GeneSiC Yarı İletken, Inc - İnovasyon Yoluyla Enerji Verimliliği

GeneSiC’nin G3R ™ SiC MOSFET'leri, daha önce hiç görülmemiş verimlilik seviyelerine sahip kablo demetine yüksek voltajlı anahtarlamada endüstri lideri performansa sahiptir., yüksek sıcaklıkta çalışma ve sistem güvenilirliği.

Özellikleri:

  • G3R ™ Teknolojisi +15 V Gate Sürücüsü
  • Üstün QG x RDS(AÇIK) Liyakat Figürü
  • Düşük Kapı Şarjı ve Cihaz Kapasiteleri
  • Yüksek Sıcaklıkta Düşük İletim Kayıpları
  • Üstün Çığ ve Kısa Devre Sağlamlığı
  • 175 ° C'ye kadar Normalde Kapalı Kararlı Çalışma
  • Hızlı ve Güvenilir Vücut Diyotu
  • Kelvin Kaynak Bağlantısı ile Optimize Edilmiş Ambalaj

Faydaları:

  • Üstün Maliyet-Performans Endeksi
  • Kompakt Sistem için Artırılmış Güç Yoğunluğu
  • Düşük İç RG Yüksek Anahtarlama Frekansı Çalışması için
  • Daha Yüksek Sistem Verimliliği için Azaltılmış Kayıplar
  • Minimize Edilmiş Kapı Zili
  • Geliştirilmiş Termal Yetenekler
  • Sürmesi Kolay
  • Termal Kaçak Olmadan Paralelleme Kolaylığı

Uygulamalar:

  • Elektrikli Araçlar - Güç Aktarma Sistemi ve Şarj
  • Solar İnvertörler ve Enerji Depolama
  • Akıllı Şebeke ve HVDC
  • Motor Sürücüleri
  • Yüksek Gerilim DC-DC ve AC-DC Dönüştürücüler
  • İndüksiyonla Isıtma ve Kaynak
  • Anahtarlamalı Güç Kaynakları
  • Darbeli Güç Uygulamaları

750V SiC MOSFET

Direniş Üzerine, rDS(AÇIK)Çıplak ÇipTO-263-7IÇIN-247-3TO-247-4
10 mΩG3R10MT07-CAL
12 mΩG4R12MT07-CAU
60 mΩG3R60MT07JG3R60MT07DG3R60MT07K

1200V SiC MOSFET

Direniş Üzerine, rDS(AÇIK)Çıplak ÇipTO-263-7IÇIN-247-3TO-247-4SOT-227
10 mΩG4R10MT12-CAU
12 mΩG3R12MT12-CALG3R12MT12K
20 mΩG3R20MT12-CAL G3R20MT12K G3R20MT12N
30 mΩG3R30MT12-CAL G3R30MT12J G3R30MT12K
40 mΩG3R40MT12J G3R40MT12D G3R40MT12K
75 mΩG3R75MT12J G3R75MT12D G3R75MT12K
160 mΩG3R160MT12J G3R160MT12D
350 mΩG3R350MT12J G3R350MT12D

1700V SiC MOSFET

Direniş Üzerine, rDS(AÇIK)Çıplak ÇipTO-263-7IÇIN-247-3TO-247-4SOT-227
20 mΩG3R20MT17-CAL G3R20MT17K G3R20MT17N
45 mΩG3R45MT17-CAL G3R45MT17D G3R45MT17K
160 mΩG3R160MT17J G3R160MT17D
450 mΩG3R450MT17J G3R450MT17D
1000 mΩG2R1000MT17JG2R1000MT17D

3300V SiC MOSFET

Direniş Üzerine, rDS(AÇIK)Çıplak ÇipTO-263-7TO-247-4
50 mΩG2R50MT33-CAL G2R50MT33K
120 mΩG2R120MT33J
1000 mΩG2R1000MT33J

6500V SiC MOSFET

Direniş Üzerine, rDS(AÇIK)Çıplak Çip
300 mΩG2R300MT65-CAL
325 mΩG2R325MS65-CAL
SiC Ürünleri
Silikon Ürünler
Satış Desteği
Teknik Destek
şirket

  • Adres :GeneSiC Semiconductor Inc.
    3520 Challenger St., torance,
    O 90503, Amerika Birleşik Devletleri.

  • Ofis : +1 (703) 996-8200

  • Faks : +1 (703) 665-2347

  • Skype : Genezik

  • E-posta : sicsales@navitassemi.com

GeneSiC Yarı İletken, Inc