Yayınlanan

GeneSiC, endüstrinin en iyi performanslı 1700V SiC Schottky MPS'sini piyasaya sürdü™ diyotlar

DULES, VA, Ocak 7, 2019 — GeneSiC, TO-247-2 paketinde üçüncü nesil 1700V SiC Schottky MPS™ diyotlarının kapsamlı bir portföyünü yayınladı

GeneSiC, GB05MPS17-247'yi tanıttı, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 ve GB50MPS17-247; popüler TO-247-2 açık delik paketinde bulunan endüstrinin en iyi performans gösteren 1700V SiC diyotları. Bu 1700V SiC diyotlar, silikon bazlı ultra hızlı kurtarma diyotlarının ve diğer eski nesil 1700V SiC JBS'nin yerini alıyor, mühendislerin daha yüksek verimlilik ve daha yüksek güç yoğunluğu ile anahtarlama devreleri oluşturmasını sağlamak. Uygulamaların elektrikli araç hızlı şarj cihazlarını içermesi bekleniyor, motor sürücüleri, ulaşım güç kaynakları ve yenilenebilir enerji.

GB50MPS17-247, 1700V 50A SiC birleştirilmiş-PiN-schottky diyottur, endüstrinin en yüksek akım dereceli ayrık SiC güç diyotu. Bu yeni çıkan diyotlar, düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptir, sıfır ileri kurtarma, sıfır geri kurtarma, düşük bağlantı kapasitansı ve maksimum 175 °C çalışma sıcaklığı için derecelendirilmiştir. GeneSiC'in üçüncü nesil SiC schottky diyot teknolojisi, endüstri lideri çığ dayanıklılığı ve aşırı akım akımı sağlar (ifsm) sağlamlık, yüksek kaliteli otomotiv nitelikli 6 inç dökümhane ve gelişmiş yüksek güvenilirliğe sahip ayrık montaj teknolojisi ile birleştirilmiştir.

Bu SiC diyotları, TO-247-2 paketinde bulunan diğer diyotların pin uyumlu doğrudan değiştirmeleridir.. Düşük güç kayıplarından yararlanma (soğutucu çalışma) ve yüksek frekanslı anahtarlama yeteneği, tasarımcılar artık tasarımlarda daha fazla dönüştürme verimliliği ve daha fazla güç yoğunluğu elde edebilir.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.

Yayınlanan

Çok kHz, ABD Araştırmacılarına örneklenen Ultra Yüksek Voltajlı Silisyum Karbür Tristörler

DULES, VA, Kasım 1, 2010 –Türünün ilk örneği, GeneSiC Semiconductor, Akıllı Şebeke uygulamaları için güç elektroniğinde kullanım için bir 6.5kV SCR-modu Silisyum Karbür Tristör ailesinin kullanılabilirliğini duyurdu. Bu güç cihazlarının devrim niteliğindeki performans avantajlarının, Dağıtılmış Enerji Kaynaklarının erişilebilirliğini ve kullanımını artırmak için şebeke ölçeğindeki güç elektroniği donanımında önemli yenilikleri teşvik etmesi bekleniyor. (NS). "Şimdiye kadar, çok kV Silisyum Karbür (SiC) güç cihazları, SiC tabanlı güç cihazlarının iyi bilinen avantajlarından, yani 5-15kV değerlerinde 2-10kHz çalışma frekanslarından tam olarak yararlanmak için ABD'li araştırmacıların kullanımına açık değildi.” yorum yapan Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “GeneSiC kısa süre önce birçok 6.5kV/40A'nın teslimatını tamamladı, 6.5Yenilenebilir enerji konusunda araştırma yapan birden fazla müşteriye kV/60A ve 6.5kV/80A Tristörler, Ordu ve Deniz güç sistemi uygulamaları. Bu derecelendirmelere sahip SiC cihazları artık daha yaygın olarak sunuluyor.”

