Yayınlanan ile Düzenleyici0

Düşük Maliyetle Sunulan Genel Amaçlı Yüksek Sıcaklık SiC Transistörler ve Redresörler

Yüksek sıcaklık (>210ÖC) Küçük form faktörlü metal kutu paketlerindeki Bağlantı Transistörleri ve Redresörleri, amplifikasyon dahil çeşitli uygulamalar için devrim niteliğinde performans avantajları sunar, düşük gürültülü devre ve kuyu içi aktüatör kontrolleri

DULES, VA, Mart 9, 2015 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün bir kompakt serisinin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor, TO-46 metal kutu paketlerinde yüksek sıcaklık SiC Bağlantı Transistörlerinin yanı sıra bir dizi doğrultucu. Bu ayrı bileşenler, aşağıdakilerden daha yüksek ortam sıcaklıklarında çalışmak üzere tasarlanmış ve üretilmiştir. 215ÖC. Yüksek sıcaklık kullanımı, yüksek voltaj ve düşük direnç özelliğine sahip SiC Transistörler ve Doğrultucular, yüksek sıcaklıklarda daha yüksek güç kullanımı gerektiren elektronik uygulamaların boyutunu/ağırlığını/hacmini azaltacaktır.. Bu cihazlar, çok çeşitli kuyu içi devreler dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., jeotermal enstrümantasyon, solenoid çalıştırma, genel amaçlı amplifikasyon, ve anahtarlamalı mod güç kaynakları.

Yüksek Sıcaklık SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) GeneSiC tarafından sunulan, 10 nsn'nin altında yükselme/düşme süreleri sergileyerek >10 MHz anahtarlamanın yanı sıra kare ters taraflı güvenli çalışma alanı (RBSOA). Geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri bağlantı sıcaklığından bağımsızdır. Bu anahtarlar geçit oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, tarafından yönlendirilebilir ve 0/+5 V TTL kapısı sürücüleri, diğer SiC anahtarlarının aksine. SJT'nin diğer SiC anahtarlarına kıyasla benzersiz avantajları, daha yüksek uzun vadeli güvenilirliğidir, >20 usec kısa devre özelliği, ve üstün çığ yeteneği. Bu cihazlar, diğer SiC anahtarlarından çok daha yüksek doğrusallık vaat ettikleri için verimli amplifikatörler olarak kullanılabilir..

GeneSiC tarafından sunulan Yüksek Sıcaklık SiC Schottky Redresörleri, düşük durum voltajı düşüşleri gösteriyor, ve yüksek sıcaklıklarda endüstrinin en düşük kaçak akımları. Sıcaklıktan bağımsız, sıfıra yakın ters kurtarma anahtarlama özellikleri, SiC Schottky redresörleri, yüksek verimlilikte kullanım için ideal adaylardır., yüksek sıcaklık devreleri. TO-46 metal kutu paketleri ve bu ürünleri oluşturmak için kullanılan ilgili paketleme süreçleri, yüksek güvenilirliğin kritik olduğu yerlerde uzun süreli kullanım sağlar.

“GeneSiC'nin Transistör ve Doğrultucu ürünleri, yüksek sıcaklıkta çalışmayı sağlamak için sıfırdan tasarlanmış ve üretilmiştir.. Bu kompakt TO-46 paketlenmiş SJT'ler, yüksek akım kazançları sunar (>110), 0/+5 V TTL kontrolü, ve sağlam performans. Bu cihazlar düşük iletim kayıpları ve yüksek doğrusallık sunar. “SHT” doğrultucu serimizi tasarlıyoruz, yüksek sıcaklıklarda düşük kaçak akımlar sunmak. Bu metal kutu ambalajlı ürünler, küçük form faktörü sunmak için geçen yıl piyasaya sürülen TO-257 ve metal SMD ürünlerimizi güçlendiriyor., titreşime dayanıklı çözümler” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

Bugün piyasaya sürülen ürünler şunları içerir::TO-46 SiC Transistör Diyotları

240 mOhm SiC Bağlantı Transistörleri:

  • 300 V engelleme gerilimi. Parça numarası GA05JT03-46
  • 100 V engelleme gerilimi. Parça numarası GA05JT01-46
  • Şu anki kazanç (HFE) >110
  • Tjmax = 210ÖC
  • Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <10 nanosaniye tipik.

kadar 4 Amper Yüksek Sıcaklık Schottky diyotları:

  • 600 V engelleme gerilimi. Parça numarası GB02SHT06-46
  • 300 V engelleme gerilimi. Parça numarası GB02SHT03-46
  • 100 V engelleme gerilimi. Parça numarası GB02SHT01-46
  • Toplam kapasitif şarj 9 nC
  • Tjmax = 210ÖC.

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve metal kutu TO-46 paketlerine yerleştirilmiştir. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon diyot modülleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, kuyu içi petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen ziyaret edin https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; ve https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.