Yayınlanan

G3R™ 750V SiC MOSFET'ler Eşsiz Performans ve Güvenilirlik Sunar

750V G3R SiC MOSFET

DULES, VA, Haziran 04, 2021 — GeneSiC'in yeni nesil 750V G3R™SiC MOSFET'leri, benzeri görülmemiş düzeyde performans sunacak, emsallerini aşan sağlamlık ve kalite. Sistem avantajları, çalışma sıcaklıklarında düşük durum düşüşlerini içerir, daha hızlı anahtarlama hızları, artan güç yoğunluğu, minimum zil sesi (düşük EMI) ve kompakt sistem boyutu. GeneSiC G3R™, optimize edilmiş düşük endüktanslı ayrı paketlerde sunulur (SMD ve açık delik), tüm çalışma koşullarında ve ultra hızlı anahtarlama hızlarında en düşük güç kayıplarıyla çalışacak şekilde optimize edilmiştir. Bu cihazlar, çağdaş SiC MOSFET'lere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir..

750V G3R SiC MOSFET

"Yüksek verimli enerji kullanımı, yeni nesil güç dönüştürücülerinde kritik bir çıktı haline geldi ve SiC güç cihazları bu devrimi yönlendiren temel bileşenler olmaya devam ediyor.. En düşük durum direncine ve sağlam kısa devre ve çığ performansına ulaşmak için yıllarca süren geliştirme çalışmalarından sonra, endüstrinin en iyi performans gösteren 750V SiC MOSFET'lerini piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz. G3R™ ürünümüz, güç elektroniği tasarımcılarının zorlu verimliliği karşılamasını sağlar, solar invertörler gibi uygulamalarda güç yoğunluğu ve kalite hedefleri, EV yerleşik şarj cihazları ve sunucu/telekom güç kaynakları. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüş ve otomotiv nitelikli yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer tekliflerini daha da geliştiriyor. ” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor şirketinde President.

Özellikleri –

  • Endüstrinin en düşük kapı ücreti (QG) ve iç kapı direnci (RG(INT))
  • En düşük RDS(AÇIK) sıcaklıkla değişim
  • Düşük çıkış kapasitansı (CBİZE) ve mil kapasitansı (CGD)
  • 100% çığ (ÜS) üretim sırasında test edildi
  • Endüstri lideri kısa devre dayanım özelliği
  • Düşük V ile hızlı ve güvenilir vücut diyotuF ve düşük QRR
  • Yüksek ve kararlı kapı eşik voltajı (VTH) tüm sıcaklık ve drenaj önyargı koşullarında
  • Daha düşük termal direnç ve daha düşük zil sesi için gelişmiş paketleme teknolojisi
  • R'nin üretim tekdüzeliğiDS(AÇIK), VTH ve arıza gerilimi (BV)
  • Kapsamlı ürün portföyü ve otomotiv nitelikli yüksek hacimli üretim ile daha güvenli tedarik zinciri

Uygulamalar –

  • Güneş (PV) İnvertörler
  • EV / HEV Yerleşik Şarj Cihazları
  • sunucu & Telekom Güç Kaynakları
  • Kesintisiz güç kaynakları (GÜÇ KAYNAĞI)
  • DC-DC Dönüştürücüler
  • Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
  • Enerji Depolama ve Pil Şarjı
  • İndüksiyonlu Isıtma

GeneSiC Semiconductor’ın SiC MOSFET’lerinin tümü otomotiv uygulamaları için hedeflenmiştir (AEC-q101) ve PPAP uyumlu.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&SiC MOSFET ticareti

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&SiC MOSFET ticareti

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&SiC MOSFET ticareti

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ veya iletişim sales@genesicsemi.com

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Elektronik

Arrow Elektronik

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

Yayınlanan

GeneSiC’nin Endüstrinin En İyi Liyakat Figürüne Sahip Yeni 3. Nesil SiC MOSFET'leri

DULES, VA, Şubat 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor’ın RDS'li yeni nesil 1200V G3R ™ SiC MOSFET'leri(AÇIK) değişen seviyeler 20 mΩ ila 350 mΩ benzeri görülmemiş düzeyde performans sunar, emsallerini aşan sağlamlık ve kalite. Sistem avantajları daha yüksek verimliliği içerir, daha hızlı anahtarlama frekansı, artan güç yoğunluğu, azaltılmış zil sesi (EMI) ve kompakt sistem boyutu.

GeneSiC, endüstri lideri performansa sahip endüstri lideri 3. nesil Silikon Karbür MOSFET'lerin kullanılabilirliğini duyurdu, Otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda daha önce hiç görülmemiş düzeyde verimlilik ve sistem güvenilirliği sağlamak için sağlamlık ve kalite.

