Akım Kazancı Sağlayan Hızla Olgunlaşan SiC Bağlantı Transistörleri (b) > 130, Şuna Kadar Engelleme Gerilimleri 2700 V ve Kararlı Uzun Vadeli Operasyon
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) Hazır Silikon IGBT Kapı Sürücüleriyle: Tek Seviyeli Sürücü Konsepti
1200 V sınıfı 4H-SiC “Süper” Mevcut Kazançları Olan Kavşak Transistörleri 88 ve Ultra hızlı Anahtarlama özelliği