1200 V SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri 250 ° C güç dönüştürme uygulamaları için son derece düşük enerji kayıpları
SiC “Süper” Birleşim Transistörlerinin Çeşitli Sıcaklıklarda Uzun Süreli DC ve Darbeli Çalışma Altında Elektriksel Özelliklerinin Kararlılığı
Akım Kazancı Sağlayan Hızla Olgunlaşan SiC Bağlantı Transistörleri (b) > 130, Şuna Kadar Engelleme Gerilimleri 2700 V ve Kararlı Uzun Vadeli Operasyon
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers