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堅固的共封裝SiC晶體管-二極管組合, 孤立, 4-含鉛, 微型模塊封裝減少了開啟能量損耗，並為高頻功率轉換器實現了靈活的電路設計

杜勒斯, VA, 可能 13, 2015 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即供貨 20 隔離狀態中的mOhm-1200 V SiC結型晶體管二極管, 4-帶引線的微型模塊封裝，可實現極低的開啟能量損耗，同時提供靈活的靈活性, 高頻功率轉換器中的模塊化設計. 使用高頻, 具有高電壓和低導通電阻能力的SiC晶體管和整流器將減小要求在高工作頻率下具有更高功率處理能力的電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於包括感應加熱器在內的各種應用中, 等離子發生器, 快速充電器, DC-DC轉換器, 和開關電源.

共同封裝的SiC結晶體管 (SJT)-GeneSiC提供的SiC整流器特別適用於感應開關應用，因為SJT是唯一的寬帶隙開關產品 >10 微秒重複短路能力, 即使在 80% 額定電壓 (例如. 960 V代表 1200 V裝置). 除了10納秒以下的上升/下降時間和平方反偏安全操作區域 (蘇格蘭皇家銀行), 新配置的Gate Return端子顯著提高了降低開關能量的能力. 這些新型產品提供的瞬態能量損失和開關時間與結溫無關. GeneSiC的SiC結晶體管不含柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠在低柵極電壓下驅動, 不像其他SiC開關.
這些微型模塊中使用的SiC肖特基整流器顯示出低的通態壓降, 在高溫下具有良好的浪湧電流額定值和業界最低的洩漏電流. 與溫度無關, 接近零的反向恢復開關特性, SiC肖特基整流器是用於高效電路的理想選擇.
“GeneSiC的SiC晶體管和整流器產品經過精心設計和製造，以實現低導通狀態和開關損耗. 這些技術的組合以創新的封裝形式保證了要求基於寬帶隙器件的電源電路的卓越性能. 微型模塊包裝提供了極大的設計靈活性，可用於H型橋等各種電源電路, 反激和多電平逆變器” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
今天發布的產品包括
20 mOhm / 1200 V SiC結晶體管/整流器共裝 (GA50SICP12-227):
•隔離式SOT-227 / mini-block / Isotop封裝
•晶體管電流增益 (hFE) >100
•Tjmax = 175oC (受包裝限制)
•打開/關閉; 上升/下降時間 <10 典型的納秒.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試. 該設備可立即從GeneSiC的 授權分銷商.

想要查詢更多的信息, 請拜訪: https://192.168.88.14/commercial-sic / sic-modules-copack /

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽二極管模塊. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 井下石油鑽探, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

高溫 (>210^的C) 小型金屬罐封裝的結型晶體管和整流器為包括放大在內的各種應用提供了革命性的性能優勢, 低噪聲電路和井下執行器控制

杜勒斯, VA, 遊行 9, 2015 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出緊湊型產品線, 高溫SiC結晶體管以及一系列採用TO-46金屬罐封裝的整流器. 這些分立組件的設計和製造可以在高於200°C的環境溫度下運行 215^的C. 使用溫度高, 具有高電壓和低導通電阻能力的SiC晶體管和整流器將減小要求在高溫下具有更高功率處理能力的電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於各種應用，包括各種井下電路, 地熱儀器, 螺線管致動, 通用擴增, 和開關電源.

高溫SiC結晶體管 (SJT) 由GeneSiC提供的展覽展示了低於10納秒的上升/下降時間 >10 MHz開關以及方形反向偏置安全工作區 (蘇格蘭皇家銀行). 瞬態能量損失和開關時間與結溫無關. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠被 0/+5 V TTL柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 與其他SiC開關相比，SJT的獨特優勢在於其更高的長期可靠性, >20 用戶短路能力, 以及出色的雪崩能力. 這些器件可以保證比其他任何SiC開關都更高的線性度，因此可以用作高效放大器。.

GeneSiC提供的高溫SiC肖特基整流器顯示出低的通態壓降, 以及高溫下業界最低的洩漏電流. 與溫度無關, 接近零的反向恢復開關特性, SiC肖特基整流器是高效率使用的理想選擇, 高溫電路. TO-46金屬罐包裝以及用於製造這些產品的相關包裝工藝可嚴格確保長期使用，而高可靠性是至關重要的.

