Yayınlanan

GeneSiC’in Sektör Lideri 6.5kV SiC MOSFET'leri – Yeni Bir Uygulama Dalgası için Öncü

6.5kV SiC MOSFET'leri

DULES, VA, Ekim 20, 2020 — GeneSiC, benzeri görülmemiş seviyelerde performans sunmada öncü olmak için 6.5kV silisyum karbür MOSFET'leri piyasaya sürdü., çekiş gibi orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında verimlilik ve güvenilirlik, darbeli güç ve akıllı şebeke altyapısı.

GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, bugün 6.5kV SiC MOSFET çıplak yongaların - G2R300MT65-CAL ve G2R325MS65-CAL - hemen kullanılabilir olduğunu duyurdu. Bu teknolojiyi kullanan tam SiC modülleri yakında piyasaya sürülecek. Uygulamaların çekiş içermesi bekleniyor, darbeli güç, akıllı şebeke altyapısı ve diğer orta gerilim güç dönüştürücüler.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (Entegre Schottky ile) Çıplak Çip

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip

GeneSiC’nin yeniliği SiC çift implante metal oksit yarı iletkeni içerir (DMOSFET) kavşak bariyerli cihaz yapısı schottky (JBS) SiC DMOSFET birim hücresine entegre redresör. Bu öncü güç cihazı, yeni nesil güç dönüştürme sistemlerinde çeşitli güç dönüştürme devrelerinde kullanılabilir.. Diğer önemli avantajlar arasında daha verimli çift yönlü performans bulunur, sıcaklıktan bağımsız anahtarlama, düşük anahtarlama ve iletim kayıpları, azaltılmış soğutma gereksinimleri, üstün uzun vadeli güvenilirlik, paralelleme cihazlarının kolaylığı ve maliyet avantajları. GeneSiC’nin teknolojisi üstün performans sunar ve ayrıca güç dönüştürücülerdeki net SiC malzeme ayak izini azaltma potansiyeline sahiptir..

“GeneSiC’in 6,5 kV SiC MOSFET'leri, düşük durumdaki direnci sağlamak için 6 inçlik gofretler üzerinde tasarlanmış ve üretilmiştir., en yüksek kalite, ve üstün fiyat-performans endeksi. Bu yeni nesil MOSFET teknolojisi, mükemmel performans vaat ediyor, orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında üstün sağlamlık ve uzun vadeli güvenilirlik.” dedim Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC Semiconductor'da Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı.

GeneSiC’nin 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET teknolojisi özellikleri –

  • Yüksek çığ (UIS) ve kısa devre sağlamlığı
  • Üstün QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü
  • Sıcaklıktan bağımsız anahtarlama kayıpları
  • Düşük kapasitans ve düşük kapı şarjı
  • Tüm sıcaklıklarda düşük kayıplar
  • 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma
  • +20 V / -5 V kapısı sürücüsü

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

Yayınlanan

GeneSiC, Silisyum Karbür Tristör tabanlı cihazların geliştirilmesine yönelik ARPA-E'den 2,53 milyon dolar kazandı

DULES, VA, Eylül 28, 2010 - İleri Araştırma Projeleri Ajansı - Enerji (ARPA-E) GeneSiC Semiconductor liderliğindeki ekiple yeni ultra yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesine yönelik bir İşbirliği Anlaşması imzaladı (SiC) Tristör tabanlı cihazlar. Bu cihazların, büyük ölçekli rüzgar ve güneş enerjisi santrallerini yeni nesil Akıllı Şebekeye entegre etmede kilit kolaylaştırıcılar olması bekleniyor..

"GeneSiC'ye verilen bu son derece rekabetçi ödül, multi-kV Silisyum Karbür teknolojisindeki teknik liderlik konumumuzu genişletmemizi sağlayacak., katı hal çözümleriyle şebeke ölçeğinde alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığımızın yanı sıra,” yorumladı Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “Geliştirmekte olduğumuz Multi-kV SiC Tristörler, Esnek AC İletim Sistemlerinin gerçekleştirilmesine yönelik anahtar teknolojidir. (GERÇEKLER) elemanlar ve Yüksek Gerilim DC (HVDC) bütünleşik bir yapıya yönelik tasarlanan mimariler, verimli, Geleceğin Akıllı Şebekesi. GeneSiC'nin SiC tabanlı Tristörleri 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100X, geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla FACTS ve HVDC güç işleme çözümlerinde daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma.”

Nisan içinde 2010, GeneSiC, Elektrik Gücü Teknolojisinin Çevik Teslimatına Yanıt Verdi (ADAPT) Maliyette düşüşler sunarken mevcut güç dönüştürücü performansını sıçrama potansiyeline sahip yüksek gerilim anahtarlarındaki temel ilerlemeler için malzemelere yatırım yapmaya çalışan ARPA-E'den talep. Şirketin “orta gerilim güç dönüşümü için Silisyum Karbür Anot Anahtarlamalı Tristör” başlıklı önerisi, hafiflik sağlamak için seçilmiştir., katı hal, katı hal elektrik trafo merkezleri ve rüzgar türbini jeneratörleri gibi yüksek güçlü uygulamalar için orta gerilim enerji dönüşümü. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma. Seçilen yenilikler ABD'yi desteklemek ve tanıtmaktı.. teknolojik liderlik yoluyla işletmeler, son derece rekabetçi bir süreçle.

Silisyum karbür, geleneksel silisyumdan çok daha üstün özelliklere sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., 300ºC kadar yüksek sıcaklıklarda voltajın on katı ve akımın yüz katı ile başa çıkma yeteneği gibi. Bu özellikler, onu hibrit ve elektrikli araçlar gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir., yenilenebilir enerji (rüzgar ve güneş) tesisler, ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.

Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR Kompansatörler ve Seri Kompansatörler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu cihazlar için gelecek vaat eden diğer uygulamalar ve avantajlar şunlardır::

  • Geleceğin Deniz Yeteneği kapsamında Orta Gerilim DC dönüşümü için güç yönetimi ve güç koşullandırma sistemleri aranıyor (FNC) ABD Donanması, Elektro-manyetik fırlatma sistemleri, yüksek enerjili silah sistemleri ve tıbbi görüntüleme. 10-100X daha yüksek çalışma frekansı kapasitesi, boyutta eşi görülmemiş iyileştirmeler sağlar, ağırlık, hacim ve nihayetinde, bu tür sistemlerin maliyeti.
  • Çeşitli enerji depolama, yüksek sıcaklık ve yüksek enerjili fizik uygulamaları. Dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça, enerji depolama ve elektrik şebekesi uygulamaları artan bir ilgi görmektedir..

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.

“Kapsamlı bir üretim paketi ile cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğimizden yararlanarak ultra yüksek voltajlı SiC teknolojisinde bir lider olarak ortaya çıktık., karakterizasyon, ve test tesisleri,” sonucuna varıyor Dr.. Singh. "GeneSiC'nin konumu, bu önemli müteakip ödülle artık ABD DOE tarafından etkin bir şekilde doğrulandı."

GeneSiC Yarı İletken Hakkında

Washington yakınlarında stratejik bir konuma sahip, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edinwww.genesicsemi.com.