DULES, VA, Kasım 12, 2008 – ABD Enerji Bakanlığı, GeneSiC Semiconductor'a yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesi için toplam 1,5 milyon ABD Doları tutarında iki ayrı hibe verdi. (SiC) rüzgar için önemli etkinleştiriciler olarak hizmet edecek cihazlar- ve ülkenin elektrik şebekesi ile güneş enerjisi entegrasyonu.
"Bu ödüller, DOE'nin GeneSiC'nin yeteneklerine olan güvenini göstermektedir., alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığının yanı sıra,” notları Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC başkanı. "Entegre, verimli elektrik şebekesi, ülkenin enerji geleceği için kritik öneme sahip ve geliştirdiğimiz SiC cihazları, geleneksel silikon teknolojilerinin verimsizliklerinin üstesinden gelmek için kritik öneme sahip.”
İlk ödül, hızlı teknolojinin geliştirilmesi için 750 bin $'lık Faz II SBIR hibesidir., ultra yüksek voltajlı SiC bipolar cihazlar. İkincisi, optik olarak kapılı yüksek güçlü SiC anahtarlarının geliştirilmesi için 750 bin dolarlık Faz II STTR hibesidir..
Silisyum karbür, silikonun voltajının 10 katı ve akımın 100 katının üstesinden gelme kabiliyetine sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., yenilenebilir enerji gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir (rüzgar ve güneş) tesisatlar ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.
özellikle, iki ödül için:
- Yüksek frekansın geliştirilmesi, çoklu kilovolt SiC geçit kapatma (GTO) güç cihazları. Hükümet ve ticari uygulamalar, gemiler için güç yönetimi ve iklimlendirme sistemlerini içerir, kamu hizmeti endüstrisi, ve tıbbi görüntüleme.
- Optik kapılı yüksek voltaj tasarımı ve üretimi, yüksek güçlü SiC anahtarlama cihazları. Gücü değiştirmek için fiber optik kullanmak, elektromanyetik parazitten rahatsız olan ortamlar için ideal bir çözümdür (EMI), ve ultra yüksek voltaj gerektiren uygulamalar.
GeneSiC'nin geliştirmekte olduğu SiC cihazları, çeşitli enerji depolamalarına hizmet eder., Güç ızgarası, ve askeri uygulamalar, dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça artan ilgi görmektedir..
Washington dışında yerleşik, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., Alan Etkili Transistörler (FET'ler) ve bipolar cihazlar, ayrıca parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edin www.genesicsemi.com.
