Uygulama Notları:
AN-10A Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) Hazır Silikon IGBT Kapı Sürücüleriyle: Tek Seviyeli Tahrik Konsepti
Mayıs 2013 AN-10A Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) Hazır Silikon IGBT Kapı Sürücüleriyle: Tek Seviyeli Sürücü Konsepti
AN-10B Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT): İki Seviyeli Kapı Tahrik Konsepti
Haziran 2013 AN-10B Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT): İki Seviyeli Kapı Tahrik Konsepti
Çift Darbe Anahtarlama Kartı
Eylül 2014 Çift Darbe Anahtarlama Kartı
Yüksek Güç Kapısı Sürücü Kartı
Eylül 2014 Yüksek Güç Kapısı Sürücü Kartı
Düşük Güç Kapısı Sürücü Kartı
Eylül 2014 Düşük Güç Kapısı Sürücü Kartı
Teknik Makaleler:
1200 V sınıfı 4H-SiC “Süper” Mevcut Kazançları Olan Kavşak Transistörleri 88 ve Ultra hızlı Anahtarlama özelliği
Eylül, 2011 1200 V sınıfı 4H-SiC “Süper” Mevcut Kazançları Olan Kavşak Transistörleri 88 ve Ultra hızlı Anahtarlama özelliği
200 V SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri 250 ° C güç dönüştürme uygulamaları için son derece düşük enerji kayıpları
kasım, 2011 1200 V SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri 250 ° C güç dönüştürme uygulamaları için son derece düşük enerji kayıpları
SiC'nin yüksek sıcaklık vaadinden yararlanmak
Şubat, 2012 SiC'nin yüksek sıcaklık vaadinden yararlanmak
Silisyum Karbür “Süper” 500 ° C'de Çalışan Bağlantı Transistörleri
Nis, 2012 Silisyum Karbür “Süper” 500 ° C'de Çalışan Bağlantı Transistörleri
SiC “Süper” Birleşim Transistörlerinin Çeşitli Sıcaklıklarda Uzun Süreli DC ve Darbeli Çalışma Altında Elektriksel Özelliklerinin Kararlılığı
Mayıs, 2012 SiC “Süper” Birleşim Transistörlerinin Çeşitli Sıcaklıklarda Uzun Süreli DC ve Darbeli Çalışma Altında Elektriksel Özelliklerinin Kararlılığı
