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GeneSiC的混合式SiC肖特基整流器/ Si IGBT模塊可實現175°C的運行

杜勒斯, VA, 遊行 5, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體公司今天宣布其第二代混合微型模塊採用以下產品的立即供貨 1200 帶堅固矽IGBT的V / 100安培SiC肖特基整流器– GB100XCP12-227. 該產品發佈時的性能價格點使許多功率轉換應用都可以從降低成本/尺寸/重量/體積的優勢中受益，而降低的成本/尺寸/重量/體積都是Silicon IGBT / Silicon Rectifier解決方案所不具備的, 純SiC模塊也無法提供. 這些設備的目標是廣泛用於包括工業電機在內的各種應用中, 太陽能逆變器, 專用設備和電網應用.

SiC肖特基/ Si IGBT微型模塊 (聯合包裝) GeneSiC提供的產品均採用具有正導通壓降正溫度係數的Si IGBT製成, 堅固的穿通設計, 高溫運行和快速開關特性，可通過商用驅動, 普遍可用 15 V IGBT柵極驅動器. 這些共裝模塊中使用的SiC整流器允許極低的電感封裝, 低通態壓降且無反向恢復. SOT-227封裝提供隔離式底板, 12mm的薄型設計，可以非常靈活地用作獨立電路元件, 大電流並聯配置, 相腳 (兩個模塊), 或作為斬波電路元件.

“自該產品首次提供以來，我們一直在傾聽主要客戶的聲音 2 幾年前. 第二代 1200 V / 100 A Co-pack產品具有低電感設計，適用於高頻, 高溫應用. 矽二極管的不良高溫和反向恢復特性嚴重限制了IGBT在更高溫度下的使用. GeneSiC 的低 VF, 低電容SiC肖特基二極管使這一突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

1200 V / 100 A Si IGBT / SiC整流器技術亮點

  • 狀態下降 1.9 電壓 100 一種
  • VF 上的正溫度係數
  • 最高溫度= 175°C
  • 開啟能量損失 23 微焦耳 (典型的).

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的行業標準SOT-227封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

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GeneSiC 推出碳化矽結型晶體管

杜勒斯, VA, 二月 25, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出一系列 1700V 和 1200 V 碳化矽結晶體管. 結合高壓, 具有高頻和高溫能力的 SiC 結型晶體管將提高轉換效率並減小電力電子設備的尺寸/重量/體積. 這些設備適用於各種應用，包括服務器, 電信和網絡電源, 不間斷電源, 太陽能逆變器, 工業電機控制系統, 和井下應用.

GeneSiC 提供的結型晶體管具有超快的開關能力, 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並且能夠由商業驅動, 普遍可用 15 V IGBT柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 同時提供與 SiC JFET 驅動器的兼容性, 結型晶體管可以很容易地並聯，因為它們具有匹配的瞬態特性.

“隨著電源系統設計人員不斷突破工作頻率的極限, 同時仍然要求高電路效率, 需要能夠提供性能和生產一致性標準的 SiC 開關. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC 的晶體管產品可幫助設計人員在更強大的解決方案中實現所有這些目標,” 醫生說. 蘭比爾·辛格 , GeneSiC半導體總裁.

1700 V 結晶體管技術亮點

  • 三種供品—— 110 兆歐 (GA16JT17-247); 250 兆歐 (GA08JT17-247); 和 500 兆歐 (GA04JT17-247)
  • 最高溫度= 175°C
  • 打開/關閉上升/下降時間 <50 典型的納秒.

