基因碳化矽 是碳化矽技術的先驅和世界領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率.
基因碳化矽 技術在各種大功率系統中的節能方面發揮著關鍵的推動作用. 我們的技術能夠有效地收集可再生能源.
基因碳化矽 電子元件運行溫度更低, 快點, 更經濟. 我們在寬帶隙功率器件技術方面擁有領先的專利; 預計將達到的市場 $1 億 2022.
我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.
如果您有興趣就投資者關係與GeneSiC聯繫, 請發送電子郵件至 investors@genesicsemi.com
總統
 | 博士. 蘭比爾·辛格（Ranbir Singh）創立了GeneSiC Semiconductor Inc.. 在 2004. 在此之前，他首先在Cree Inc.進行了SiC功率器件的研究。, 然後在NIST, 蓋瑟斯堡, 醫學博士. 他積累了批判性的理解，並發表了包括PiN在內的各種SiC功率器件的出版物。, JBS和肖特基二極管, 場效應管, 絕緣柵雙極型晶體管, 晶閘管和現場控制晶閘管. 他獲得了博士學位. 電氣與計算機工程專業的碩士和碩士學位, 來自北卡羅來納州立大學, 羅利, 數控, 和B. 印度理工學院的技術, 新德里. 在 2012, EE Times任命Dr. 辛格 "四十位創新者為下一代電子行業奠定了基礎。" 在 2011, 他贏得了R&D100獎，以表彰他在6.5kV SiC晶閘管商業化方面所做的努力. 他已經發表了 200 期刊和會議論文, 是的作者 30 已發布的美國專利, 並寫了一本書. |
技術副總裁
 | 博士. Siddarth Sundaresan是GeneSiC技術副總裁. 他獲得了碩士學位. 和博士學位. 喬治·梅森大學（George Mason University）電機工程學士學位 2004 和 2007, 分別. 博士. Sundaresan已發表了超過 65 設備上的技術文章和會議記錄, 在SiC和GaN上製造的功率器件的材料和工藝方面. 他曾在國際碳化矽及相關材料會議的技術計劃委員會任職 (委員會) 並且是國際功率半導體器件和集成電路研討會的技術委員會成員 (專用PSD). |
