Benzersiz voltaj değerleri ve ultra yüksek hızlı anahtarlama sunan SiC çiplerinden faydalanmak için Yüksek Voltaj devreleri ve tertibatları
Dulles, Virginia., kasım 7, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, hemen kullanılabilirliğini duyurur 8000 V SiC PiN Doğrultucular; 8000 V SiC Schottky Doğrultucular, 3300 V SiC Schottky Doğrultucular ve 6500 Çıplak kalıp formatında V SiC Tristörler. Bu benzersiz ürünler, piyasadaki en yüksek voltajlı SiC cihazlarını temsil eder., ve özellikle petrol ve gaz enstrümantasyonuna yöneliktir, gerilim çarpan devreleri ve yüksek gerilim grupları.
Çağdaş ultra yüksek voltaj devreleri, düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan muzdariptir, çünkü Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları paralel bağlı kapasitörleri boşaltır.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla arttığı için bu durum daha da kötüleşir.. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, yüksek gerilim tertibatlarında devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 8000 V ve 3300 V Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. Tek bir cihazdaki bu nispeten yüksek voltaj, tipik yüksek voltaj üreteci devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir., daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. 8000 V PiN Doğrultucular daha yüksek akım seviyeleri ve daha yüksek çalışma sıcaklıkları sunar. 6500 R'yi hızlandırmak için V SiC Tristör yongaları da mevcuttur&D yeni sistemler.
"Bu ürünler, GeneSiC'nin çoklu kV derecelendirmelerinde SiC çiplerinin geliştirilmesindeki güçlü liderliğini sergiliyor.. biz inanıyoruz 8000 V derecesi, Silikon cihazların nominal sıcaklıklarda sunabileceklerinin ötesine geçer, ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Redresörler ve Tristörler, daha önce mümkün olmayan sistem düzeyinde faydalar sağlayacaktır” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.
8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Redresör Teknik Özellikleri
- Tjmax = 210ÖC
- Ters Kaçak Akımlar < 50 uA'da 175ÖC
- Ters Kurtarma Ücreti 558 nC (tipik).
8000 V/50 mA SiC Çıplak Kalıp Schottky Doğrultucu Teknik Özellikler
- Toplam Kapasite 25 pF (tipik, de -1 V, 25ÖC).
- VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
- Tjmax = 175ÖC
6500 V SiC Tristör Çıplak Kalıp Teknik Özellikler
- Üç teklif – 80 Amper (GA080TH65-CAU); 60 Amper (GA060TH65-CAU); ve 40 Amper (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200ÖC
3300 V/0.3 A SiC Çıplak Kalıp Doğrultucu Teknik Özellikler
- Devlet Üzerinden Düşürme 1.7 KDV 0.3 Bir
- VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
- Tjmax = 175ÖC
- kapasitif şarj 52 nC (tipik).
GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.
GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.
Daha fazla bilgi için, lütfen ziyaret edin https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