Silisyum Karbür bazlı Tristörler 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100Geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla X daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma. Bu cihazlar için hedeflenen uygulama araştırma fırsatları, genel amaçlı orta gerilim güç dönüşümünü içerir (MVDC), Şebekeye bağlı solar inverterler, rüzgar enerjisi invertörleri, darbeli güç, silah sistemleri, ateşleme kontrolü, ve tetik kontrolü. Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR dengeleyiciler ve Seri Dengeleyiciler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma.

Dr.. Singh sözlerine şöyle devam ediyor: “Güç dönüştürme alanındaki araştırmacıların SiC Tristörlerin faydalarını tam olarak fark etmesinin ardından katı hal elektrik trafo merkezlerinde ve rüzgar türbini jeneratörlerinde büyük ölçekli pazarların açılması bekleniyor.. Bu birinci nesil SiC Tristörler, SiC Tristörlerde şimdiye kadar elde edilen en düşük durumsal voltaj düşüşünü ve diferansiyel açık dirençleri kullanır.. Kapı kontrollü Kapatma özelliği için optimize edilmiş gelecek nesil SiC Tristörleri piyasaya sürmeyi amaçlıyoruz ve >10kV değerleri. Yüksek sıcaklıkta ultra yüksek voltajlı paketleme çözümleri geliştirmeye devam ederken, mevcut 6.5kV Tristörler, tamamen lehimli kontaklara sahip modüller halinde paketlenmiştir, 150oC bağlantı sıcaklıkları ile sınırlıdır. GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.

Washington'un yakınında bulunan, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edin www.genesicsemi.com.

Yayınlanan

GeneSiC, Silisyum Karbür Tristör tabanlı cihazların geliştirilmesine yönelik ARPA-E'den 2,53 milyon dolar kazandı

DULES, VA, Eylül 28, 2010 - İleri Araştırma Projeleri Ajansı - Enerji (ARPA-E) GeneSiC Semiconductor liderliğindeki ekiple yeni ultra yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesine yönelik bir İşbirliği Anlaşması imzaladı (SiC) Tristör tabanlı cihazlar. Bu cihazların, büyük ölçekli rüzgar ve güneş enerjisi santrallerini yeni nesil Akıllı Şebekeye entegre etmede kilit kolaylaştırıcılar olması bekleniyor..

"GeneSiC'ye verilen bu son derece rekabetçi ödül, multi-kV Silisyum Karbür teknolojisindeki teknik liderlik konumumuzu genişletmemizi sağlayacak., katı hal çözümleriyle şebeke ölçeğinde alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığımızın yanı sıra,” yorumladı Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “Geliştirmekte olduğumuz Multi-kV SiC Tristörler, Esnek AC İletim Sistemlerinin gerçekleştirilmesine yönelik anahtar teknolojidir. (GERÇEKLER) elemanlar ve Yüksek Gerilim DC (HVDC) bütünleşik bir yapıya yönelik tasarlanan mimariler, verimli, Geleceğin Akıllı Şebekesi. GeneSiC'nin SiC tabanlı Tristörleri 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100X, geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla FACTS ve HVDC güç işleme çözümlerinde daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma.”

Nisan içinde 2010, GeneSiC, Elektrik Gücü Teknolojisinin Çevik Teslimatına Yanıt Verdi (ADAPT) Maliyette düşüşler sunarken mevcut güç dönüştürücü performansını sıçrama potansiyeline sahip yüksek gerilim anahtarlarındaki temel ilerlemeler için malzemelere yatırım yapmaya çalışan ARPA-E'den talep. Şirketin “orta gerilim güç dönüşümü için Silisyum Karbür Anot Anahtarlamalı Tristör” başlıklı önerisi, hafiflik sağlamak için seçilmiştir., katı hal, katı hal elektrik trafo merkezleri ve rüzgar türbini jeneratörleri gibi yüksek güçlü uygulamalar için orta gerilim enerji dönüşümü. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma. Seçilen yenilikler ABD'yi desteklemek ve tanıtmaktı.. teknolojik liderlik yoluyla işletmeler, son derece rekabetçi bir süreçle.