1200 V 結晶體管技術亮點

  • 兩種供品—— 220 兆歐 (GA06JT12-247); 和 460 兆歐 (GA03JT12-247)
  • 最高溫度= 175°C
  • 打開/關閉上升/下降時間 <50 典型的納秒

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的TO-247封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

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新物理讓晶閘管達到更高的水平

杜勒斯, VA, 八月 30, 2011 –新物理讓晶閘管達到更高的水平

電網借助可確保平穩運行的電子設備提供可靠的電力, 可靠的潮流. 到目前為止, 基於矽的組件, 但他們無法滿足智能電網的要求. 寬帶隙材料，例如碳化矽 (碳化矽) 提供了更好的選擇，因為它們具有更高的開關速度, 更高的擊穿電壓, 較低的開關損耗, 且結溫高於傳統的基於矽的開關. 第一款此類基於SiC的器件投放市場是超高壓碳化矽晶閘管 (碳化矽晶閘管), 由GeneSiC Semiconductor Inc.開發, 杜勒斯, 弗吉尼亞州, 在桑迪亞國家實驗室的支持下, 阿爾伯克基, N.M., 美國. 能源/電力輸送系, 和美國. 陸軍/軍備研究, 開發工程中心, 皮卡汀尼兵工廠, 新澤西州.

開發人員對此設備採用了不同的操作物理, 該系統用於少數族裔運輸和集成的第三終端整流器, 比其他商用SiC器件多一個. 開發人員採用了一種新的製造技術，可以支持上述等級 6,500 V, 以及用於大電流設備的新柵極陽極設計. 能夠在高達90°C的溫度下運行 300 C和電流為 80 一種, 碳化矽晶閘管可提供高達 10 電壓高出一倍, 阻斷電壓高四倍, 和 100 開關頻率是矽基晶閘管的兩倍.

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GeneSiC贏得久負盛名的R&並網太陽能和風能應用中的SiC器件獲得D100獎

杜勒斯, VA, 七月 14, 2011 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2011 [R&d 100 高壓額定碳化矽裝置的商業化獎.

GeneSiC半導體公司, 上週，基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者獲得了表彰，這一榮譽得到了表彰。 2011 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2010. [R&D Magazine認可GeneSiC的超高壓SiC晶閘管，因為它能夠實現以前從未用於電力電子演示的阻塞電壓和頻率. 的額定電壓 >6.5千伏, 的通態電流額定值 80 A和工作頻率 >5 kHz遠高於先前在市場上推出的那些. GeneSiC晶閘管所具有的這些功能至關重要，使電力電子研究人員能夠開發並網逆變器, 靈活

交流輸電系統 (事實) 和高壓直流系統 (高壓直流輸電). 這將使可再生能源中的新發明和產品開發成為可能, 太陽能逆變器, 風電逆變器, 和儲能行業. 博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁評論道：“在電力轉換領域的研究人員充分意識到SiC晶閘管的優勢後，預計固態變電站和風力渦輪發電機的大規模市場將打開. 這些第一代SiC晶閘管使用的SiC晶閘管有史以來最低的導通狀態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對柵極控制的關斷能力和脈衝功率能力而優化的下一代碳化矽晶閘管，以及 >10kV額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓包裝解決方案, 當前的6.5kV晶閘管被封裝在具有完全焊接觸點的模塊中, 限制在150oC的結溫。”此產品自10月推出以來 2010, GeneSiC已預訂多個客戶的訂單，以演示使用這些碳化矽晶閘管的先進功率電子硬件. GeneSiC繼續開發其碳化矽晶閘管產品系列. R&通過美國部的SBIR資金支持，開發出了用於電源轉換應用的早期版本D. 能量. 更先進, 根據與ARDEC簽訂的另一項SBIR合同，正在開發脈衝功率優化的SiC晶閘管, 美國軍隊. 利用這些技術發展, GeneSiC的內部投資和多個客戶的商業訂單, GeneSiC能夠提供這些特高壓晶閘管作為商業產品.

R舉辦的第49屆年度技術競賽&《 D雜誌》評估了多家公司和行業參與者的作品, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.

根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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GeneSiC半導體獲選在展示技術 2011 ARPA-E能源創新峰會

杜勒斯, VA, 二月 28, 2011 – GeneSiC半導體很高興在ARPA-E能源創新峰會上宣布其入選著名技術展的選擇, 由能源部高級研究計劃局–能源部共同主辦 (ARPA-E) 和清潔技術與可持續產業組織 (ctsi). 數以百計的頂級技術專家和尖端清潔技術組織競爭參加了Showcase, 美國贏得能源未來最有前途的前景的走廊.