“GeneSiC的晶體管和整流器產品是完全從頭開始設計和製造的，以實現高溫操作. 這些緊湊的TO-46封裝的SJT可提供高電流增益 (>110), 0/+5 V TTL控制, 強大的性能. 這些器件具有低傳導損耗和高線性度. 我們設計“ SHT”整流器系列, 在高溫下提供低洩漏電流. 這些金屬罐包裝產品增強了我們去年發布的TO-257和金屬SMD產品，可提供較小的外形尺寸, 防振解決方案” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

今天發布的產品包括:

240 兆歐SiC結晶體管:

• 300 V阻斷電壓. 零件號 GA05JT03-46
• 100 V阻斷電壓. 零件號 GA05JT01-46
• 當前收益 (H_有限元) >110
• 噸_最大 = 210^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <10 典型的納秒.

取決於 4 安培高溫肖特基二極管:

• 600 V阻斷電壓. 零件號 GB02SHT06-46
• 300 V阻斷電壓. 零件號 GB02SHT03-46
• 100 V阻斷電壓. 零件號 GB02SHT01-46
• 總電容電荷 9 數控
• 噸_最大 = 210^的C.

所有設備都是 100% 經測試可達到全額定電壓/電流，並裝在TO-46金屬罐中。該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽二極管模塊. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 井下石油鑽探, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請拜訪 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 和 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

柵極驅動器板針對高開關速度和基於行為的模型進行了優化，使電力電子設計工程師能夠驗證和量化SJT在板級評估和電路仿真中的優勢

杜勒斯, V.A., 十一月 19, 2014 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布柵極驅動器評估板可立即供貨，並已擴展了其對業界最低損耗開關SiC結晶體管的設計支持 (SJT) –具有完全合格的LTSPICE IV模型. 使用新的柵極驅動器板, 電源轉換電路設計人員可以驗證15納秒以下的優勢, SiC結晶體管的溫度無關開關特性, 驅動器功率損耗低. 整合新的SPICE模型, 電路設計人員可以輕鬆評估GeneSiC的SJT所提供的好處，以實現比同等等級設備的傳統矽功率開關設備更高的效率.

SiC結晶體管的特性與其他SiC晶體管技術明顯不同, 以及矽晶體管. 為了提供利用SiC結晶體管的優勢的驅動器解決方案，需要能夠提供低功率損耗同時仍提供高開關速度的柵極驅動器板. GeneSiC完全隔離 GA03IDDJT30-FR4 柵極驅動器板接受0 / 12V和TTL信號，以最佳地調節提供小的上升/下降時間所需的電壓/電流波形, 同時仍將導通狀態下保持常關SJT導通的連續電流需求降至最低. 引腳配置和形狀因數保持與其他SiC晶體管相似. GeneSiC還向最終用戶發布了Gerber文件和BOM，以使它們能夠結合已實現的驅動器設計創新的優勢.

SJT提供良好的通態和開關特性, 易於創建基於行為的SPICE模型，該模型與基於物理的基礎模型也非常吻合. 使用公認的，基於物理學的模型, 經過對設備行為的廣泛測試後，發布了SPICE參數. 將GeneSiC的SPICE模型與所有器件數據手冊上的實驗測量數據進行了比較，並適用於所有 1200 V 和 1700 V SiC結型晶體管發布.
GeneSiC的SJT能夠提供比 15 比基於IGBT的解決方案高出十倍. 它們較高的開關頻率可以實現較小的磁性和電容性元件, 從而縮小整體尺寸, 電力電子系統的重量和成本.

這種SiC結晶體管SPICE模型增加了GeneSiC的綜合設計支持工具套件, 技術文檔, 和可靠性信息，為電力電子工程師提供必要的設計資源，以將GeneSiC的SiC結型晶體管和整流器全面系列應用到下一代電源系統中.

