GeneSiC Sürümleri 25 mOhm/1700 V Silisyum Karbür Transistörler

Yüksek Frekanslı Güç Devreleri için en düşük iletim kayıpları ve üstün kısa devre özelliği sunan SiC anahtarları

Dulles, Virginia., Ekim 28, 2014 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün, düşük dirençli 1700V ve 1200 TO-247 paketlerinde V SiC Bağlantı Transistörleri. Yüksek voltaj kullanımı, yüksek frekans, yüksek sıcaklık ve düşük direnç özelliğine sahip SiC Bağlantı Transistörleri, dönüştürme verimliliğini artıracak ve daha yüksek veri yolu voltajları gerektiren güç elektroniği uygulamalarının boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır.. Bu cihazlar, DC mikro şebekeler de dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., Araç Hızlı şarj cihazları, sunucu, telekom ve ağ güç kaynakları, kesintisiz güç kaynakları, güneş invertörleri, Rüzgar enerjisi sistemleri, ve endüstriyel motor kontrol sistemleri.

SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) GeneSiC tarafından sunulan ultra hızlı anahtarlama yeteneği (SiC MOSFET'lerinkine benzer), kare ters taraflı güvenli çalışma alanı (RBSOA), ayrıca sıcaklıktan bağımsız geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri. Bu anahtarlar geçit oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, ve ticari olarak kapı sürücüleri tarafından sürülebilen, diğer SiC anahtarlarının aksine. SJT'nin diğer SiC anahtarlarına kıyasla benzersiz avantajları, daha yüksek uzun vadeli güvenilirliğidir, >10 usec kısa devre özelliği, ve üstün çığ yeteneği

“Bu geliştirilmiş SJT'ler çok daha yüksek akım kazançları sunar (>100), diğer SiC anahtarlarına kıyasla oldukça kararlı ve sağlam performans. GeneSiC'nin SJT'leri, güç devrelerinde üstün kapatma kayıpları olarak nominal akımlarda son derece düşük iletim kayıpları sunar. Eşsiz cihaz ve üretim yeniliklerini kullanma, GeneSiC'nin Transistör ürünleri, tasarımcıların daha sağlam bir çözüm elde etmelerine yardımcı olur,” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

1700 V SiC Bağlantı Transistörü piyasaya çıktı

• 25 mOhm (GA50JT17-247), 65 mOhm (GA16JT17-247), 220 mOhm (GA04JT17-247)
• Şu anki kazanç (H_FE) >90
• T_jmax = 175^ÖC
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <30 nanosaniye tipik.

1200 V SiC Bağlantı Transistörü piyasaya çıktı

• 25 mOhm (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhm (GA05JT12-247)
• Şu anki kazanç (H_FE) >90
• T_jmax = 175^ÖC
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <30 nanosaniye tipik.

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu TO-247 paketleri. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..

Daha fazla bilgi için, lütfen https'yi ziyaret edin://192.168.88.14/ticari-sic/sic-bağlantı-transistörleri/