SiC開關為高頻功率電路提供了最低的傳導損耗和出色的短路性能
杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十月 28, 2014 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體公司今天宣布立即提供低導通電阻1700V系列和 1200 V-SiC結型晶體管，採用TO-247封裝. 使用高壓, 高頻, 具有高溫和低導通電阻能力的SiC結晶體管將提高轉換效率，並減小需要更高總線電壓的電力電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於各種應用，包括直流微電網, 車載快速充電器, 服務器, 電信和網絡電源, 不間斷電源, 太陽能逆變器, 風力發電系統, 和工業電機控制系統.
SiC結晶體管 (SJT) GeneSiC提供的超快開關功能 (類似於SiC MOSFET), 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠由商業門驅動器驅動, 不像其他SiC開關. 與其他SiC開關相比，SJT的獨特優勢在於其更高的長期可靠性, >10 用戶短路能力, 以及出色的雪崩能力
“這些改進的SJT提供了更高的電流增益 (>100), 與其他SiC開關相比，具有很高的穩定性和魯棒性. GeneSiC的SJT在額定電流下具有極低的傳導損耗，這是電源電路中出色的關斷損耗. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC的晶體管產品可幫助設計人員實現更強大的解決方案,” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
1700 V SiC結型晶體管發布
- 25 兆歐 (GA50JT17-247), 65 兆歐 (GA16JT17-247), 220 兆歐 (GA04JT17-247)
- 當前收益 (H有限元) >90
- 噸最大 = 175的C
- 開啟/關閉; 上升/下降時間 <30 典型的納秒.
1200 V SiC結型晶體管發布
- 25 兆歐 (GA50JT12-247), 120 兆歐 (GA10JT12-247), 210 兆歐 (GA05JT12-247)
- 當前收益 (H有限元) >90
- 噸最大 = 175的C
- 開啟/關閉; 上升/下降時間 <30 典型的納秒.
所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的TO-247封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.
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