Bu G3R ™ SiC MOSFET'leri, optimize edilmiş düşük endüktanslı ayrı paketlerde sunulur (SMD ve açık delik), yüksek verimlilik seviyeleri ve ultra hızlı anahtarlama hızları gerektiren güç sistemi tasarımları için son derece optimize edilmiştir. Bu cihazlar, rakip ürünlere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir.. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüşlü yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer önerilerini daha da geliştirir.

"Yıllar süren geliştirme çalışmalarından sonra, en düşük durum üstü direnci ve gelişmiş kısa devre performansını elde etmeye yönelik çalışmalar, Endüstrinin en iyi performans gösteren 1200V SiC MOSFET'lerini piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz. 15+ ayrık ve çıplak çipli ürünler. Yeni nesil güç elektroniği sistemleri zorlu verimliliği karşılayacaksa, otomotiv gibi uygulamalarda güç yoğunluğu ve kalite hedefleri, Sanayi, yenilenebilir enerji, toplu taşıma, BT ve telekom, daha sonra, şu anda mevcut SiC MOSFET'lere kıyasla önemli ölçüde geliştirilmiş cihaz performansı ve güvenilirlik gerektirirler” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor şirketinde President.

Özellikleri –

  • Üstün QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü – G3R ™ SiC MOSFET'ler, çok düşük bir kapı şarjı ile endüstrinin en düşük durum üzerinde direncine sahiptir, sonuçlanan 20% diğer benzer rakip cihazlardan daha iyi değer
  • Tüm sıcaklıklarda düşük iletim kayıpları – GeneSiC’nin MOSFET'leri, tüm sıcaklıklarda çok düşük iletim kayıpları sunmak için durumdaki direncin en yumuşak sıcaklık bağımlılığına sahiptir.; piyasadaki diğer tüm hendek ve düzlemsel SiC MOSFET'lerden önemli ölçüde daha iyi
  • 100 % çığ testi yapıldı – Sağlam UIL yeteneği, saha uygulamalarının çoğu için kritik bir gerekliliktir. GeneSiC’nin 1200V SiC MOSFET ayrık 100 % çığ (ÜS) üretim sırasında test edildi
  • Düşük kapı şarjı ve düşük iç kapı direnci – Bu parametreler, ultra hızlı anahtarlamanın gerçekleştirilmesi ve en yüksek verimliliklerin elde edilmesi açısından kritik öneme sahiptir. (düşük Eon -Eoff) çok çeşitli uygulama anahtarlama frekanslarında
  • 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma – GeneSiC’in tüm SiC MOSFET'leri, herhangi bir arıza riski olmaksızın tüm çalışma koşullarında kararlı ve güvenilir ürünler sunmak için son teknoloji proseslerle tasarlanmış ve üretilmiştir.. Bu cihazların üstün geçit oksit kalitesi, herhangi bir eşiği önler (VTH) sürüklenme
  • Düşük cihaz kapasitansları – G3R ™, düşük cihaz kapasiteleri ile daha hızlı ve daha verimli sürmek üzere tasarlanmıştır - Ciss, Coss ve Crss
  • Düşük dahili şarjlı hızlı ve güvenilir gövde diyotu – GeneSiC’nin MOSFET'leri, karşılaştırmalı düşük ters geri kazanım ücretine sahiptir (QRR) tüm sıcaklıklarda; 30% benzer şekilde derecelendirilen rakip cihazlardan daha iyi. Bu, güç kayıplarında daha fazla azalma sağlar ve çalışma frekanslarını artırır
  • Kullanım kolaylığı – G3R ™ SiC MOSFET'ler + 15V'de çalıştırılmak üzere tasarlanmıştır / -5V kapısı sürücüsü. Bu, mevcut ticari IGBT ve SiC MOSFET geçit sürücüleriyle en geniş uyumluluğu sunar

Uygulamalar –

  • Elektrikli araç – Güç Aktarma Sistemi ve Şarj Etme
  • Solar İnvertör ve Enerji Depolama
  • Endüstriyel Motor Sürücüsü
  • Kesintisiz güç kaynağı (GÜÇ KAYNAĞI)
  • Anahtarlamalı Mod Güç Kaynağı (SMPS)
  • Çift yönlü DC-DC dönüştürücüler
  • Akıllı Şebeke ve HVDC
  • İndüksiyonla Isıtma ve Kaynak
  • Darbeli Güç Uygulaması

