的支持進一步增強了其價值主張.
“在1500V太陽能逆變器等應用中, 輔助電源中的MOSFET可能必須承受2500V的電壓, 取決於輸入電壓, 變壓器匝數比與輸出電壓. 高擊穿電壓MOSFET消除了反激式中串聯開關的需求, 升壓和正激轉換器，從而減少了零件數量並降低了電路複雜度. GeneSiC的3300V和1700V分立SiC MOSFET允許設計人員使用更簡單的基於單開關的拓撲，同時為客戶提供可靠的, 緊湊而經濟的系統” 蘇米特·賈達夫（Sumit Jadav）說, GeneSiC Semiconductor高級應用經理.
特徵 –
- 優越的性價比指數
- 旗艦QG 設DS(上) 品質因數
- 低固有電容和低柵極電荷
- 在所有溫度下損耗低
- 高雪崩和短路強度
- 基準閾值電壓，可在高達175°C的常態下穩定運行
應用 –
- 再生能源 (太陽能逆變器) 和儲能
- 工業馬達 (和債券)
- 通用變頻器
- 工業照明
- 壓電驅動器
- 離子束髮生器
所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support
有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet 或聯繫 sales@genesicsemi.com
關於GeneSiC半導體, 公司.
GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.