作為ARPA-E的選定組織之一, GeneSiC半導體將展示其碳化矽近 2,000 各國領導人齊聚一堂，推動美國在能源領域的長期競爭力, 包括頂尖研究人員, 投資人, 企業家, 企業高管和政府官員. 多於 200 ARPA-E獲得者的突破性技術, 公司, 國家實驗室和能源部R&活動中將展示D節目.

“此次峰會匯集了了解需要合作和合作以將下一代能源技術推向市場的組織。,” GeneSiC Semiconductor說, 總統, 博士. 蘭比爾·辛格. “將這麼多能源領域的重要參與者聚集在一個屋頂下，這是一個難得的激動人心的機會，我們期待在技術展示會上與其他創新者和投資者分享我們的碳化矽功率器件。”

來自的研究和業務開發團隊 14 致力於技術商業化的企業加速合作夥伴也將出席，包括陶氏化學, 博世, 應用材料和洛克希德·馬丁公司.

峰會還邀請了包括美國在內的知名演講者. 能源部長朱Steven文, ARPA-E總監Arun Majumdar, 我們. 海軍部長雷蒙德·馬布斯（Raymond Mabus）, 前加利福尼亞州州長阿諾德·施瓦辛格和美國銀行董事長查爾斯·霍利迪.

第二屆ARPA-E能源創新峰會將於2月舉行 28 – 遊行 2, 2011 在華盛頓郊外的蓋洛德會議中心, 直流. 要了解更多信息或註冊，請訪問: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

關於GeneSiC半導體

GeneSiC半導體公司. 開髮用於高溫的寬帶隙半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 電源開關和雙極設備. GeneSiC使用獨特且廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過為各種大批量市場提供高質量的產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 軍隊, 美國宇航局, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部.

關於ARPA-E

先進研究計劃局–能源 (ARPA-E) 是美國境內的新機構. 能源部–也是第一個專注於突破性能源技術的公司，該技術可以從根本上改變我們的能源使用方式. 而不是直接進行研究, ARPA-E投資高風險, 大學正在開發的高回報能源技術, 初創公司, 小企業, 和公司. 我們的員工匯集了行業領先的科學家, 工程師, 和投資主管人員，以找出有希望的解決方案來解決美國最嚴重的能源問題，並迅速將頂級技術推向市場，這對於確保美國在全球的技術領先地位以及創造新的美國產業和就業機會至關重要. 訪問 www.arpa-e.energy.gov欲獲得更多信息.

關於CTSI

清潔技術 & 可持續產業組織 (ctsi), 501c6非營利行業協會, 代表發展中的組織, 商業化, 和實施能源, 水, 和環境技術. 清潔技術為日益增長的資源安全性和可持續性問題提供了急需的解決方案，對於保持經濟競爭力至關重要. CTSI召集全球領導者進行宣傳, 社區發展, 聯網, 和信息共享，以幫助將這些必需的技術更快地推向市場. 訪問 www.ct-si.org 欲獲得更多信息.

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GeneSiC贏得了NASA的電源管理項目，以支持未來的金星探索任務

杜勒斯, VA, 十二月 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., 新型碳化矽的關鍵創新者 (碳化矽) 高溫設備, 大功率, 和超高壓應用, 宣布選擇其項目“集成SiC超結晶體管晶體管器件的項目，該器件適用於在以下溫度運行的大功率電機控制模塊 500 oC”（美國國家航空航天局） (美國宇航局) 獲得第一階段SBIR獎. 該SBIR項目專注於單片集成SiC JBS二極管-超結晶體管的開發 (防彈少年團) 在類似金星的環境下運行的設備 (500 °C表面溫度). 該程序中開發的SiC MIDSJT器件將用於構建電機控制電源模塊，以直接與金星探測車集成.

