杜勒斯, VA, 十二月 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., 新型碳化矽的關鍵創新者 (碳化矽) 高溫設備, 大功率, 和超高壓應用, 宣布選擇其項目“集成SiC超結晶體管晶體管器件的項目，該器件適用於在以下溫度運行的大功率電機控制模塊 500 oC”（美國國家航空航天局） (美國宇航局) 獲得第一階段SBIR獎. 該SBIR項目專注於單片集成SiC JBS二極管-超結晶體管的開發 (防彈少年團) 在類似金星的環境下運行的設備 (500 °C表面溫度). 該程序中開發的SiC MIDSJT器件將用於構建電機控制電源模塊，以直接與金星探測車集成.
“我們對NASA對我們的高溫SiC器件解決方案表示的信心感到滿意. 該項目將使GeneSiC通過其創新的設備和封裝解決方案來開發行業領先的基於SiC的電源管理技術” 醫生說. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC技術總監. “此程序中目標的SiC MIDSJT器件將允許在高達90°C的溫度下以數字精度處理千瓦級功率 500 °C. 除了外太空應用, 這項新技術有可能徹底改變關鍵的航空航天和地熱石油鑽探硬件，這些硬件要求環境溫度超過 200 °C. 當前，這些應用領域受到現代矽甚至是基於SiC的器件技術（例如JFET和MOSFET）的不良高溫性能的限制” 他加了.
GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問 www.genesicsemi.com.
關於GeneSiC半導體, 公司.
GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部.