可以從以下網站下載GeneSiC的柵極驅動器板數據表和SJT SPICE模型 https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

SiC開關為高頻功率電路提供了最低的傳導損耗和出色的短路性能

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十月 28, 2014 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體公司今天宣布立即提供低導通電阻1700V系列和 1200 V-SiC結型晶體管，採用TO-247封裝. 使用高壓, 高頻, 具有高溫和低導通電阻能力的SiC結晶體管將提高轉換效率，並減小需要更高總線電壓的電力電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於各種應用，包括直流微電網, 車載快速充電器, 服務器, 電信和網絡電源, 不間斷電源, 太陽能逆變器, 風力發電系統, 和工業電機控制系統.

SiC結晶體管 (SJT) GeneSiC提供的超快開關功能 (類似於SiC MOSFET), 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠由商業門驅動器驅動, 不像其他SiC開關. 與其他SiC開關相比，SJT的獨特優勢在於其更高的長期可靠性, >10 用戶短路能力, 以及出色的雪崩能力

“這些改進的SJT提供了更高的電流增益 (>100), 與其他SiC開關相比，具有很高的穩定性和魯棒性. GeneSiC的SJT在額定電流下具有極低的傳導損耗，這是電源電路中出色的關斷損耗. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC的晶體管產品可幫助設計人員實現更強大的解決方案,” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

1700 V SiC結型晶體管發布

• 25 兆歐 (GA50JT17-247), 65 兆歐 (GA16JT17-247), 220 兆歐 (GA04JT17-247)
• 當前收益 (H_有限元) >90
• 噸_最大 = 175^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <30 典型的納秒.

1200 V SiC結型晶體管發布

• 25 兆歐 (GA50JT12-247), 120 兆歐 (GA10JT12-247), 210 兆歐 (GA05JT12-247)
• 當前收益 (H_有限元) >90
• 噸_最大 = 175^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <30 典型的納秒.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的TO-247封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

想要查詢更多的信息, 請訪問 https://192.168.88.14/商業Sic / Sic結晶體管/

GeneSiC 的 SiC 晶體管和整流器為實現目標提供了顯著優勢 小盒子挑戰

最先進的. 碳化矽功率晶體管 & 整流器. 可用的. 現在!

GeneSiC 擁有廣泛的產品組合，目前可從全球頂級經銷商處獲得

裸芯片 直接從工廠提供的 SiC 器件形式 (請填寫下面的表格)

離散的 SJT 和 整流器 在商業溫度等級 (175℃)

離散的 HiT SJT沙 HiT 整流器 在高溫 (高達 250°C)

GeneSiC 提供最廣泛的 SiC 產品——封裝產品和裸片形式，以實現更大的設計靈活性和創新. GeneSiC 通過推出新產品不斷努力保持領先地位, 創新產品. 如果您今天沒有看到您正在尋找的確切產品, 你可能會在不久的將來看到它.

通過兼容的行業標準封裝實現的 SiC 晶體管的高溫承諾將極大地增強井下和航空航天執行器和電源

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十二月 10, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布通過其分銷商和直接提供高溫封裝的家庭 600 V 碳化矽結晶體管 (SJT) 在裡面 3-50 JEDEC 行業標准通孔和表面貼裝封裝中的安培電流額定值. 結合這些高溫, 低導通電阻, 密封封裝中的高頻 SiC 晶體管, 高溫焊料和封裝將提高轉換效率並減少高溫功率轉換應用的尺寸/重量/體積.

當代高溫電源, 用於石油/天然氣/井下和航空航天應用的電機控制和執行器電路缺乏可行的高溫碳化矽解決方案. 矽晶體管具有電路效率低和尺寸大的問題，因為它們具有高洩漏電流和低開關特性差的問題. 這兩個參數在更高的結溫下都會變差. 具有熱約束環境, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 密封封裝的 SiC 晶體管提供獨特的特性，有望徹底改變井下和航空航天應用的能力. GeneSiC的 650 V/3-50 A SiC 結晶體管具有接近零的開關時間，不隨溫度變化. 這 210^的C 結溫額定器件為在極端環境下運行的應用提供相對較大的溫度裕度.

GeneSiC 提供的結型晶體管具有超快的開關能力, 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並且能夠由商業驅動, 普遍可用 15 V IGBT柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 同時提供與 SiC JFET 驅動器的兼容性, 由於瞬態特性匹配，SiC 結晶體管可以輕鬆並聯.

