GeneSiC, SiC güç cihazlarına üstün maliyet-performans indeksi sağlayarak mümkün olan en iyi müşteri odaklı tasarımları sunmak için başarılıdır., yüksek sağlamlık ve yüksek kalite.
Uygulamalar şunları içerir::
- Güç Faktörü Düzeltmesinde Güçlendirme Diyodu (PFC)
- Anahtarlamalı Mod Güç Kaynağı (SMPS)
- Elektrikli Araçlar – Güç Aktarma Organı, DC-DC Dönüştürücü ve Yerleşik Şarj
- Aşırı Hızlı Şarj Altyapısı
- Solar İnvertörler ve Enerji Depolama
- Çekiş
- Veri Merkezi Güç Kaynakları
- İndüksiyonla Isıtma ve Kaynak
- Yüksek Gerilim DC-DC Dönüştürücüler
- serbest sürüş / Anti-paralel Diyot
- LED ve HID Aydınlatma
- Tıbbi Görüntüleme Sistemleri
- Aşağı Delik Petrol Sondaj Güç Dönüştürücüler
- Yüksek Gerilim Algılama
- Darbeli Güç
Ziyaret etmek www.genesicsemi.com/applications daha fazla öğrenmek için!
DE-SAT koruması ve yüksek yan anahtar kapısı sürücü önyükleme devreleri gibi yüksek voltaj algılama uygulamaları için, DO-214 ve TO-252-2 paketleri ideal çözümlerdir.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
TO-247-3 paketi, güç faktörü düzeltmesi gibi uygulamalarda daha yüksek güç yoğunluğu ve BOM azaltma için büyük esneklik sunar (PFC) iki diyot arasında ortak bir katot paylaşan inter.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Uygulama Notları:
AN-1 1200 Sıcaklıkla değişmeyen bariyer yükseklikleri ve idealite faktörleri ile V Schottky diyotları
Ekim 2010 AN-1 1200 Sıcaklıkla değişmeyen bariyer yükseklikleri ve idealite faktörleri ile V Schottky diyotları
AN-2 1200 Hızlı anahtarlama uygulamaları için ultra düşük kapasitif ters kurtarma şarjlı V SiC JBS diyotları
Ekim 2010 AN-2 1200 Hızlı anahtarlama uygulamaları için ultra düşük kapasitif ters kurtarma şarjlı V SiC JBS diyotları
AN1001 SiC Güç Diyodu Güvenilirliği
Eylül, 2018AN1001 SiC Güç Diyodu Güvenilirliği
AN1002 SiC Power Schottky Diyotunun Veri Sayfasını Anlama
Eylül, 2018AN1002 SiC Power Schottky Diyotunun Veri Sayfasını Anlama
AN1003 SPICE Modeli Kullanım Talimatları
Aralık, 2018AN1003 SPICE Modeli Kullanım Talimatları
Teknik Makaleler:
Yüksek Güçlü SiC PiN Doğrultucular
Aralık, 2005 Yüksek Güçlü SiC PiN Doğrultucular
Yüksek güçlü SiC PiN doğrultucular
Haz, 2007 Yüksek güçlü SiC PiN doğrultucular
Silisyum Karbür Yarı Yalıtım Dedektörleri ile Hızlı Nötron Algılama
Haz, 2008 Silisyum Karbür Yarı Yalıtım Dedektörleri ile Hızlı Nötron Algılama
Yarı Yalıtımlı Silisyum Karbür Tabanlı Radyasyon Dedektörlerinin Geliştirilmesi
Ekim, 2008 Yarı Yalıtımlı Silisyum Karbür Tabanlı Radyasyon Dedektörlerinin Geliştirilmesi
4H-SiC PiN diyotlarda taşıyıcı rekombinasyon ömrü ile ileri voltaj düşüşü arasındaki korelasyon
Eylül, 2010 4H-SiC PiN diyotlarda taşıyıcı rekombinasyon ömrü ile ileri voltaj düşüşü arasındaki korelasyon