“我們對NASA對我們的高溫SiC器件解決方案表示的信心感到滿意. 該項目將使GeneSiC通過其創新的設備和封裝解決方案來開發行業領先的基於SiC的電源管理技術” 醫生說. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC技術總監. “此程序中目標的SiC MIDSJT器件將允許在高達90°C的溫度下以數字精度處理千瓦級功率 500 °C. 除了外太空應用, 這項新技術有可能徹底改變關鍵的航空航天和地熱石油鑽探硬件，這些硬件要求環境溫度超過 200 °C. 當前，這些應用領域受到現代矽甚至是基於SiC的器件技術（例如JFET和MOSFET）的不良高溫性能的限制” 他加了.

GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問 www.genesicsemi.com.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部.

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多kHz, 向美國研究人員採樣的超高壓碳化矽晶閘管

杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –首次提供, GeneSiC Semiconductor宣布推出一系列6.5kV SCR模式碳化矽晶閘管，用於智能電網應用的電力電子. 這些功率設備的革命性性能優勢有望刺激公用事業規模的功率電子硬件的關鍵創新，以增加分佈式能源的可及性和開發 (的). “到現在, 多kV碳化矽 (碳化矽) 美國研究人員尚未公開使用這些功率器件來充分利用SiC功率器件的眾所周知的優勢，即在5-15kV額定值下具有2-10kHz的工作頻率。”評論了博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “ GeneSiC最近完成了許多6.5kV / 40A的交付, 6.5kV / 60A和6.5kV / 80A晶閘管，面向進行可再生能源研究的多個客戶, 陸軍和海軍系統的應用. 具有這些額定值的SiC器件現在正在被更廣泛地提供。”

基於碳化矽的晶閘管可提供10倍的更高電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，X的開關頻率更快，工作溫度更高. 這些設備的目標應用研究機會包括通用中壓功率轉換 (直流輸電), 並網太陽能逆變器, 風電逆變器, 脈衝功率, 武器系統, 點火控制, 和触發控制. 現在已經公認超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的SiC器件可為以下器件提供最高的通態性能 >5 kV裝置, 並廣泛適用於中壓功率轉換電路，例如故障電流限制器, AC-DC轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 基於碳化矽的晶閘管與常規電網元件相似，因此也提供了儘早採用的最佳機會. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供盡可能多的服務。 25-30 通過提高電力輸送效率來減少用電量的百分比.

博士. Singh繼續說道：“在電力轉換領域的研究人員將充分意識到SiC晶閘管的優勢之後，預計固態變電站和風力渦輪發電機的大規模市場將打開。. 這些第一代SiC晶閘管使用的SiC晶閘管有史以來最低的導通狀態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對柵極控制的關斷能力和 >10kV額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓包裝解決方案, 當前的6.5kV晶閘管被封裝在具有完全焊接觸點的模塊中, 限制在150oC的結溫。” GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.

位於華盛頓附近, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超級結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的器件. GeneSiC已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC從ARPA-E贏得253萬美元，用於開發基於碳化矽晶閘管的器件

杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 –高級研究計劃局–能源 (ARPA-E) 與GeneSiC Semiconductor領導的團隊簽訂了合作協議，以開發新型超高壓碳化矽 (碳化矽) 基於晶閘管的器件. 這些設備有望成為將大型風能和太陽能發電廠集成到下一代智能電網中的關鍵推動力.

“ GeneSiC的這一極富競爭性的獎項將使我們能夠擴大在多kV碳化矽技術方面的技術領導地位, 以及我們對採用固態解決方案的電網規模替代能源解決方案的承諾,”博士評論. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “我們正在開發的多kV SiC晶閘管是實現柔性交流輸電系統的關鍵使能技術 (事實) 元件和高壓直流 (高壓直流輸電) 構想為集成的架構, 高效的, 未來的智能電網. GeneSiC的SiC基晶閘管可提供10倍的高電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，FACTS和HVDC功率處理解決方案的X更快的開關頻率和更高的溫度操作。”

