GeneSiC’in Sektör Lideri 6.5kV SiC MOSFET'leri – Yeni Bir Uygulama Dalgası için Öncü
DULES, VA, Ekim 20, 2020 — GeneSiC, benzeri görülmemiş seviyelerde performans sunmada öncü olmak için 6.5kV silisyum karbür MOSFET'leri piyasaya sürdü., orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında verimlilik ve güvenilirlik…
GeneSiC prestijli R'yi kazandı&SiC Tabanlı Monolitik Transistör Doğrultucu Anahtarı için D100 Ödülü
DULES, VA, Aralık 5, 2019 — r&D Magazine, GeneSiC Semiconductor Inc'i seçti. Dulles, prestijli bir alıcı olarak VA 2019 r&NS 100 Award for development of SiC-Based…
Bodo’s Power Systems (Pg 46)
Mayıs, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack for Power Electronic Applications
Güç Elektroniği Teknolojisi (Pg 36)
Temmuz, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack Cuts Switching Losses
Bodo’s Power Systems (Pg 36)
Ekim, 2011 – Breakthrough High Temperature Electrical Performance of SiC “Super” Junction Transistors