Yayınlanan 2019-06-102020-05-11Yüksek Güçlü SiC PiN Doğrultucular Aralık, 2005 Yüksek Güçlü SiC PiN Doğrultucular
Yayınlanan 2019-06-102020-05-11Yüksek güçlü SiC PiN doğrultucular Haz, 2007 Yüksek güçlü SiC PiN doğrultucular
Yayınlanan 2019-06-102020-05-11Silisyum Karbür Yarı Yalıtım Dedektörleri ile Hızlı Nötron Algılama Haz, 2008 Silisyum Karbür Yarı Yalıtım Dedektörleri ile Hızlı Nötron Algılama
Yayınlanan 2019-06-102020-05-11Yarı Yalıtımlı Silisyum Karbür Tabanlı Radyasyon Dedektörlerinin Geliştirilmesi Ekim, 2008 Yarı Yalıtımlı Silisyum Karbür Tabanlı Radyasyon Dedektörlerinin Geliştirilmesi
Yayınlanan 2019-06-102020-05-114H-SiC PiN diyotlarda taşıyıcı rekombinasyon ömrü ile ileri voltaj düşüşü arasındaki korelasyon Eylül, 2010 4H-SiC PiN diyotlarda taşıyıcı rekombinasyon ömrü ile ileri voltaj düşüşü arasındaki korelasyon
Yayınlanan 2019-06-102020-05-11Hibrit Si-IGBT/SiC Doğrultucu ortak paketleri ve SiC JBS Doğrultucular Eylül, 2011 Hibrit Si-IGBT/SiC Doğrultucu ortak paketleri ve SiC JBS Doğrultucular
Yayınlanan 2019-06-102020-05-1112.9 Düşük Durum Düşüşlü ve Yüksek Taşıyıcı Ömürlü kV SiC PiN Diyotlar Eylül, 2011 12.9 Düşük Durum Düşüşlü ve Yüksek Taşıyıcı Ömürlü kV SiC PiN Diyotlar
Yayınlanan 2019-06-102020-05-111200 ≥ için optimize edilmiş V SiC Schottky Doğrultucular 250 Sınıfının en düşük bağlantı kapasitansı ile °C çalışması Temmuz, 2012 1200 ≥ için optimize edilmiş V SiC Schottky Doğrultucular 250 Sınıfının en düşük bağlantı kapasitansı ile °C çalışması
Yayınlanan 2019-06-102020-05-1115 kV SiC PiN diyotlar elde 95% çığ sınırı ve istikrarlı uzun vadeli çalışma Mart, 2013 15 kV SiC PiN diyotlar elde 95% çığ sınırı ve istikrarlı uzun vadeli çalışma