在四月份 2010, GeneSiC響應了電力技術的敏捷交付 (ADEPT) 來自ARPA-E的招標，該公司尋求投資用於高壓開關的基礎改進的材料，該材料有可能超越現有功率轉換器的性能，同時降低成本. 選擇該公司的標題為“用於中壓功率轉換的碳化矽陽極開關晶閘管”以提供輕巧的方案。, 固體狀態, 用於大功率應用（例如固態變電站和風力渦輪發電機）的中壓能量轉換. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供盡可能多的服務。 25-30 通過提高電力輸送效率來減少用電量的百分比. 選定的創新旨在支持和促進美國. 通過技術領導力開展業務, 通過高度競爭的過程.

碳化矽是下一代半導體材料，具有比傳統矽大得多的性能, 例如在高達300ºC的溫度下能夠承受十倍電壓和一百倍電流的能力. 這些特性使其非常適合混合動力和電動汽車等大功率應用, 再生能源 (風能和太陽能) 裝置, 和電網控制系統.

現在已經公認超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的SiC器件可為以下器件提供最高的通態性能 >5 kV裝置, 並廣泛適用於中壓功率轉換電路，例如故障電流限制器, AC-DC轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 基於碳化矽的晶閘管與常規電網元件相似，因此也提供了儘早採用的最佳機會. 這些設備的其他有前途的應用和優勢包括:

  • 未來海軍能力下尋求中壓直流轉換的功率管理和功率調節系統 (FNC) 美國海軍, 電磁發射系統, 高能武器系統和醫學成像. 10-100X更高的工作頻率能力實現了前所未有的尺寸改進, 重量, 數量和最終, 這種系統的成本.
  • 多種儲能, 高溫高能物理應用. 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，儲能和電網應用受到越來越多的關注.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.

“通過利用我們在設備和工藝設計方面的核心競爭力以及廣泛的製造工藝，我們已成為超高壓SiC技術的領導者, 表徵, 和測試設施,”博士總結. 辛格. “ GeneSiC的地位現在已經獲得了美國能源部的認可，並獲得了這一重要的後續獎項。”

關於GeneSiC半導體

地理位置優越，靠近華盛頓, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超級結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的器件. GeneSiC已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪www.genesicsemi.com.

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可再生能源推動力使GeneSiC Semiconductor獲美國能源部150萬美元資助

杜勒斯, VA, 十一月 12, 2008 – 美國能源部已授予GeneSiC半導體兩項單獨的贈款，總額為150萬美元，用於開發高壓碳化矽 (碳化矽) 將成為風能關鍵推動力的設備- 和太陽能與國家電網的整合.

“這些獎項表明了能源部對GeneSiC能力的信心。, 以及對替代能源解決方案的承諾,”博士說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “綜合, 高效的電網對美國的能源未來至關重要。我們正在開發的SiC器件對於克服傳統矽技術的低效率至關重要。”

第一個獎項是75萬美元的第二階段SBIR贈款，用於快速開發, 超高壓SiC雙極器件. 第二個是75萬美元的II期STTR贈款，用於開發光控大功率SiC開關.

碳化矽是下一代半導體材料，能夠處理矽的10倍電壓和100倍電流, 使其非常適合可再生能源等大功率應用 (風能和太陽能) 設施和電網控制系統.

具體來說, 這兩個獎項是為了:

  • 高頻的發展, 千伏SiC柵極截止 (GTO) 電力設備. 政府和商業應用包括船舶的電源管理和調節系統, 公用事業, 和醫學成像.
  • 光控高壓的設計與製造, 大功率SiC開關器件. 對於受到電磁干擾困擾的環境，使用光纖開關電源是理想的解決方案 (電磁干擾), 和需要超高壓的應用.

GeneSiC正在開發的SiC器件可用於各種儲能, 電網, 和軍事應用, 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，它們受到越來越多的關注.

駐華盛頓以外, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 場效應晶體管 (場效應管) 和雙極設備, 以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC擁有來自美國主要政府機構的主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.