Çok kHz, ABD Araştırmacılarına örneklenen Ultra Yüksek Voltajlı Silisyum Karbür Tristörler
DULES, VA, Kasım 1, 2010 –Türünün ilk örneği, GeneSiC Semiconductor, güçte kullanım için 6.5 kV SCR modlu Silikon Karbür Tristör ailesinin mevcut olduğunu duyurdu…
GeneSiC, Silisyum Karbür Tristör tabanlı cihazların geliştirilmesine yönelik ARPA-E'den 2,53 milyon dolar kazandı
DULES, VA, Eylül 28, 2010 - İleri Araştırma Projeleri Ajansı - Enerji (ARPA-E) romanın geliştirilmesi için GeneSiC Semiconductor liderliğindeki ekip ile bir İşbirliği Anlaşması imzaladı…
Yenilenebilir Enerji İtme Ağları GeneSiC Semiconductor ABD Enerji Bakanlığı'ndan 1,5 Milyon Dolar
DULES, VA, Kasım 12, 2008 – ABD Enerji Bakanlığı, GeneSiC Semiconductor'a yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesi için toplam 1,5 milyon ABD Doları tutarında iki ayrı hibe verdi. (SiC) cihazlar…
GeneSiC Semiconductor, Çok Sayıda ABD Enerji Bakanlığı SBIR ve STTR Hibesi Verdi
DULES, VA, Ekim 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., yüksek sıcaklıkta hızla yükselen bir yenilikçi, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, announced that is has been awarded three separate…