“隨著井下和航空航天應用設計師不斷挑戰工作頻率的極限, 同時仍然要求高電路效率, 他們需要能夠提供性能標準的 SiC 開關, 可靠性和生產一致性. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC 的 SJT 產品幫助設計人員在更強大的解決方案中實現所有這些. 這些產品是對 GeneSiC 去年發布的密封封裝 SiC 整流器的補充, 以及今年早些時候發布的裸片產品, 同時為我們提供高溫鋪平道路, 低電感, 不久的將來電源模塊 ” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

隔離 TO-257 與 600 在 SJT 中:

• 65 毫歐/20 安培 (2N763​​9-GA); 170 毫歐/8 安培 (2N763​​7-GA); 和 425 毫歐/4 安培 (2N763​​5-GA)
• 噸_最大 = 210^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
• 對應Bare Die GA20JT06-CAL (在 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (在 2N7637-GA); 和 GA05JT06-CAL (在 2N7635-GA)

非隔離 TO-258 原型封裝 600 SJT

• 25 毫歐/50 安培 (GA50JT06-258樣機封裝)
• 噸_最大 = 210^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
• 對應Bare Die GA50JT06-CAL (在 GA50JT06-258)

表面貼裝 TO-276 (貼片0.5) 和 600 SJT

• 65 毫歐/20 安培 (2N7640-GA); 170 毫歐/8 安培 (2N763​​8-GA); 和 425 毫歐/4 安培 (2N763​​6-GA)
• 噸_最大 = 210^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試並封裝在密封包裝中. 提供技術支持和SPICE電路模型. 這些設備可立即從 GeneSiC 直接和/或通過其授權經銷商獲得.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請拜訪 https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

高壓, 無反向恢復的 SiC 肖特基二極管通過提供最小外形尺寸的表面貼裝功能來關鍵地啟用太陽能逆變器和高壓組件

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十一月 19, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出符合行業標準的 SMB 系列 (JEDEC DO-214AA) 封裝的 SiC 整流器 650 —— 3300 電壓範圍. 結合這些高壓, 無反向恢復, 具有高頻和高溫能力的 SiC 二極管將提高轉換效率並減少多 kV 組件的尺寸/重量/體積. 這些產品針對微型太陽能逆變器以及用於各種 X 射線的電壓倍增器電路, 激光和粒子發生器電源.

由於矽整流器的反向恢復電流，現代微型太陽能逆變器和電壓倍增器電路可能存在電路效率低和尺寸大的問題. 在較高的整流器結溫, 這種情況變得更糟，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱約束的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 高壓碳化矽整流器具有獨特的特性，有望徹底改變微型太陽能逆變器和高壓組件. GeneSiC的 650 伏/1 安; 1200 V/2 A 和 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 這 3300 V 級器件在單個器件中提供相對較高的電壓，允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 接近理想的開關特性允許消除/大幅減少電壓平衡網絡和緩衝電路. 中小企業 (DO-214AA) 包覆成型封裝具有行業標準外形尺寸，適用於表面貼裝組件.

“這些產品來自 GeneSiC 多年的持續開發努力，旨在提供引人注目的設備和封裝. 我們相信 SMB 外形是微型太陽能逆變器和電壓倍增器市場的關鍵差異化因素, 並將為我們的客戶帶來顯著利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基整流器和改進的 SMB 封裝使這款突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

1200 V/2 A SMB 碳化矽肖特基二極管 (GB02SLT12-214) 技術亮點

• 典型 VF = 1.5 V
• 噸_最大 = 175^的C
• 反向恢復費用 = 14 數控.

3300 V/0.3 A SMB 碳化矽肖特基二極管 (GAP3SLT33-214) 技術亮點

• 典型 VF = 1.7 V
• 噸_最大 = 175^的C
• 反向恢復費用 = 52 數控.

