G3R™ 750V SiC MOSFET'ler Eşsiz Performans ve Güvenilirlik Sunar

750V G3R SiC MOSFET

DULES, VA, Haziran 04, 2021 — GeneSiC'in yeni nesil 750V G3R™SiC MOSFET'leri, benzeri görülmemiş düzeyde performans sunacak, emsallerini aşan sağlamlık ve kalite. Sistem avantajları, çalışma sıcaklıklarında düşük durum düşüşlerini içerir, daha hızlı anahtarlama hızları, artan güç yoğunluğu, minimum zil sesi (düşük EMI) ve kompakt sistem boyutu. GeneSiC G3R™, optimize edilmiş düşük endüktanslı ayrı paketlerde sunulur (SMD ve açık delik), tüm çalışma koşullarında ve ultra hızlı anahtarlama hızlarında en düşük güç kayıplarıyla çalışacak şekilde optimize edilmiştir. Bu cihazlar, çağdaş SiC MOSFET'lere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir..

750V G3R SiC MOSFET

"Yüksek verimli enerji kullanımı, yeni nesil güç dönüştürücülerinde kritik bir çıktı haline geldi ve SiC güç cihazları bu devrimi yönlendiren temel bileşenler olmaya devam ediyor.. En düşük durum direncine ve sağlam kısa devre ve çığ performansına ulaşmak için yıllarca süren geliştirme çalışmalarından sonra, endüstrinin en iyi performans gösteren 750V SiC MOSFET'lerini piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz. G3R™ ürünümüz, güç elektroniği tasarımcılarının zorlu verimliliği karşılamasını sağlar, solar invertörler gibi uygulamalarda güç yoğunluğu ve kalite hedefleri, EV yerleşik şarj cihazları ve sunucu/telekom güç kaynakları. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüş ve otomotiv nitelikli yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer tekliflerini daha da geliştiriyor. ” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor şirketinde President.

Özellikleri –

  • Endüstrinin en düşük kapı ücreti (QG) ve iç kapı direnci (RG(INT))
  • En düşük RDS(AÇIK) sıcaklıkla değişim
  • Düşük çıkış kapasitansı (CBİZE) ve mil kapasitansı (CGD)
  • 100% çığ (ÜS) üretim sırasında test edildi
  • Endüstri lideri kısa devre dayanım özelliği
  • Düşük V ile hızlı ve güvenilir vücut diyotuF ve düşük QRR
  • Yüksek ve kararlı kapı eşik voltajı (VTH) tüm sıcaklık ve drenaj önyargı koşullarında
  • Daha düşük termal direnç ve daha düşük zil sesi için gelişmiş paketleme teknolojisi
  • R'nin üretim tekdüzeliğiDS(AÇIK), VTH ve arıza gerilimi (BV)
  • Kapsamlı ürün portföyü ve otomotiv nitelikli yüksek hacimli üretim ile daha güvenli tedarik zinciri

Uygulamalar –

  • Güneş (PV) İnvertörler
  • EV / HEV Yerleşik Şarj Cihazları
  • sunucu & Telekom Güç Kaynakları
  • Kesintisiz güç kaynakları (GÜÇ KAYNAĞI)
  • DC-DC Dönüştürücüler
  • Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
  • Enerji Depolama ve Pil Şarjı
  • İndüksiyonlu Isıtma

GeneSiC Semiconductor’ın SiC MOSFET’lerinin tümü otomotiv uygulamaları için hedeflenmiştir (AEC-q101) ve PPAP uyumlu.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&SiC MOSFET ticareti

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&SiC MOSFET ticareti

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&SiC MOSFET ticareti

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ veya iletişim sales@genesicsemi.com

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Elektronik

Arrow Elektronik

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

GeneSiC’in Sektör Lideri 6.5kV SiC MOSFET'leri – Yeni Bir Uygulama Dalgası için Öncü

6.5kV SiC MOSFET'leri

DULES, VA, Ekim 20, 2020 — GeneSiC, benzeri görülmemiş seviyelerde performans sunmada öncü olmak için 6.5kV silisyum karbür MOSFET'leri piyasaya sürdü., çekiş gibi orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında verimlilik ve güvenilirlik, darbeli güç ve akıllı şebeke altyapısı.

GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, bugün 6.5kV SiC MOSFET çıplak yongaların - G2R300MT65-CAL ve G2R325MS65-CAL - hemen kullanılabilir olduğunu duyurdu. Bu teknolojiyi kullanan tam SiC modülleri yakında piyasaya sürülecek. Uygulamaların çekiş içermesi bekleniyor, darbeli güç, akıllı şebeke altyapısı ve diğer orta gerilim güç dönüştürücüler.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (Entegre Schottky ile) Çıplak Çip

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip

GeneSiC’nin yeniliği SiC çift implante metal oksit yarı iletkeni içerir (DMOSFET) kavşak bariyerli cihaz yapısı schottky (JBS) SiC DMOSFET birim hücresine entegre redresör. Bu öncü güç cihazı, yeni nesil güç dönüştürme sistemlerinde çeşitli güç dönüştürme devrelerinde kullanılabilir.. Diğer önemli avantajlar arasında daha verimli çift yönlü performans bulunur, sıcaklıktan bağımsız anahtarlama, düşük anahtarlama ve iletim kayıpları, azaltılmış soğutma gereksinimleri, üstün uzun vadeli güvenilirlik, paralelleme cihazlarının kolaylığı ve maliyet avantajları. GeneSiC’nin teknolojisi üstün performans sunar ve ayrıca güç dönüştürücülerdeki net SiC malzeme ayak izini azaltma potansiyeline sahiptir..

“GeneSiC’in 6,5 kV SiC MOSFET'leri, düşük durumdaki direnci sağlamak için 6 inçlik gofretler üzerinde tasarlanmış ve üretilmiştir., en yüksek kalite, ve üstün fiyat-performans endeksi. Bu yeni nesil MOSFET teknolojisi, mükemmel performans vaat ediyor, orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında üstün sağlamlık ve uzun vadeli güvenilirlik.” dedim Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC Semiconductor'da Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı.

GeneSiC’nin 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET teknolojisi özellikleri –

  • Yüksek çığ (UIS) ve kısa devre sağlamlığı
  • Üstün QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü
  • Sıcaklıktan bağımsız anahtarlama kayıpları
  • Düşük kapasitans ve düşük kapı şarjı
  • Tüm sıcaklıklarda düşük kayıplar
  • 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma
  • +20 V / -5 V kapısı sürücüsü

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.