Silisyum karbür, geleneksel silisyumdan çok daha üstün özelliklere sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., 300ºC kadar yüksek sıcaklıklarda voltajın on katı ve akımın yüz katı ile başa çıkma yeteneği gibi. Bu özellikler, onu hibrit ve elektrikli araçlar gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir., yenilenebilir enerji (rüzgar ve güneş) tesisler, ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.

Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR Kompansatörler ve Seri Kompansatörler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu cihazlar için gelecek vaat eden diğer uygulamalar ve avantajlar şunlardır::

  • Geleceğin Deniz Yeteneği kapsamında Orta Gerilim DC dönüşümü için güç yönetimi ve güç koşullandırma sistemleri aranıyor (FNC) ABD Donanması, Elektro-manyetik fırlatma sistemleri, yüksek enerjili silah sistemleri ve tıbbi görüntüleme. 10-100X daha yüksek çalışma frekansı kapasitesi, boyutta eşi görülmemiş iyileştirmeler sağlar, ağırlık, hacim ve nihayetinde, bu tür sistemlerin maliyeti.
  • Çeşitli enerji depolama, yüksek sıcaklık ve yüksek enerjili fizik uygulamaları. Dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça, enerji depolama ve elektrik şebekesi uygulamaları artan bir ilgi görmektedir..

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.

“Kapsamlı bir üretim paketi ile cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğimizden yararlanarak ultra yüksek voltajlı SiC teknolojisinde bir lider olarak ortaya çıktık., karakterizasyon, ve test tesisleri,” sonucuna varıyor Dr.. Singh. "GeneSiC'nin konumu, bu önemli müteakip ödülle artık ABD DOE tarafından etkin bir şekilde doğrulandı."

GeneSiC Yarı İletken Hakkında

Washington yakınlarında stratejik bir konuma sahip, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edinwww.genesicsemi.com.

Yayınlanan

Yenilenebilir Enerji İtme Ağları GeneSiC Semiconductor ABD Enerji Bakanlığı'ndan 1,5 Milyon Dolar

DULES, VA, Kasım 12, 2008 – ABD Enerji Bakanlığı, GeneSiC Semiconductor'a yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesi için toplam 1,5 milyon ABD Doları tutarında iki ayrı hibe verdi. (SiC) rüzgar için önemli etkinleştiriciler olarak hizmet edecek cihazlar- ve ülkenin elektrik şebekesi ile güneş enerjisi entegrasyonu.

"Bu ödüller, DOE'nin GeneSiC'nin yeteneklerine olan güvenini göstermektedir., alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığının yanı sıra,” notları Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC başkanı. "Entegre, verimli elektrik şebekesi, ülkenin enerji geleceği için kritik öneme sahip ve geliştirdiğimiz SiC cihazları, geleneksel silikon teknolojilerinin verimsizliklerinin üstesinden gelmek için kritik öneme sahip.”

İlk ödül, hızlı teknolojinin geliştirilmesi için 750 bin $'lık Faz II SBIR hibesidir., ultra yüksek voltajlı SiC bipolar cihazlar. İkincisi, optik olarak kapılı yüksek güçlü SiC anahtarlarının geliştirilmesi için 750 bin dolarlık Faz II STTR hibesidir..

Silisyum karbür, silikonun voltajının 10 katı ve akımın 100 katının üstesinden gelme kabiliyetine sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., yenilenebilir enerji gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir (rüzgar ve güneş) tesisatlar ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.

