DULES, VA, Kasım 1, 2010 –Türünün ilk örneği, GeneSiC Semiconductor, Akıllı Şebeke uygulamaları için güç elektroniğinde kullanım için bir 6.5kV SCR-modu Silisyum Karbür Tristör ailesinin kullanılabilirliğini duyurdu. Bu güç cihazlarının devrim niteliğindeki performans avantajlarının, Dağıtılmış Enerji Kaynaklarının erişilebilirliğini ve kullanımını artırmak için şebeke ölçeğindeki güç elektroniği donanımında önemli yenilikleri teşvik etmesi bekleniyor. (NS). "Şimdiye kadar, çok kV Silisyum Karbür (SiC) güç cihazları, SiC tabanlı güç cihazlarının iyi bilinen avantajlarından, yani 5-15kV değerlerinde 2-10kHz çalışma frekanslarından tam olarak yararlanmak için ABD'li araştırmacıların kullanımına açık değildi.” yorum yapan Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “GeneSiC kısa süre önce birçok 6.5kV/40A'nın teslimatını tamamladı, 6.5Yenilenebilir enerji konusunda araştırma yapan birden fazla müşteriye kV/60A ve 6.5kV/80A Tristörler, Ordu ve Deniz güç sistemi uygulamaları. Bu derecelendirmelere sahip SiC cihazları artık daha yaygın olarak sunuluyor.”
Silisyum Karbür bazlı Tristörler 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100Geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla X daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma. Bu cihazlar için hedeflenen uygulama araştırma fırsatları, genel amaçlı orta gerilim güç dönüşümünü içerir (MVDC), Şebekeye bağlı solar inverterler, rüzgar enerjisi invertörleri, darbeli güç, silah sistemleri, ateşleme kontrolü, ve tetik kontrolü. Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR dengeleyiciler ve Seri Dengeleyiciler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma.
Dr.. Singh sözlerine şöyle devam ediyor: “Güç dönüştürme alanındaki araştırmacıların SiC Tristörlerin faydalarını tam olarak fark etmesinin ardından katı hal elektrik trafo merkezlerinde ve rüzgar türbini jeneratörlerinde büyük ölçekli pazarların açılması bekleniyor.. Bu birinci nesil SiC Tristörler, SiC Tristörlerde şimdiye kadar elde edilen en düşük durumsal voltaj düşüşünü ve diferansiyel açık dirençleri kullanır.. Kapı kontrollü Kapatma özelliği için optimize edilmiş gelecek nesil SiC Tristörleri piyasaya sürmeyi amaçlıyoruz ve >10kV değerleri. Yüksek sıcaklıkta ultra yüksek voltajlı paketleme çözümleri geliştirmeye devam ederken, mevcut 6.5kV Tristörler, tamamen lehimli kontaklara sahip modüller halinde paketlenmiştir, 150oC bağlantı sıcaklıkları ile sınırlıdır. GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.
Washington'un yakınında bulunan, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edin www.genesicsemi.com.