650 V/1 A SMB 碳化矽肖特基二極管 (GB01SLT06-214) 技術亮點

• 典型 VF = 1.5 V
• 噸_最大 = 175^的C
• 反向恢復費用 = 7 數控.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 標準的 SMB (DO-214AA) 包. 提供技術支持和SPICE電路模型. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請訪問 https://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

高壓組件受益於這些低電容整流​​器，在隔離封裝中提供與溫度無關的零反向恢復電流

小偷河瀑布/杜勒斯, 弗吉尼亞。, 可能 28, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體宣布立即可用 3300 V/0.3 安培 SiC 肖特基整流器 – GAP3SLT33-220FP. 這種獨特的產品代表了市場上電壓最高的 SiC 整流器, 並且專門針對用於各種 X 射線的電壓倍增器電路和高壓組件, 激光和粒子發生器電源.

現代電壓倍增器電路存在電路效率低和尺寸大的問題，因為矽整流器的反向恢復電流會使並聯電容器放電. 在較高的整流器結溫, 這種情況變得更糟，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱約束的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 高壓碳化矽整流器提供獨特的特性，有望徹底改變高壓組件. GeneSiC的 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 單個器件中的這種相對較高的電壓允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 接近理想的開關特性允許消除/大幅減少電壓平衡網絡和緩衝電路. TO-220 Full Pack 包覆成型隔離封裝具有行業標準的外形尺寸，並在通孔組件中增加了引腳間距.

“該產品來自 GeneSiC 多年的持續努力. 我們相信 3300 V 額定值是高壓發電機市場的關鍵差異化因素, 並將為我們的客戶帶來顯著利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基整流器使這款突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

3300 V/0.3 A SiC 整流器技術亮點

• 狀態下降 1.7 電壓 0.3 一種
• VF 上的正溫度係數
• 噸_最大 = 175^的C
• 電容充電 52 數控 (典型的).

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 的行業標準 TO-220FP (全包) 包. 這些設備可立即從 GeneSiC 的授權經銷商處獲得, 數碼鑰匙.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請訪問 www.genesicsemi.com

高壓電路和組件受益於提供前所未有的額定電壓和超高速開關的 SiC 芯片

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十一月 7, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體宣布立即可用 8000 V SiC PiN 整流器; 8000 V 碳化矽肖特基整流器, 3300 V SiC 肖特基整流器和 6500 V 碳化矽晶閘管裸片形式. 這些獨特的產品代表了市場上電壓最高的 SiC 器件, 並且專門針對石油和天然氣儀器, 電壓倍增器電路和高壓組件.

由於矽整流器的反向恢復電流使並聯電容器放電，現代超高壓電路的電路效率低且尺寸大. 在較高的整流器結溫, 這種情況進一步惡化，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱約束的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 高壓碳化矽整流器提供獨特的特性，有望徹底改變高壓組件. GeneSiC的 8000 V 和 3300 V 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 單個器件中的這種相對較高的電壓允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 接近理想的開關特性允許消除/大幅減少電壓平衡網絡和緩衝電路. 8000 V PiN 整流器提供更高的電流水平和更高的工作溫度. 6500 V SiC 晶閘管芯片也可用於加速 R&D 新系統.

“這些產品展示了 GeneSiC 在多 kV 額定值的 SiC 芯片開發方面的強大領先地位. 我們相信 8000 V 額定值超出了矽器件在額定溫度下所能提供的, 並將為我們的客戶帶來顯著利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 整流器和晶閘管將實現以前無法實現的系統級優勢” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

8000 V/2 A SiC 裸片 Pin 整流器技術亮點

• 噸_最大 = 210^的C
• 反向漏電流 < 50 uA 175^的C
• 反向恢復電荷 558 數控 (典型的).

8000 V / 50 mA SiC 裸片肖特基整流器技術亮點

• 總電容 25 PF (典型的, 在 -1 V, 25^的C).
• VF 上的正溫度係數
• 噸_最大 = 175^的C

6500 V SiC 晶閘管裸片技術亮點

• 三種供品—— 80 安培 (GA080TH65-CAU); 60 安培 (GA060TH65-CAU); 和 40 安培 (GA040TH65-CAU)
• 噸_最大 = 200^的C

3300 V/0.3 A SiC 裸片整流器技術亮點

• 狀態下降 1.7 電壓 0.3 一種
• VF 上的正溫度係數
• 噸_最大 = 175^的C
• 電容充電 52 數控 (典型的).

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

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