高溫 (>210的C) 小型金屬罐封裝的結型晶體管和整流器為包括放大在內的各種應用提供了革命性的性能優勢, 低噪聲電路和井下執行器控制
杜勒斯, VA, 遊行 9, 2015 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出緊湊型產品線, 高溫SiC結晶體管以及一系列採用TO-46金屬罐封裝的整流器. 這些分立組件的設計和製造可以在高於200°C的環境溫度下運行 215的C. 使用溫度高, 具有高電壓和低導通電阻能力的SiC晶體管和整流器將減小要求在高溫下具有更高功率處理能力的電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於各種應用，包括各種井下電路, 地熱儀器, 螺線管致動, 通用擴增, 和開關電源.
高溫SiC結晶體管 (SJT) 由GeneSiC提供的展覽展示了低於10納秒的上升/下降時間 >10 MHz開關以及方形反向偏置安全工作區 (蘇格蘭皇家銀行). 瞬態能量損失和開關時間與結溫無關. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠被 0/+5 V TTL柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 與其他SiC開關相比，SJT的獨特優勢在於其更高的長期可靠性, >20 用戶短路能力, 以及出色的雪崩能力. 這些器件可以保證比其他任何SiC開關都更高的線性度，因此可以用作高效放大器。.
GeneSiC提供的高溫SiC肖特基整流器顯示出低的通態壓降, 以及高溫下業界最低的洩漏電流. 與溫度無關, 接近零的反向恢復開關特性, SiC肖特基整流器是高效率使用的理想選擇, 高溫電路. TO-46金屬罐包裝以及用於製造這些產品的相關包裝工藝可嚴格確保長期使用，而高可靠性是至關重要的.
“GeneSiC的晶體管和整流器產品是完全從頭開始設計和製造的，以實現高溫操作. 這些緊湊的TO-46封裝的SJT可提供高電流增益 (>110), 0/+5 V TTL控制, 強大的性能. 這些器件具有低傳導損耗和高線性度. 我們設計“ SHT”整流器系列, 在高溫下提供低洩漏電流. 這些金屬罐包裝產品增強了我們去年發布的TO-257和金屬SMD產品，可提供較小的外形尺寸, 防振解決方案” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
今天發布的產品包括:
240 兆歐SiC結晶體管:
- 300 V阻斷電壓. 零件號 GA05JT03-46
- 100 V阻斷電壓. 零件號 GA05JT01-46
- 當前收益 (H有限元) >110
- 噸最大 = 210的C
- 開啟/關閉; 上升/下降時間 <10 典型的納秒.
取決於 4 安培高溫肖特基二極管:
- 600 V阻斷電壓. 零件號 GB02SHT06-46
- 300 V阻斷電壓. 零件號 GB02SHT03-46
- 100 V阻斷電壓. 零件號 GB02SHT01-46
- 總電容電荷 9 數控
- 噸最大 = 210的C.
所有設備都是 100% 經測試可達到全額定電壓/電流，並裝在TO-46金屬罐中。該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.
關於GeneSiC半導體公司.
GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽二極管模塊. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 井下石油鑽探, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.
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