özellikle, iki ödül için:

  • Yüksek frekansın geliştirilmesi, çoklu kilovolt SiC geçit kapatma (GTO) güç cihazları. Hükümet ve ticari uygulamalar, gemiler için güç yönetimi ve iklimlendirme sistemlerini içerir, kamu hizmeti endüstrisi, ve tıbbi görüntüleme.
  • Optik kapılı yüksek voltaj tasarımı ve üretimi, yüksek güçlü SiC anahtarlama cihazları. Gücü değiştirmek için fiber optik kullanmak, elektromanyetik parazitten rahatsız olan ortamlar için ideal bir çözümdür (EMI), ve ultra yüksek voltaj gerektiren uygulamalar.

GeneSiC'nin geliştirmekte olduğu SiC cihazları, çeşitli enerji depolamalarına hizmet eder., Güç ızgarası, ve askeri uygulamalar, dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça artan ilgi görmektedir..

Washington dışında yerleşik, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., Alan Etkili Transistörler (FET'ler) ve bipolar cihazlar, ayrıca parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edin www.genesicsemi.com.

Yayınlanan

GeneSiC Semiconductor, Çok Sayıda ABD Enerji Bakanlığı SBIR ve STTR Hibesi Verdi

DULES, VA, Ekim 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., yüksek sıcaklıkta hızla yükselen bir yenilikçi, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, FY07 sırasında ABD Enerji Bakanlığı'ndan üç ayrı küçük işletme hibesi aldığını duyurdu. SBIR ve STTR hibeleri, GeneSiC tarafından çeşitli enerji depolamaya yönelik yeni yüksek voltaj SiC cihazlarını göstermek için kullanılacaktır., Güç ızgarası, yüksek sıcaklık ve yüksek enerjili fizik uygulamaları. Dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça, enerji depolama ve elektrik şebekesi uygulamaları giderek daha fazla ilgi görüyor.

“ABD Enerji Bakanlığı bünyesindeki çeşitli ofislerin yüksek güçlü cihaz çözümlerimizle ilgili ifade ettiği güven seviyesinden memnunuz.. Bu finansmanı, gelişmiş SiC teknoloji programlarımıza enjekte etmek, endüstri lideri bir SiC cihazları ile sonuçlanacaktır.,” GeneSiC Başkanı yorumladı, Dr.. Ranbir Singh. “Bu projelerde geliştirilen cihazlar, daha verimli bir elektrik şebekesini desteklemek için kritik etkinleştirme teknolojisi sağlamayı vaat ediyor., ve çağdaş silikon temelli teknolojilerin sınırlamaları nedeniyle gerçekleşmemiş olan yeni ticari ve askeri donanım teknolojisinin kapısını açacaktır.”

Üç proje şunları içerir::

  • Yüksek akıma odaklanan yeni bir Faz I SBIR ödülü, enerji depolama uygulamalarına yönelik multi-kV Tristör tabanlı cihazlar.
  • DOE Bilim Ofisi tarafından verilen yüksek güçlü RF sistem uygulamaları için yüksek voltajlı güç kaynakları için çoklu kV SiC güç cihazlarının geliştirilmesine yönelik bir Faz II SBIR devam ödülü.
  • Optik kapılı yüksek gerilime odaklanan bir Faz I STTR ödülü, elektromanyetik girişim açısından zengin ortamlar için yüksek frekanslı SiC güç cihazları, yüksek güçlü RF enerji sistemleri dahil, ve yönlendirilmiş enerji silah sistemleri.

Ödüllerle birlikte, GeneSiC, kısa süre önce operasyonlarını Dulles'daki genişletilmiş bir laboratuvara ve ofis binasına taşıdı, Virjinya, ekipmanını önemli ölçüde yükseltiyor, altyapı ve ek kilit personel ekleme sürecindedir.

“GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır., bunu kapsamlı bir üretim paketine erişimle desteklemek, karakterizasyon ve test tesisleri,” Dr. sonuçlandı. Singh. “Bu yeteneklerin ABD DOE tarafından bu yeni ve devam eden ödüllerle etkin bir şekilde onaylandığını düşünüyoruz.”

Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederek www.genesicsemi.com.