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Elektronik

Arrow Elektronik

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductor’ın SiC MOSFET’lerinin tümü otomotiv uygulamaları için hedeflenmiştir (AEC-q101) ve PPAP uyumlu. Tüm cihazlar endüstri standardı D2PAK'ta sunulmaktadır, TO-247 ve SOT-227 paketleri.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

Yayınlanan

GeneSiC’in 3300V ve 1700V 1000mΩ SiC MOSFET'leri, Yardımcı Güç Kaynaklarının Minyatürleştirilmesinde Devrim Yapıyor

DULES, VA, Aralık 4, 2020 — GeneSiC, benzersiz bir minyatürleştirme elde etmek için optimize edilmiş endüstri lideri 3300V ve 1700V ayrık SiC MOSFET'lerin kullanılabilirliğini duyurdu, endüstriyel temizlik gücünde güvenilirlik ve enerji tasarrufu.

GeneSiC Yarı İletken, kapsamlı bir Silisyum Karbür portföyünün öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, bugün, yeni nesil 3300V ve 1700V 1000mΩ SiC MOSFET'lerin - G2R1000MT17J'nin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor, G2R1000MT17D, ve G2R1000MT33J. Bu SiC MOSFET'ler üstün performans seviyeleri sağlar, amiral gemisi liyakat rakamlarına göre (FoM) enerji depolamada güç sistemlerini geliştiren ve basitleştiren, yenilenebilir enerji, endüstriyel motorlar, genel amaçlı invertörler ve endüstriyel aydınlatma. Serbest bırakılan ürünler:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC’nin yeni 3300V ve 1700V SiC MOSFET'leri, SMD ve Through-Hole ayrı paketler olarak 1000mΩ ve 450mΩ seçenekleri mevcuttur, yüksek verimlilik seviyeleri ve ultra hızlı anahtarlama hızları gerektiren güç sistemi tasarımları için son derece optimize edilmiştir. Bu cihazlar, rakip ürünlere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir.. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüşlü yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer önerilerini daha da geliştirir.

"1500V solar inverterler gibi uygulamalarda, Yardımcı güç kaynağındaki MOSFET, 2500V aralığındaki voltajlara dayanmak zorunda kalabilir, giriş voltajına bağlı olarak, transformatörün dönüş oranı ve çıkış voltajı. Yüksek arıza voltajı MOSFET'leri Flyback'te seri bağlı anahtarlara olan ihtiyacı ortadan kaldırır, Yükseltme ve İletme dönüştürücüler, böylece parça sayısını azaltır ve devre karmaşıklığını azaltır. GeneSiC’nin 3300V ve 1700V ayrık SiC MOSFET'leri, tasarımcıların daha basit tek anahtar tabanlı topoloji kullanmasına ve aynı zamanda müşterilere güvenilir, kompakt ve uygun maliyetli sistem” Sumit Jadav dedi, GeneSiC Semiconductor şirketinde Senior Applications Manager.

Özellikleri –

  • Üstün fiyat-performans endeksi
  • Amiral gemisi QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü
  • Düşük iç kapasite ve düşük kapı şarjı
  • Tüm sıcaklıklarda düşük kayıplar
  • Yüksek çığ ve kısa devre sağlamlığı
  • 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma için kıyaslama eşik voltajı

Uygulamalar –

  • Yenilenebilir enerji (güneş invertörleri) ve enerji depolama
  • Endüstriyel motorlar (ve bağ)
  • Genel amaçlı invertörler
  • Endüstriyel aydınlatma
  • Piezo sürücüleri
  • İyon ışını jeneratörleri

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

Yayınlanan

GeneSiC’in Sektör Lideri 6.5kV SiC MOSFET'leri – Yeni Bir Uygulama Dalgası için Öncü

6.5kV SiC MOSFET'leri

DULES, VA, Ekim 20, 2020 — GeneSiC, benzeri görülmemiş seviyelerde performans sunmada öncü olmak için 6.5kV silisyum karbür MOSFET'leri piyasaya sürdü., çekiş gibi orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında verimlilik ve güvenilirlik, darbeli güç ve akıllı şebeke altyapısı.

GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, bugün 6.5kV SiC MOSFET çıplak yongaların - G2R300MT65-CAL ve G2R325MS65-CAL - hemen kullanılabilir olduğunu duyurdu. Bu teknolojiyi kullanan tam SiC modülleri yakında piyasaya sürülecek. Uygulamaların çekiş içermesi bekleniyor, darbeli güç, akıllı şebeke altyapısı ve diğer orta gerilim güç dönüştürücüler.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (Entegre Schottky ile) Çıplak Çip

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip

GeneSiC’nin yeniliği SiC çift implante metal oksit yarı iletkeni içerir (DMOSFET) kavşak bariyerli cihaz yapısı schottky (JBS) SiC DMOSFET birim hücresine entegre redresör. Bu öncü güç cihazı, yeni nesil güç dönüştürme sistemlerinde çeşitli güç dönüştürme devrelerinde kullanılabilir.. Diğer önemli avantajlar arasında daha verimli çift yönlü performans bulunur, sıcaklıktan bağımsız anahtarlama, düşük anahtarlama ve iletim kayıpları, azaltılmış soğutma gereksinimleri, üstün uzun vadeli güvenilirlik, paralelleme cihazlarının kolaylığı ve maliyet avantajları. GeneSiC’nin teknolojisi üstün performans sunar ve ayrıca güç dönüştürücülerdeki net SiC malzeme ayak izini azaltma potansiyeline sahiptir..

“GeneSiC’in 6,5 kV SiC MOSFET'leri, düşük durumdaki direnci sağlamak için 6 inçlik gofretler üzerinde tasarlanmış ve üretilmiştir., en yüksek kalite, ve üstün fiyat-performans endeksi. Bu yeni nesil MOSFET teknolojisi, mükemmel performans vaat ediyor, orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında üstün sağlamlık ve uzun vadeli güvenilirlik.” dedim Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC Semiconductor'da Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı.

GeneSiC’nin 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET teknolojisi özellikleri –

  • Yüksek çığ (UIS) ve kısa devre sağlamlığı
  • Üstün QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü
  • Sıcaklıktan bağımsız anahtarlama kayıpları
  • Düşük kapasitans ve düşük kapı şarjı
  • Tüm sıcaklıklarda düşük kayıplar
  • 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma
  • +20 V / -5 V kapısı sürücüsü

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

Yayınlanan

GeneSiC prestijli R'yi kazandı&SiC Tabanlı Monolitik Transistör Doğrultucu Anahtarı için D100 Ödülü

DULES, VA, Aralık 5, 2019 — r&D Magazine, GeneSiC Semiconductor Inc'i seçti. Dulles, prestijli bir alıcı olarak VA 2019 r&NS 100 SiC Tabanlı Monolitik Transistör Doğrultucu Anahtarının geliştirilmesi için ödül.

GeneSiC Semiconductor Inc, Silisyum Karbür bazlı güç cihazlarında önemli bir yenilikçi, prestijli ödüle layık görüldüğünü duyurarak onurlandırıldı. 2019 r&NS 100 ödül. Bu ödül, GeneSiC'yi en önemlilerinden birini tanıttığı için tanır., sırasında birden fazla disiplin arasında yeni tanıtılan araştırma ve geliştirme ilerlemeleri 2018. r&D Magazine, MOSFET ve Schottky doğrultucuyu tek bir çip üzerinde monolitik olarak entegre etme yeteneği nedeniyle GeneSiC'nin orta gerilim SiC güç cihazı teknolojisini tanıdı.. GeneSiC cihazı tarafından elde edilen bu yetenekler, güç elektroniği araştırmacılarının invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi yeni nesil güç elektroniği sistemleri geliştirmesine kritik bir şekilde olanak tanır.. Bu, elektrikli araçlarda ürün geliştirmelerine izin verecek, şarj altyapısı, yenilenebilir enerji ve enerji depolama endüstrileri. GeneSiC, bu cihazları kullanan gelişmiş güç elektroniği donanımının gösterilmesine yönelik birden fazla müşteriden sipariş aldı ve Silisyum Karbür MOSFET ürünleri ailesini geliştirmeye devam ediyor.. R&Güç dönüştürme uygulamaları için erken sürümde D, ABD Departmanı aracılığıyla geliştirildi. Enerji ve Sandia Ulusal Laboratuvarları ile işbirliği.

R tarafından yürütülen yıllık teknoloji yarışması&D Magazine, çeşitli şirketlerden ve sektör oyuncularından gelen girdileri değerlendirdi, dünyadaki araştırma kuruluşları ve üniversiteler. Derginin editörleri ve dışarıdan uzmanlardan oluşan bir kurul hakim olarak görev yaptı, Her girişi bilim ve araştırma dünyası için önemi açısından değerlendirmek.

R'ye göre&D Dergisi, R kazanmak&NS 100 Ödül, endüstri tarafından bilinen bir mükemmellik işareti sağlar, hükümet, ve akademi, ürünün yılın en yenilikçi fikirlerinden biri olduğunun kanıtı olarak. Bu ödül, GeneSiC'i çalışma ve yaşama şeklimizde fark yaratan teknoloji tabanlı ürünlerin yaratılmasında küresel bir lider olarak tanır..

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.